14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

16p-GP7 - 1〜14

• 1Sb₂S₃-based ETA太陽電池の金属ドープ効果兵県大院工¹，大阪ガス^{2 ○}辻本一喜¹，伊藤省吾¹，西野　仁²，真鍋享平²
• 2極薄Sb₂S₃光吸収層3-D太陽電池の多孔質酸化チタン電極表面処理効果兵庫県立大院¹，大阪ガス^{2 ○}平岡　久¹，伊藤省吾¹，真鍋淳平²，西野　仁²
• 3電界析出法によるセレン太陽電池の作製兵庫県立大工¹，大阪ガス^{2 ○}北川憲幸¹，伊藤省吾¹，真鍋享平²，西野　仁²
• 4電界析出法による3D 構造TiO2/Se太陽電池の作製兵県大工¹，大阪ガス^{2 ○}田中聡一郎¹，伊藤省吾¹，真鍋享平²，西野　仁²
• 53D構造CuInS₂太陽電池おけるTiO₂粒子径の影響兵県大院工¹，神戸製鋼所^{2 ○}漁　俊宏¹，伊藤省吾¹，慈幸範洋²，水野雅夫²
• 6色素太陽電池用メゾポーラスTiO2ナノ粒子の成長と評価静岡大電子研 ^○Archana Jayaram，Navaneethan Mani，小山忠信，早川泰弘
• 7メカノケミカル法より合成した原料を用いたCuInS₂薄膜の作製都城高専¹，津山高専²，宮崎大^{3 ○}杉本寛太¹，徳留勇樹¹，赤木洋二¹，中村重之²，吉野賢二³
• 8ナノ粒子を使用した印刷式CuInS2太陽電池の作製兵県大工 ^○深津　健，伊藤省吾
• 9ZnOバッファー層を使用したスプレー式CuInS2太陽電池の作製兵県大工¹，神戸製鋼所^{2 ○}原野敬久¹，伊藤省吾¹，慈幸範洋²，水野雅夫²
• 10リフトオフ法で作製したスーパーストレート型Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるガラス基板の分光特性の影響立命館大理工¹，立命館大R-GIRO^{2 ○}田村昭洋¹，阿部泰宏²，峯元高志¹，高倉秀行¹
• 11インピーダンス法によるCIGS太陽電池の界面評価東理大総研/理工 ^○廣瀬維子，林　宗厚，Hamidon Nafisah，板垣昌幸，杉山　睦
• 12CdフリーCu₂ZnSnS₄ 3D構造太陽電池の作製長岡技大 ^○（B）早川　光，黒川真登，田中久仁彦，打木久雄
• 13中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(V)東大院工¹，東大先端研²，筑波大^{3 ○}吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³
• 14量子ドット超格子における原子配置乱れの電子状態に与える影響阪大工¹，JST CREST² 高橋浩樹¹，三成英樹^1,2，^○森　伸也^1,2

17a-C1 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  低光吸収係数を考慮したCu(In,Ga)Se₂太陽電池及びそのバンドプロファイルの理論解析東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}平井義晃¹，黒川康良^1,2，山田　明^1,2
• 2Cu(In,Ga)Se₂薄膜中のCu_2-δSe相の形成原因について筑波大数理¹，産総研^{2 ○（M1）}高林悠太郎¹，清水泰介¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 3CIGS薄膜及びセル特性に及ぼすビスマス添加効果青学大 ^○（M1）中木場祐也，八ッ代雄太，三瀬貴寛，中田時夫
• 4クランク型ボールミルを用いたCuInS₂結晶の組成比制御都城高専 ^○赤木洋二，徳留勇樹
• 5S雰囲気中フラッシュ蒸着によるSi(100)上CuInS₂薄膜のエピタキシャル成長静大工 増田悠人，高橋崇宏，^○江間義則
• 6ALD-Zn(O,S)バッファ層を用いた高効率CdフリーCIGS太陽電池青学大理工 ^○熊澤豊和，中島一哉，小林大造，三瀬貴寛，中田時夫
•  休憩　10:30〜10:45
• 7MOCVD-ZnO:B及びスパッタ-ZnO:Al窓層を用いたCIGS太陽電池の特性比較青学大 ^○小林大造，山内浩太郎，成田有希，山上由里子，中田時夫
• 8Deposition of Zn(S,O,OH) Buffer Layer with Purified Thiourea and Multidentate Ligand for Cu(In_1-xGa_x)Se₂ Solar Cells東工大¹，堺化学^{2 ○（M2）}刑　麗萍¹，平田宜寛²，山田　明¹
• 9バッファ層を用いないCu(In,Ga)Se2 太陽電池立命館大 ^○峯元高志，ジュライヒ ジャスミーン
• 10ステンレス箔基板を用いたフレキシブルCIGS太陽電池青学大 ^○小川達也，三瀬貴寛，中田時夫
• 11常圧原子層堆積による酸化亜鉛薄膜の作製阪大太陽エネ研セ 金田拓也，石倉卓郎，^○池田　茂，松村道雄
•  昼食　12:00〜13:00

