13. 半導体A（シリコン）

13.3 絶縁膜技術

3月15日　会場：GP1
ポスターセッション
ポスター掲示時間13:00〜15:00

15p-GP1 - 1〜18

  • 1絶縁膜中へのﾊﾛｹﾞﾝ化水素ｶﾞｽの透過障壁三菱電機波光電 ○奥　友希，戸塚正裕，志賀俊彦，竹見正義
  • 2H2O2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いた酸化Si薄膜の堆積反応の検討北陸先端大 ○谷口勇太，辻埜太一，堀田　將
  • 3H2O2溶液をバブリングしたオゾンガスとシリコーンオイルを用いて堆積した酸化Si薄膜の膜質特性北陸先端大 ○辻埜太一，谷口勇太，堀田　將
  • 4ゾル・ゲル製膜によるTiO2, SiO2薄膜の通電劣化と伝導機構に関する考察関西大院 ○近藤祐介，田村　進，大村泰久
  • 5High-kゲートスタック構造における熱伝導の比較東工大院理工 ○陳　君ろ，高橋綱己，別府伸耕，内田　建
  • 6La2O3とSi基板との界面に由来する赤外スペクトルの熱処理による変化東工大フロンティア研1，東工大総理工2 ○関　拓也1，来山大祐1，角嶋邦之2，アハメト パールハット1，片岡好則2，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 7マイクロ波生成リモートプラズマ支援ALD法によるSi基板上へのHfSixOy薄膜の低温形成諏訪東京理科大1，山梨大2 ○石崎博基1，飯田真正1，王谷洋平1，山本千綾2，山中淳二2，佐藤哲也2，福田幸夫1
  • 8La-silicate形成時の高温熱処理雰囲気のMOS特性への影響東工大フロンティア研1，東工大総理工2 ○来山大祐1，角嶋邦之2，アヘメト パールハット1，片岡好則2，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 9スカベンジング効果を用いた HfO2/Si 界面における SiO2 の薄膜化明大1，物材機構2 ○小橋和義1,2，長田貴弘2，池野成裕1,2，小椋厚志1，知京豊裕2
  • 10高温熱処理とMIPS構造によるEOT=0.62nmのLa-silicate MOSFETの実現東工大フロンティア研1，東工大総理工2 ○川那子高暢1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，片岡好則2，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 11堆積非晶質Si膜の酸化によって形成したSiO2/4H-SiC(0001)面界面の特性九大シ情 ○黎　　力，深山勝徳，池田晃裕，浅野種正
  • 12SiC熱酸化膜信頼性の酸化方法と電極材料による変化九大シ情 ○深山勝徳，黎　　力，池田晃裕，浅野種正
  • 13Si-capによるHfO2/歪みGe界面のHfジャーマネイト形成の抑制東京都市大1，Warwick大2 ○小松　新1，多田隼人1，渡邉将人1，那須賢太郎1，星　祐介1，榑林　徹1，澤野憲太郎1，ミロノフ マクシム2，白木靖寛1，野平博司1
  • 14エピタキシャルリフトオフ法によるGe-MISFETsの転写産総研1，住友化学2 ○前田辰郎1，石井裕之1，板谷太郎1，安田哲二1，高田朋幸2，秦　雅彦2
  • 15極薄膜Al2O3界面層を挿入したHfO2/InGaAs MOS構造のCET薄膜化東大1，産総研2，住友化学3 ○鈴木麗菜1，李　成薫1，金　相賢1，星井拓也1，横山正史1，田岡紀之1，ウィパコーン ジェバスワン2，前田辰郎2，安田哲二2，市川　磨3，福原　昇3，秦　雅彦3，竹中　充1，高木信一1
  • 16In0.53Ga0.47As表面窒化がLa2O3/ In0.53Ga0.47Asキャパシタの電気特性に及ぼす影東工大フロンティア研1，東工大院総理工2 ○鈴木佑哉1，細井隆司1，Zade Darius1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，西山　彰2，杉井信之2，片岡好則2，筒井一生2，服部健雄1，名取研二1，岩井　洋1
  • 17In0.53Ga0.47As表面の初期酸化過程のAR-XPSによる評価東京都市大1，東工大院総合理工2，東工大フロンティア研究機構3 ○（M1）沼尻侑也1，山下晃司1，小松　新1，Zade Darius3，角嶋邦之2，岩井　洋3，野平博司1
  • 18熱処理によるIn0.53Ga0.47Asショットキーダイオードの特性変化東工大フロンティア研1，東工大院総理工2 ○細井隆司1，鈴木佑哉1，Zade Darius1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，片岡好則2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1

