合同セッション

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月15日　会場：GP2
ポスターセッション
ポスター掲示時間13:00〜15:00

15p-GP2 - 1〜28

  • 1イオン注入法とレーザーアニールによるZnOナノロッド上でのpn接合の形成九大シス情報1，九大シス情報科学研究院2 ○（M1）下垣哲也1，久保佳津輝1，岡崎功太1，東畠三洋2，中村大輔2，浅野種正2，岡田龍雄2
  • 2塩化亜鉛を原料に用いた溶液成長法による酸化亜鉛ナノロッドの作製と形状制御愛媛大理工1，愛媛大工2，香川高専3 ○寺迫智昭1，村上聡宏2，谷崎晃史2，宮田　晃2，矢木正和3，白方　祥1
  • 3大気圧CVD法により成長したSnO2ナノワイヤーの形成位置制御性と光学特性愛媛大工1，愛媛大理工2，香川高専3 ○倉重利規1，寺迫智昭2，中田裕華里3，矢木正和3，宮田　晃1，白方　祥2
  • 4電気化学堆積法によるZnO薄膜の作成木更津高専 ○鈴木　聡，友光貴嗣，小鮒周平
  • 5電着法を用いたn型GaN基板上への酸化亜鉛の厚膜作製における問題点和大システム工 田内康大，○宇野和行，田中一郎
  • 6単結晶酸化亜鉛への8MeVプロトンビーム照射と熱処理効果阪工大ナノ材研センタ1，阪大産研2，若狭湾エネ研センタ3 ○藤本龍吾1，和田涼太1，小池一歩1，佐々誠彦1，矢野満明1，權田俊一2，石神龍哉3，久米　恭3
  • 7Synthesis of Al-N Codoped ZnO Nano-Flowers Synthesized Using Nanoparticle Assisted Pulsed Laser Deposition (NAPLD)九大シス情1，IIT, Indore2 I.A. Palani2，下垣哲也1，岡崎功太1，○中村大輔1，東畠三洋1，岡田龍雄1
  • 8極性・非極性バルクZnO表面におけるCLスペクトルの比較東京高専1，工学院大2，金沢工大3 ○尾沼猛儀1,2，大林　亨2，山口智広2，山口敦史3，本田　徹2
  • 9基板高速回転型MOCVDによる高Mg濃度ZnMgO薄膜の成長島大総理1，島大プロジェクト研究推進機構2，島大医3 ○（M1）平儀野雄斗1，古林　寛2，出口友季3，藤田恭久1
  • 10プラズマALD法によるZnO薄膜トランジスタの作製および信頼性評価奈良先端大1，CREST2 ○（D）川村悠実1，谷　真衣1，堀田昌宏1,2，石河泰明1,2，浦岡行治1,2
  • 11ZnO TFTのドレイン電流DLTS測定山梨大 ○森　雄大，久保田優人，佐野志保，堀井貴大，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
  • 12スパッタZnO系薄膜トランジスタ(ZnO-TFT)のその場計測埼玉大理工 ○渡邊郁弥，森田　彩，柿沼貴之，白井　肇
  • 13エキシマレーザーアニールによるIZO TFTの特性改善奈良先端大1，デルフト工科大2，出光興産3，JST-CREST4 ○藤井茉美1，石原良一2，Tao Chen2，Johan van der Cingel2，Mohammad R.T. Mofrad2，笠見雅司3，矢野公規3，堀田昌宏1,4，石河泰明1,4，浦岡行治1,4
  • 14高圧水蒸気熱処理によるa-IGZO TFT特性改善効果奈良先端大1，JST-CREST2 ○藤井茉美1，上岡義弘1，山崎はるか1，堀田昌宏1,2，石河泰明1,2，浦岡行治1,2
  • 15オールドライプロセスによるアモルファスIGZO-TFTの試作産総研ナノエレ ○清水貴思
  • 16回転マグネットスパッタを用いたa-IGZO薄膜堆積東京エレクトロン1，東北大2 ○廣江昭彦1,2，後藤哲也2，須川成利2，大見忠弘2
  • 17PLD法によるZnO薄膜成長における単結晶ターゲットの効果物材機構1，東京電波2 ○長田貴弘1，杉村茂昭2，知京豊裕1
  • 18Ar-N2雰囲気でスパッタ成膜したNb添加TiO2膜の特性島根大理工 ○大西庸介，門脇一葉，原　悠也，舩木修平，山田容士，久保衆伍
  • 19MCuQF(M=Ba,Sr;Q=Se,S)の諸物性の第一原理計算龍谷大 ○榊間　博，中村哲士，前田　毅，和田隆博
  • 20ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法によるGa添加酸化亜鉛薄膜の低抵抗化宮崎大工1，東ソーファインケム2 神谷なお美1，小嶋　稔1，○吉野賢二1，竹元裕仁2，豊田浩司2，稲葉孝一郎2，羽賀健一2，徳留功一2
  • 21亜鉛、酸素を含有する新規な原料を用いた不純物添加ZnO薄膜の低温作製東ソーファインケム1，宮崎大工2 竹元裕仁1，稲葉孝一郎1，豊田浩司1，羽賀健一1，徳留功一1，新宮政人2，神谷なおみ2，小嶋　稔2，○（D）吉野賢二2
  • 22PAD法による大面積基板上ZnO薄膜の特性山梨大院医工1，中家製作所2 ○宮下祐司1，高所健太1，水口慶一1，佐野志保1，堀井貴大1，村中　司1，鍋谷暢一1，松本　俊1，平木　哲2，宮沢節也2，深沢明広2，阪本慎吾2
  • 23ZnO透明導電膜の光学的評価山梨大医工1，中家製作所2 ○佐野志保1，堀井貴大1，小柳津祥典1，村中　司1，鍋谷暢一1，松本　俊1，平木　哲2，宮沢節也2，深沢明広2，阪本慎吾2
  • 24ICP合成によるZnO透明導電膜の近赤外光吸収係数茨城大院理工 ○佐藤直幸，柳澤真也，岸田智和，池畑　隆
  • 25分子プレカーサー法によるZnO系透明電極製作におけるオゾン洗浄の効果工学院大 ○安野泰平，小田拓人，佐藤光史，原　広樹，本田　徹
  • 26スパッタGZO及びAZO透明導電膜の表面テクスチャ構造形成及び得られる光散乱特性金沢工大OEDS R&Dセンター ○平野友康，野本淳一，藤田　強，宮田俊弘，南　内嗣
  • 27室温にてRF-DC結合形スパッタ法により作製されたAZO薄膜の検討新潟大 ○（M1）名越克仁，樫出　淳，富口祐輔，清水英彦，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎，坪井　望，野本隆宏
  • 28Potential Barrier理論を用いたSnO2薄膜の伝導機構の解明宮崎大 ○小嶋　稔，吉野賢二

