9. 応用物性

15a-B3 - 1〜11

• 1Ni量子ポイントコンタクトにおけるエレクトロマイグレーション進行メカニズムの検討農工大院工 ^○北川　潤，須田隆太郎，白樫淳一
• 2ナノギャップから量子ポイントコンタクトへの構造遷移過程の検討農工大院工 ^○須田隆太郎，北川　潤，八木麻実子，白樫淳一
• 3エレクトロマイグレーションを利用した交互通電手法によるナノギャップ狭窄過程の観察農工大学院工 ^○八木麻実子，秋元俊介，伊藤光樹，白樫淳一
• 4エレクトロマイグレーションを利用した交互通電手法による直列型ナノギャップの一括狭窄化制御農工大院工 ^○伊藤光樹，秋元俊介，八木麻実子，白樫淳一
• 5エレクトロマイグレーションでのナノギャップ狭窄過程におけるナノギャップ抵抗の変化を利用した通電制御法の検討東京農工大院工 ^○安藤昌澄，秋元俊介，須田隆太郎，八木麻実子，白樫淳一
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ナノギャップにおけるエレクトロマイグレーションの進行に伴う単電子トランジスタ特性の検討東京農工大院工 ^○秋元俊介，伊藤光樹，八木麻実子，白樫淳一
• 7エレクトロマイグレーションによるAu細線内微細構造変化のTEMその場観察北大院情報 ^○（M2）村上暢介，有田正志，浜田弘一，高橋庸夫
• 8AFM局所酸化法による金属ナノギャップ電極の作製とその断面TEM観察東大生研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST³，東大先端研^{4 ○}池永恵梨子¹，守谷　頼¹，柴田憲治¹，平川一彦^1,2,3，石田悟己⁴，荒川泰彦^1,2，町田友樹^1,2,3
• 9強磁性電極を用いた単分子接合の磁気抵抗特性阪大院基礎工 ^○（M2）野口元輝，山田　亮，夛田博一
• 10有機平面分子によるグラフェンナノリボン電子状態制御阪大理 ^○田中啓文，有馬　良，田中大輔，小川琢治
• 11Al₂O₃を用いたin-plane gateデバイスの特性早大理工¹，NTT BRL^{2 ○}佐波謙一¹，小松崎優治¹，小野満恒二²，原田裕一²，堀越佳治¹

16a-B3 - 1〜11

• 1シリコン酸化膜中に形成された強磁性ナノ導通経路における巨大磁気抵抗スイッチング現象関西大 ^○加藤貴士，下村耕平，岩倉利尚，清水智弘，新宮原正三
• 2固相エピタキシャル法を利用したCeO₂ナノ粒子上へのアナターゼTiO₂の選択的結晶成長東北大WPI-AIMR¹，東北大工²，日本電子^{3 ○}北條大介¹，冨樫貴成¹，大澤健男¹，宮崎孝道²，作田祐介³，朝比奈俊輔³，一杉太郎¹，阿尻雅文¹
• 3FETナノポアによるDNAの通過解析とその制御青学大理工 ^○守屋裕樹，安藤元気，塚平健太，三井敏之
• 4AlGaAs/GaAsゲート制御型量子ドットの研究東大¹，国立情報学研究所²，ヴュルツブルグ大³，スタンフォード大^{4 ○}松川智哉^1,2，堀切智之^1,2，Christian Schneider³，Na Young Kim⁴，Sven Höfling³，Alfred Forchel³，山本喜久^1,2,4
• 5ボトムアップ単電子トランジスタにおける金ナノ粒子の量子化準位の観察東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研⁴，ケンブリッジ大^{5 ○}加納伸也^1,2，前田幸祐^1,2，武下宗平^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,3，寺西利治^2,3,4，Luke Smith⁵，Charles Smith⁵，真島　豊^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 6二重ドットボトムアップ単電子トランジスタの電気伝導東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研^{4 ○}岡林則夫^1,2，前田幸祐^1,2，村木太郎^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,3，寺西利治^2,3,4，真島　豊^1,2
• 7ボトムアップ単電子トランジスタによる相補型インバータ東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，京大化研^{4 ○}前田幸祐^1,2，岡林則夫^1,2，加納伸也^1,2，武下宗平^1,2，田中大介^2,3，坂本雅典^2,3，寺西利治^2,3,4，真島　豊^1,2
• 8Stable Chemically Assembled Single-Electron Transistors with Silicon Nitride Passivation Layer and Au Top Gate ElectrodeTokyo Tech.¹，CREST-JST²，Univ. of Tsukuba³，Kyoto Univ.⁴，Osaka Univ.^{5 ○}Guillaume Hackenberger^1,2，Yasuo Azuma^1,2，Shinya Kano^1,2，Kosuke Maeda^1,2，Daisuke Tanaka^2,3，Masanori Sakamoto^2,3，Toshiharu Teranishi^2,3,4，Yasuhide Ohno^2,5，Kenzo Maehashi^2,5，Kazuhiko Matsumoto^2,5，Yutaka Majima^1,2
• 9窒化Si絶縁ゲートエッチングGaAsナノワイヤFETの低周波雑音特性の解析北大院情報科学、量集センター ^○村松　徹，三浦健輔，谷田部然治，葛西誠也
• 10電子ブラウンラチェットに向けた非対称ゲートナノワイヤ素子の試作と評価北大院情報科学・量子集積センター ^○田中貴之，中野雄紀，村松　徹，葛西誠也
• 11GaAsナノワイヤCCDの電荷転送効率の評価北大 ^○中野雄紀，田中貴之，葛西誠也
•  昼食　12:00〜13:30