13.3 絶縁膜技術

3月16日　13:30〜17:45　　会場：A4

16p-A4 - 1〜16

  • 1金属電極がPr酸化膜/Ge構造の化学結合状態に与える影響名大院工1，学振特別研究員2 ○加藤公彦1,2，坂下満男1，竹内和歌奈1，中塚　理1，財満鎭明1
  • 2励起水蒸気を用いた室温ALDにより作製したGe MOSキャパシタの評価山形大院理工 ○出貝　求，籾山克明，鹿又健作，久保田繁，廣瀬文彦
  • 3低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化(NBO)を用いた高品質GeO2膜の電気特性評価東北大1，東京大2 ○和田章良1，Rui Zhang2，高木信一2，寒川誠二1
  • 41.0 nm EOTを有するhigh-k/Ge ゲートスタックの形成九大・総理工1，九大・産学セ2 ○小島秀太1，坂本敬太1，山本圭介1，王　　冬2，中島　寛2
  • 5High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with 〜 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks東大院工 ○（D）張　　睿，田岡紀之，黄　博勤，竹中　充，高木信一
  • 6低温ラジカル酸化によるGe/GeO2 ゲートスタックの形成とその特性東大院工1，JST-CREST2 ○宋　宇振1，張　文峰1,2，西村知紀1,2，長汐晃輔1,2，喜多浩之1,2，鳥海　明1,2
  • 7極薄GeON ゲート絶縁膜を用いたGe MOSFET の作製と電気特性評価阪大 ○箕浦佑也，糟谷篤志，細井卓治，志村考功，渡部平司
  • 8AlN/Ge MISゲートスタックにおける高圧窒素アニールの効果東大院工1，JST-CREST2 ○（D）田畑俊行1,2，李　忠賢1,2，長汐晃輔1,2，喜多浩之1,2，鳥海　明1,2
  •  休憩　15:30〜15:45
  • 9金属/酸化物界面結合予測式を用いたSi-およびGe/high-k界面の予測物材機構 ○吉武道子，柳生進二郎，知京豊裕
  • 10Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構名大院工1，学振特別研究員2 ○柴山茂久1，加藤公彦1,2，坂下満男1，竹内和歌奈1，中塚　理1，財満鎭明1
  • 11Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御名大院工1，学振特別研究員2 ○加藤公彦1,2，坂下満男1，竹内和歌奈1，中塚　理1，財満鎭明1
  • 12Sulfur表面処理によるhigh-k/Ge MIS界面準位の低減阪大基礎工 ○（B）渡部公介，DongHun Lee，金島　岳
  • 13低温熱処理で形成した多結晶Ge薄膜トランジスタに及ぼす界面絶縁膜の効果東大院工1，JST-CREST2 ○株柳翔一1，西村知紀1, 2，長汐晃輔1, 2，鳥海　明1, 2
  • 14UTB-GeOI MOSFETsにおける移動度劣化機構東大院工1，JST-CREST2 ○李　忠賢1,2，西村知紀1,2，田畑俊之1,2，長汐晃輔1,2，喜多浩之1,2，鳥海　明1,2
  • 15Ge Junction-less p-FETの作成と正孔の高移動度東大院工1，JST-CREST2 趙　丹丹1,2，李　忠賢1,2，西村知紀1,2，長汐晃輔1,2，○鳥海　明1,2
  • 16高不純物濃度GermaniumにおけるRamanピークのソフト化の起源東大院工1，JST2 趙　丹丹1,2，李　忠賢1,2，西村知紀1,2，長汐晃輔1,2，○鳥海　明1,2