17p-C1 - 1〜21

• 1第一原理計算によるZnS系バッファー層形成時におけるCuInSe₂へのZnドーピングに関する研究龍谷大理工 ^○（PC）前田　毅，和田隆博
• 2XPSとXAFSを用いたZnO/CdS界面の化学結合状態評価立命館大R-GIRO¹，東京都市大²，立命館大SRセンター³，立命館大理工^{4 ○}阿部泰宏¹，小松　新²，野平博司²，中西康次³，峯元高志⁴，太田俊明³，高倉秀行⁴
• 3CuInSe₂/CuGaSe₂超格子の吸収効率早大高等研¹，早大理工²，早大材研³，JST-CREST^{4 ○}河原塚篤^1,2,3,4，藤田実樹^2,3,4，堀越佳治^2,3,4
• 4時間分解PL装置によるCIGS太陽電池のプロセス評価愛媛大工 ^○太田寛之，岩藤直貴，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 5二波長励起フォトルミネッセンス法によるCu(In,Ga)Se2 薄膜太陽電池の評価筑波大¹，産総研^{2 ○（M1）}アミット グプタ¹，平岡則務¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 6CIGS／Mo 薄膜の光音響スペクトル香川高専¹，愛媛大工^{2 ○}矢木正和¹，川野翔平²，汐崎裕太²，岩藤直貴²，打越将来²，弓達新治²，宮田　晃²，白方　祥²
• 7Cu(InGa)Se₂薄膜に対するAFM光熱分光測定東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工^{3 ○（D）}原　賢二¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2
• 8GaAs基板上にMEE成長したCuGaSe₂の電気的特性早大理工¹，CREST^{2 ○（P）}藤田実樹^1,2，佐藤友博¹，北田　剛¹，堀越佳治^1,2
• 9容量電圧法による新しいキャリアプロファイル評価産総研 ^○反保衆志，山田昭政，柴田　肇，古江重紀，小牧弘典，石塚尚吾，牧田紀久夫，松原浩司，仁木　栄
• 10CIGS太陽電池における光起電力減衰時定数と再結合プロセス東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工^{3 ○（M2）}中島　悠¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2
• 11臨界点解析を用いたCuIn_1-xGa_xSe₂多結晶の光学データベース構築岐阜大¹，ローム²，産総研^{3 ○}箕浦翔太¹，前川拓滋²，仁木　栄³，藤原裕之¹
•  休憩　15:45〜16:00
• 12Inフリー太陽電池材料(Cu_1-xAg_x)₂ZnSnSe₄の合成と評価龍谷大理工 ^○（M1C）田端隆博，前田　毅，和田隆博
• 13発光スペクトルによるCdのCu₂ZnSnS₄への熱拡散の検討長岡技大電気系 ^○田中久仁彦，相澤卓実，上原健太郎，田上皓太，打木久雄
• 14Cu₂ZnSnS₄スパッタ製膜におけるH₂S添加効果阪大院基礎工¹，阪大院工カネカ協働研^{2 ○}小西崇文¹，妹尾佑一¹，岡本博明¹，口山　崇²，辻良太郎²，外山利彦²，山本憲治²
• 15Cu₂ZnSnS₄薄膜における光学吸収端のブルーシフト阪大院基礎工¹，阪大院工カネカ協働研^{2 ○}妹尾佑一¹，小西崇文¹，岡本博明¹，口山　崇²，辻良太郎²，外山利彦²，山本憲治²
• 16擬二元系状態図を用いたCu₂ZnSnS₄単結晶成長宮崎大工¹，三重大工^{2 ○}永岡　章¹，吉野賢二¹，三宅秀人²
• 17塗布型Cu₂ZnSn(S,Se)₄太陽電池の作製東工大¹，凸版印刷^{2 ○}張　毅聞^1,2，吉原知宏¹，殷　　明²，鈴木克宏²，山田　明¹
• 18硫黄・セレン同時反応法によるCu₂ZnSn(S_xSe_1-x)₄混晶薄膜の作製長野高専¹，信州大工^{2 ○}百瀬成空¹，Than Htay Myo²，櫻井一輝²，岩野翔太²，橋本佳男²，伊東謙太郎²
• 19金属積層プリカーサの硫化法を用いたCu₂ZnSnS₄薄膜の昇温速度による影響信州大工¹，アスリートFA²，長野高専^{3 ○}Than Htay Myo¹，磯村　翼¹，中村義博^1,2，百瀬成空³，橋本佳男¹，伊東謙太郎¹
• 20化合物プリカーサのセレン化によるCu₂ZnSnSe₄薄膜の作製和歌山高専¹，和歌山県工技セ^{2 ○}山口利幸¹，大浦慎右¹，新山茂利²，今西敏人²
• 21同時蒸着法によるCu₂ZnSnSe₄太陽電池産総研 ^○反保衆志，牧田紀久夫，小牧弘典，山田昭政，古江重紀，石塚尚吾，柴田　肇，松原浩司，仁木　栄