16p-B3 - 1〜8

• 1ドナーを用いた単電子ポンプNTT物性研 ^○（PC）ガブリエル ランスバーゲン，小野行徳，藤原　聡
• 2シリコン・ナノワイヤ・トランジスタ確率共鳴素子による高速センサNTT物性研 ^○西口克彦，藤原　聡
• 3遅延ネットワーク系確率共鳴による微弱信号検出性能の改善豊田中研¹，北大^{2 ○}田所幸浩¹，葛西誠也²，一木輝久¹
• 4GaAs ナノワイヤ FET 経路長変調ネットワークにおける確率共鳴北大情報科学・量集セ¹，豊田中研^{2 ○}葛西誠也¹，田所幸浩²，田中貴之¹，今井裕理¹，一木輝久²
• 5巨大単電子ネットワークにおける確率共鳴横国大 ^○（B）藤野啓基，大矢剛嗣
• 6デバイスエラー補完二次元単電子振動子システム横国大工 ^○（B）村上可諭，大矢剛嗣
• 7再構築可能な単電子ドミノ論理デバイス横国大 ^○栗山栄太郎，大矢剛嗣
• 8単電子回路によるCollision based computing横国大院 ^○林　俊介，大矢剛嗣
•  休憩　15:30～15:45
•  9〜20　15:45〜19:00（9.1 誘電材料・誘電体）

16p-DP3 - 1〜13

• 1単電子ポンプ冷却デバイスにおける熱輸送特性静大電研¹，学振特別研究員DC^{2 ○}池田浩也¹，三輪一聡¹，サレ ファイズ^1,2
• 2反強磁性結合を有するCoPt積層構造体の磁気光学特性秋田産技センター¹，秋田大^{2 ○}山根治起¹，高橋信吾²，長谷川崇²，石尾俊二²
• 3第一原理計算による多端子単一分子デバイスの研究富士フイルム¹，北陸先端大^{2 ○}奥野幸洋¹，尾崎泰助²
• 4蒸着時エレクトロマイグレーション法によるナノ電極の特性評価産総研ナノシステム¹，東工大理工^{2 ○}内藤泰久¹，松下龍二²，堀川昌代¹，木口　学²
• 5酸化亜鉛ナノ構造成長対する基板の影響高知工科大 ^○李　朝陽，王　大鵬，川原村敏幸，李　澤明，古田　守
• 6多重トンネル接合導入による熱雑音駆動単電子多数決論理回路の動作限界温度向上横国大院工 ^○（M2）伊藤武範，大矢剛嗣
• 7グラフェン３分岐ナノ接合デバイスとインバータ回路応用の検討北大情報科学・量集センター¹，マレーシア工科大^{2 ○（M1）}殷　　翔¹，ファズリ シャハリン^1,2，葛西誠也¹
• 8リアルタイム１分子蛍光イメージング法を用いたナノ孔内部でのタンパク質間相互作用の解析早大理工¹，東大^{2 ○（M1）}劉　暁宇¹，日向野駿¹，浅野裕次¹，井上あゆ¹，上野太郎²，船津高志²，谷井孝至¹
• 9単電子粘菌デバイスによる経路探索手法の提案横国大院工 ^○新出由弥，大矢剛嗣
• 10原子スイッチの有機物を用いた高機能化:非接触電極型原子スイッチ構造によるゲート制御架橋阪大理¹，阪大院理^{2 ○}赤井智喜¹，田中啓文²，田中大輔²，小川琢治²
• 11Ni-C₆₀-Ni 接合を有した単一電子トランジスタにおける磁気抵抗効果東大生研・ナノ量子機構¹，CREST-JST^{2 ○}吉田健治¹，梅野顕憲¹，坂田修一¹，平川一彦^1,2
• 12原子間力顕微鏡を用いた単接合型ナノギャップ電極における抵抗スイッチング現象のその場観察京大院工¹，京大SACI²，産総研^{3 ○}石田大貴¹，小林　圭²，松重和美¹，清水哲夫³，内藤泰久³，山田啓文¹
• 13MOD法を用いて作製したエピタキシャル強誘電体薄膜の評価龍谷大理工 ^○梶村恵子，山本伸一