13.3 絶縁膜技術

3月17日　9:15〜18:45　　会場：A4

17a-A4 - 1〜9

  • 1量子分子動力学法に基づくシリコン酸化膜SiO2のCFXラジカルエッチングプロセスシミュレーション東北大院工1，東北大流体研2 ○（M1）伊藤　寿1，桑原卓哉1，樋口祐次1，尾澤伸樹1，島崎智実1，寒川誠二2，久保百司1
  • 2硝酸酸化ゲート酸化膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタ：液晶ディスプレイとリングオシレータへの応用阪大産研1，CREST-JST2，シャープ3，阪大工院4 ○松本健俊1,2，久保田靖2,3，山田幹浩1,2，辻　博史2,4，谷口研二2,4，寺川澄雄1,2，今井繁規2,3，小林　光1,2
  • 3大気圧VHFプラズマによるシリコン表面パッシベーションプロセスの開発阪大工精密科学専攻1，超精密科学研究センター2 ○三宮佑太1，後藤一磨1，卓　澤騰1，金谷優樹1，山田高寛1，大参宏昌1,2，垣内弘章1，安武　潔1,2
  • 4速度論的考察に基づく良好なSiC/SiO2界面形成東大院工 中坪　俊，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，○鳥海　明
  • 5Kr/O2プラズマ酸化法におけるSiO2膜作成と評価農工大 ○若林雅祥，菊池彬人，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
  •  休憩　10:30〜10:45
  • 6SiO2中、SiO2/Si界面における水素間相互作用とSiO2膜劣化東芝研開セ ○加藤弘一，三谷祐一郎
  • 7MONOS型メモリの書き込み消去ストレスによるSiO2/Si界面準位形成東芝研究開発センター1，S&S社2 ○藤井章輔1，藤塚良太2，関根克行2，安田直樹2，小山正人1
  • 8Al/Al2O3/Al-rich Al-O/SiO2/p-Si構造におけるメモリ特性のアニールによる改善（I）金沢大理工1，金沢大院自然2，NTTマイクロシステム研3 ○尾崎槙哉1，加藤崇史2，中田俊司3，川江　健1，森本章治1
  • 9Al/Al2O3/Al-rich Al-O/SiO2/p-Si構造におけるメモリ特性のアニールによる改善（II）金沢大理工1，金沢大院自然2，NTTマイクロシステム研3 尾崎槙哉1，○加藤崇史2，中田俊司3，川江　健1，森本章治1
  •  昼食　11:45〜13:30