18a-C1 - 1〜10

• 1フラックス法により作製したZnSnP₂バルク多結晶の物性評価京大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}野瀬嘉太郎^1,2，宇田哲也¹
• 2リン化法によるZnSnP₂薄膜の作製京大工¹，JSTさきがけ²，名大工^{3 ○}野瀬嘉太郎^1,2，中塚　滋¹，豊浦和明³，宇田哲也¹
• 3真空蒸着法によるSnS薄膜の作製と太陽電池への応用立命館大理工 ^○河野　悠，峯元高志，高倉秀行
• 4硫化法を用いたSnS薄膜の成長過程の解明東理大総研/理工 ^○平松　昂，新井貴大，平野卓三，清水　翼，杉山　睦
•  休憩　10:00〜10:15
• 5補償ドーピングによるInGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池のキャリア回収効率向上東大工¹，東大先端研^{2 ○}藤井宏昌¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭²
• 6InPナノワイヤアレイ太陽電池の表面パッシベーション北大院情報科学¹，北大量集センター²，JSTさきがけ^{3 ○}吉村正利^1,2，中井栄治^1,2，冨岡克広^1,2,3，福井孝志^1,2
• 7高集光発電用マイクロ集積直列接続GaAs太陽電池の試作東大工¹，東大先端研^{2 ○}瀬能未奈都¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭²
• 8高効率（19.4%）InAs/GaAs量子ドット太陽電池東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}田辺克明¹，デュニ ギマール^1,2，ダミアン ボーデル¹，森原　遼¹，西岡政雄^1,2，荒川泰彦^1,2
• 9フレキシブル薄膜InAs/GaAs量子ドット太陽電池東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}田辺克明¹，渡邉克之¹，荒川泰彦^1,2
• 10面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池応用（３）電通大先進理工 ^○江口陽亮，山口浩一，藤田浩輝，塩川美雪
•  昼食　11:45〜13:00

18p-C1 - 1〜6

• 1中間バンド型量子ドット太陽電池における2段階光吸収過程東大先端研¹，筑波大数理物質^{2 ○（D）}庄司　靖^1,2，秋本克洋²，岡田至崇¹
• 2デバイスシミュレーションを用いた多準位中間バンド太陽電池の理論解析東大ナノ量子機構¹，シャープ^{2 ○}野澤朋宏^1,2，荒川泰彦¹
• 3中間バンド型太陽電池における超格子構造の周期性がミニバンドに及ぼす影響名大院工¹，名大エコトピア²，分子研UVSOR³，トヨタ自動車^{4 ○}志村大樹¹，橋本和弥¹，桑原真人²，松波雅治³，伊藤孝寛¹，木村真一³，酒井武信⁴，原田俊太¹，竹田美和¹，宇治原徹¹
• 4InGaAs/GaAsP多重量子井戸太陽電池における歪み蓄積量とセル特性の相関東大先端研¹，東大院工^{2 ○}ハッサネット ソダーバンル¹，馬　少駿²，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭^1,2
• 5InGaN/GaN MQW構造におけるキャリア寿命特性のペア数依存性NTT PH研¹，大阪市大工^{2 ○}渡邉則之¹，満原　学¹，横山春喜¹，重川直輝²
• 6InGaAs/GaAsP歪み補償超格子太陽電池における開放電圧の集光依存性東大先端研¹，東大院工^{2 ○}渡辺健太郎¹，王　云鵬¹，ハッサネット ソダーバンル¹，馬　少駿²，杉山正和¹，中野義昭^1,2