
10. スピントロニクス・マグネティクス
16a-B11 - 1〜8
- 1Ni(111)およびCu(111)薄膜上のグラフェン成長と伝導特性原子力機構 ○圓谷志郎,松本吉弘,大伴真名歩,パベル アブラモフ,楢本 洋,境 誠司
- 2単層グラフェン/強磁性金属界面の電子・スピン状態原子力機構先端基礎セ1,高エネ研物構研2 ○松本吉弘1,圓谷志郎1,大伴真名歩1,パベル アブラモフ1,楢本 洋1,雨宮健太2,境 誠司1
- 3六方晶窒化ホウ素/強磁性金属薄膜のX線磁気円二色性分光原子力機構先端基礎セ1,高エネ研物構研2 ○(P)大伴真名歩1,松本吉弘1,パベル アブラモフ1,圓谷志郎1,楢本 洋1,雨宮健太2,境 誠司1
- 4ダイヤモンド中の単一NV中心における4量子ビット化と量子もつれ生成阪大院基礎工1,産総研2,さきがけ3 ○下岡孝明1,加藤宙光2,山崎 聡2,三輪真嗣1,鈴木義茂1,水落憲和1,3
- 休憩 10:30〜10:45
- 5SiC単結晶および微粒子における光検出磁気共鳴阪大院基礎工1,Stuttgart大2,さきがけ3 ○土井悠生1,三輪真嗣1,Jörg Wrachtrup2,鈴木義茂1,水落憲和1,3
- 6有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果大阪府大院工 ○(M2)高田浩史,奥山祥孝,宮田祐輔,吉村 武,藤村紀文
- 7Highest spin状態におけるスピンクラスター形成東工大総理工 ○(DC)劉 カン,伊藤治彦
- 8Si二重量子ドナーバウンドスピンの電荷平衡状態図における位置ずれの影響阪大院情 ○坂口翔太,中前幸治
- 昼食 11:45〜12:45
16p-B11 - 1〜22
- 1縮退および非縮退p型Geにおけるスピン蓄積産総研ナノスピン1,筑波大2 ○揖場 聡1,齋藤秀和1,Spiesser Aurelie1,渡辺 克1,2,Jansen Ron1,湯浅新治1,安藤功兒1
- 2Geへの光スピン注入の温度依存性東大院総合 ○安武裕輔,林 周平,高野雅也,深津 晋
- 3Study of Fe/Silicon Junction Heterostructure Device for Spin Transport北大量集センター ○李 正業,崔 志欣,石倉丈継,鄒 柳民,平木隆浩,小西敬太,陽 完治
- 4EuO薄膜における円偏光による超高速光磁気スイッチング理研基幹研1,東大工2,東北大金研3,南開大物理4,東大総合5,東大理6,科技機構さきがけ7,東北大WPI材料機構8,科技機構戦略9 ○牧野哲征1,劉 富才2,4,山崎高志3,上野和紀5,7,塚崎 敦2,7,福村知昭6,7,孔 勇発4,川崎雅司1,2,8,9
- 5Ge基板上高SiドープGaInPのスピン緩和(10-300K)早大理工1,SINANO-CAS2 ○石塚俊裕1,牛見健則1,中田大海1,Shulong Lu2,Jianrong Dong2,竹内 淳1
- 6InGaAs2次元電子ガスにおける面内磁場を用いたRashba及びDresselhausスピン軌道相互作用の電気的評価東北大工1,JST-さきがけ2 ○(M1)野中 駿1,佐々木敦也1,国橋要司1,好田 誠1,2,新田淳作1
- 7歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における四重極分裂の磁場依存性東北大通研 ○石原 淳,小野真証,佐藤源輝,松坂俊一郎,大野裕三,大野英男
- 8歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における核スピン共鳴線幅の磁場依存性東北大通研 小野真証,石原 淳,佐藤源輝,松坂俊一郎,○大野裕三,大野英男
- 9ZnMnSe量子井戸からGaAs量子井戸への電子スピン注入北大院情報科学1,Ioffe Inst.2 ○(M1)久野祐希1,佐々木義1,木場隆之1,Alexey Toropov2,Sergey Ivanov2,村山明宏1
- 10InGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極の起源東北大工1,JSTさきがけ2,東邦大理3 ○好田 誠1,2,大江純一郎3,新田淳作1
- 11InGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極の理論的考察東北大工1,JSTさきがけ2 ○峰野太喜1,好田 誠1,2,新田淳作1
- 休憩 15:30〜15:45
- 12InGaAs細線におけるひずみ誘起Dresselhausスピン軌道相互作用の電気的測定東北大工1,JSTさきがけ2 ○佐々木敦也1,野中 駿1,国橋要司1,好田 誠1,2,新田淳作1