17p-A4 - 1〜20

  • 1Ce酸化物/Si(100)界面におけるCeの価数とCeシリケート東工大フロンティア研1，東工大総理工2，東京都市大3 ○幸田みゆき1，Maimati Mamatrishat1，川那子高暢1，角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，野平博司3，片岡好則2，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 2第一原理DFT+U法によるルチルTiO2の研究日立中研1，物材機構2，東大生研3 ○濱田智之1,3，大野隆央2,3
  • 3HfN絶縁膜のEOT薄膜化に関する検討東工大 ○韓　ヒ成，大見俊一郎
  • 4多結晶HfO2膜におけるリーク電流の温度依存性筑波大数物 ○宮本雄太，蓮沼　隆，山部紀久夫
  • 5HfO2/Si構造における界面層作成手法の検討農工大工 ○飯田恭朗，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
  • 6熱処理で形成されたSilicate膜とLa2O3界面のコンダクタンス法による評価東工大フロンティア研1，東工大総合理工研究科2 ○趙　　洋1，Mamatrishat Mamatri1，角嶋邦之2，Parhat Ahmet1，筒井一生2，西山　彰2，杉井信之2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 7ALD La2O3ゲート絶縁膜の低リーク化：成長温度、PDA、H2プラズマ処理の検討東工大フロンティア研1，東工大総理工2，産総研3 ○鈴木拓也1,3，幸田みゆき1,3，角嶋邦之2，Ahmet Phrhat1，岩井　洋1，安田哲二3
  • 8All in-situプロセスによるTaN/W/La2O3構造を用いたEOT 0.5nm領域のための高耐熱性high-k ゲートスタック技術東工大フロンティア研1，東工大総理工2 ○Parhat Ahmet1，関　拓也1，来山大祐1，金田　翼1，Mamat Mamatrishat1，角嶋邦之2，片岡好則2，西山　彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井　洋1
  • 9High-k絶縁膜中の欠陥成長 - 正孔注入によるHfSiO4中でのVO分散化 -東芝研開セ ○中崎　靖，平野　泉，加藤弘一，三谷祐一郎
  • 10酸素制御cap-PDA法を用いた超薄(〜0.2 nm) EOT higher-k HfO2ゲートスタックの形成MIRAI-産総研ナノエレクトロニクス ○森田行則，右田真司，水林　亘，太田裕之
  •  休憩　16:00〜16:15
  • 11TiN/HfSiO/SiO2ゲートスタック中のHf及びSiのTiN電極中への上方拡散機構の検討阪大院工 ○大嶽祐輝，有村拓晃，力石薫介，北野尚武，細井卓治，志村考功，渡部平司
  • 12TiN電極へのAl添加と減圧表面酸化処理によるpMOS用MIPS/High-kゲートスタックの実効仕事関数制御阪大院工1，キヤノンアネルバ2 ○（M1）力石薫介1，南　卓士2，北野尚武2，清野拓哉2，山口述夫2，中川隆史2，細井卓治1，志村考功1，渡部平司1
  • 13SiO2/high-k/SiO2/Siゲートスタック構造による界面ダイポール効果の打ち消し -カウンターダイポール効果の実証-東大院工 ○日比野真也，西村知紀，長汐晃輔，喜多浩之，鳥海　明
  • 14熱処理雰囲気の違いによる結晶化HfO2薄膜相変態速度への影響東大 ○岩井貴雅，中嶋泰大，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  • 15HfO2のcubic相からmonoclinic相への相変態機構に及ぼす酸素の効果東大院工 ○中嶋泰大，岩井貴雅，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
  • 16InGaAs上ALD-Al2O3膜形成初期過程のair-gap C-V評価島根大1，北大量集セ2 ○吉田俊幸1，橋詰　保2
  • 17硫化アンモニウム溶液で表面処理した InGaAs (100), (111)A, (111)B の MOS 界面特性東大1，産総研2，住友化学3 ○（PC）横山正史1，鈴木麗菜1，田岡紀之1，ウィパコーン ジェバスワン2，前田辰郎2，安田哲二2，市川　磨3，山田　永3，福原　昇3，秦　雅彦3，杉山正和1，中野義昭1，竹中　充1，高木信一1
  • 18Al/HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As MISCAPにおける界面特性とEOTに対するAl2O3膜厚の影響産総研 ○小田　穣，入沢寿史，上牟田雄一，手塚　勉
  • 19InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング東大1，産総研2，住友化学3 ○田岡紀之1，横山正史1，金　相賢1，鈴木麗菜1，飯田　亮1，李　成薫1，星井拓也1，ウィパコーン ジェバスワン2，前田辰郎2，市川　磨3，安田哲二2，福原　昇3，秦　雅彦3，竹中　充1，高木信一1
  • 20InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源東大1，産総研2，住友化学3 ○田岡紀之1，横山正史1，金　相賢1，鈴木麗菜1，飯田　亮1，李　成薫1，星井拓也1，ウィパコーン ジェバスワン2，前田辰郎2，市川　磨3，安田哲二2，福原　昇3，秦　雅彦3，竹中　充1，高木信一1