9. 応用物性

16p-B3 - 9〜20

•  1〜8　13:30 〜15:30（9.3 ナノエレクトロニクス）
•  休憩　15:30～15:45
• 9High-k材料を用いたInZnO薄膜トランジスタの電気特性におけるゲート電極材料の影響奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業²，鶴岡工専^{3 ○}呂　　莉¹，三浦祐太¹，西田貴司^1,2，越前正洋¹，石河泰明^1,2，内山　潔³，浦岡行治^1,2
• 10Ba₂NaNb_5xTa_5(1-x)O₁₅誘電薄膜の構造と配向性兵庫県立工業技術センター¹，科学技術振興機構²，兵庫県立大^{3 ○}福住正文¹，才木常正¹，樋口行平²，前中一介³，吉岡秀樹¹
• 11LaAlO₃における1.6 eV発光の原因早大先進理工 ^○堀井陽介，山坂大樹，中原和也，大木義路
• 12LaAlO₃中の遷移金属不純物に与える熱処理の影響早大先進理工 ^○（M1）山坂大樹，大木義路
• 132重回転位相子型偏光計を用いたPLZTの全偏光特性計測徳島大¹，宇都宮大^{2 ○}銀屋　真¹，水谷康弘¹，岩田哲郎¹，大谷幸利²
• 14Pb(Zr,Ti)O₃セラミックスとその他材料からのエナジーハーベスト湘南工大工 ^○眞岩宏司，山崎英護
•  休憩　17:15〜17:30
• 15ZrO₂基セラミックスにおける準ミリ波吸収挙動の解析岡山大 ^○寺西貴志，秋山直毅，綾野敬子，林　秀考，岸本　昭
• 16(Ba_1-xCa_x)(Zr_0.1Ti_0.9)O₃固溶体の圧電性静岡大¹，東工大^{2 ○}符　徳勝¹，鎌井勇人¹，坂元尚紀¹，脇谷尚樹¹，鈴木久男¹，伊藤　満²
• 17鉛系圧電セラミックスにおける歪み発現機構と非鉛系の課題東大先端研 ^○野口祐二，北中佑樹，宮山　勝
• 18電気光学効果における光弾性定数の寄与東工大院理工 ^○武田浩太郎，保科拓也，武田博明，鶴見敬章
• 19室温マルチフェロイック材料BiFeO₃の結晶育成と物性産総研¹，高エ研^{2 ○}牛山智晴¹，伊藤利充¹，柳澤勇治¹，富岡泰秀¹，熊井玲児^1,2
• 20高品質Bi₄Ti₃O₁₂強誘電体単結晶におけるドメインエンジニアリング東大先端研 ^○（P）北中佑樹，野口祐二，宮山　勝

16p-GP3 - 1〜4

• 1中性子・放射光X線回折を用いた(Pb,Nd)(Zr,Ti,Nb)O₃系強誘電体の結晶構造と強誘電特性の関係東理大理工 ^○高　勇人，北村尚斗，井手本康
• 2(Bi,Na)TiO₃-NaNbO₃-NaTaO₃系圧電・強誘電体の結晶・電子構造における分極処理の影響東京理科大 ^○藤代直樹，北村尚斗，井手本康
• 3出発原料にKHCO₃を用いた(Bi_1/2K_1/2)TiO₃の作製と電気的諸特性東京理科大 ^○田渕量也，井上雄太，永田　肇，竹中　正
• 4Ni添加KTaO₃結晶における巨大誘電応答(II)島根大教育 ^○塚田真也，秋重幸邦