- 13狭いInGaAs 量子井戸におけるPersistent Spin Helix 状態の電気的生成東北大工1,JST-さきがけ2,レーゲンスブルク大3 ○(D)国橋要司1,好田 誠1,2,V. Lechner3,C. Schonhuber3,I. Caspers3,P. Olbrich3,S.D. Ganichev3,新田淳作1
- 14表面弾性波のつくる導波路型ダイナミックドットを用いたスピン輸送NTT物性基礎研1,東北大工2,ポールドルーデ研3 ○眞田治樹1,後藤秀樹1,小野満恒二1,好田 誠2,新田淳作2,Paulo V. Santos3,寒川哲臣1
- 15半導体メゾスコピックリング配列におけるスピン幾何学的位相の径依存性東北大院工1,JSTさきがけ2 ○長澤郁弥1,高木 淳1,国橋要司1,好田 誠1,2,新田淳作1
- 16エッチ深さによる(Ga,Mn)As磁気異方性の制御東大物性研 橋本義昭,家 泰弘,○勝本信吾
- 17Thickness dependence of magnetic linear dichroism in ferromagnetic (Ga,Mn)As epitaxial layersImaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Insititute of Technology1,Dept. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Insititute of Technology2 ○Bassam Qadi1,Nozomi Nishizawa1,Kazuhiro Nishibayashi1,Masahiko Kaneko2,Hiro Munekata1
- 18外部ひずみを印加した(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起差才差運動東工大像情報 ○内山麻美,松田 喬,西林一彦,宗片比呂夫
- 19GaMnAsにおけるスピンゼーベック効果の観測東工大物 ○竹内佑太,加来 滋,吉野淳二
- 20Mn リッチナノカラム構造を有する Ge1-x Mnx 薄膜における光照射効果東大工 ○岡崎亮平,秋山了太,伴 芳祐
- 21電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける強磁性ドメイン構造東大工 ○Namhai Pham,デゥック アイン レ,Mohan Shyam,為ヶ井強,田中雅明
- 22MOCVD成長MgドープGaMnNの磁気特性NTT物性研1,長岡技大2 ○大前洸斗1,2,熊倉一英1,賢治 クロッケンバーガー1,山本秀樹1
17a-DP3 - 1〜9
- 1Polyimide-Co グラニュラ薄膜の熱処理による磁気抵抗効果への影響筑波大院数理電物 ○(DC)鈴木和也,渋谷悠真,柳原英人,喜多英治
- 2高ドープSi界面におけるスピン蓄積の電気的検出東北大院工 ○(M2)吉岡慎司,大兼幹彦,永沼 博,安藤康夫
- 3高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の成長形態に及ぼす影響大府大院工 ○奥山祥孝,高田浩史,藤村紀文
- 4Si:Ce薄膜の磁気・輸送特性大阪府立大 ○(B)宮田祐輔,高田浩史,奥山祥孝,藤村紀文
- 5ダイヤモンド中の単一NV中心を用いた量子もつれ測定の実験研究阪大基礎工1,JSTさきがけ2,産総研エネルギー部門3,シュトゥットガルト大物理4,仙台高専5,東北大通研6 ○森 周太1,加藤宙光3,山崎 聡3,Jörg Wrachtrup4,力武克彰5,三輪真嗣1,鈴木義茂1,小坂英男6,水落憲和1,2
- 6共鳴トンネル分光法を用いたIII-V族強磁性半導体GaMnAsにおける価電子帯構造解析:Mn濃度依存性東大工1,東大院工2 ○寺田 博1,宗田伊理也2,大矢 忍2,田中雅明2
- 7電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける異方性磁気抵抗効果と磁気異方性東大工 ○佐々木大輔,ナムハイ ファム,デュックアイン レ,田中雅明
- 8希薄磁性半導体(Zn,Cr)TeにおけるCr凝集領域の形成と磁化特性筑波大院数理物質1,物材機構2 ○小林広明1,西尾陽太郎1,金澤 研1,黒田眞司1,三留正則2,板東義雄2
- 9希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teの磁気光学特性筑波大院数理物質 ○松本直也,加藤達典,金澤 研,黒田眞司