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月16日　9:30〜19:00　　会場：E4

16a-E4 - 1〜9

  • 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
    コランダム型構造酸化物の作製と磁気特性    京大院工1，京大工2 ○金子健太郎1，伊藤大師1，赤岩和明1，鈴木規央2，藤田静雄1
  • 2Snドープしたコランダム型構造酸化ガリウムの電気特性評価京大院工1，京大工2 ○赤岩和明1，鈴木規央2，伊藤大師1，金子健太郎1，藤田静雄1
  • 3Ga2O3の結晶多形とヘテロエピ構造：β-Ga2O3/(0001)α-Al2O3東工大院工1，JST-ALCA2 ○向井　章1，中園敦巳1，大島孝仁1，大友　明1,2
  • 4c面サファイア基板上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶方位石巻専修大理工 ○中込真二，國分義弘
  • 5パワーデバイス応用のためのβ-Ga2O3のホモエピ成長タムラ製作所1，光波2，物材機構3 ○佐々木公平1，倉又朗人1，増井建和2，ガルシア ビジョラ3，島村清史3，山腰茂伸1
  •  休憩　11:00〜11:15
  • 6単結晶酸化ガリウムMESFET情通機構1，JSTさきがけ2，タムラ製作所3，光波4 ○東脇正高1,2，佐々木公平3，倉又朗人3，増井建和4，山腰茂伸3
  • 7超音波噴霧ミストCVD法によるcorundum型構造酸化物混晶薄膜の成長京大院工1，京大工2 ○伊藤大師1，鈴木規央2，金子健太郎1，藤田静雄1
  • 8低温酸化法により作製したCu2O薄膜の熱処理によるCuO相の除去信州大工 ○（M1C）吉澤　竜，Than Htay Myo，橋本佳男，伊東謙太郎
  • 9Indium系酸化物膜の磁気抵抗と局在・反局在効果九大院理1，情通機構2，出光先進研3 ○日高和也1，江崎翔平1，牧瀬圭正2，山田和正1，浅野貴行1，篠崎文重1，苫井重和3，矢野公規3，中村浩昭3
  •  昼食　12:00〜13:30

16p-E4 - 1〜19

  • 1粉末ターゲットからスパッタ作製したN-GaドープZnO薄膜の特性群馬大工1，群馬大院工2 南雲裕司2，○（B）石田拓也1，宮崎卓幸2，安達定雄2
  • 2水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー東北大多元研 ○張　成燻，羽豆耕治，秩父重英
  • 3スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(VI)東京電機大 ○濱田夕慎，重野宏豊，田沼秀隆，吉田圭佑，落久保隆，篠田宏之，六倉信喜
  • 4スパッタ成長したGaドープZnO単結晶層のアニーリング効果東京電機大 ○重野宏豊，田沼秀隆，濱田夕慎，吉田圭佑，落久保隆，篠田宏之，六倉信喜
  • 5光化学気相堆積法を用いたZnO の室温成長東大工 中西康輔，○北村　心，八井　崇，大津元一
  •  休憩　14:45〜15:00
  • 6触媒反応生成H2Oを用いて堆積したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層による効果長岡技科大工 里本宗一，○小柳貴寛，永冨瑛智，加藤孝弘，安井寛治
  • 7H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて堆積したZnOエピタキシャル膜の電気伝導特性長岡技科大工1，静岡大工2 里本宗一1，○（M1）永冨瑛智1，梅本宏信2，加藤孝弘1，安井寛治1
  • 8H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて堆積したZnO 薄膜のNドーピング特性長岡技科大工 ○永冨瑛智，里本宗一，三浦仁嗣，加藤孝弘，安井寛治
  • 9大気非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の成長形態阪府大1，積水化学工業2 ○（M1）野瀬幸則1，上原　剛2，藤村紀文1
  • 10水溶液法を用いた酸化亜鉛膜の作製名工大 三浦正旭，松本和也，○安部功二
  • 11三光束干渉露光法によるサブミクロン領域への酸化亜鉛選択成長和歌山大システム工 ○朴井光章，宇野和行，田中一郎
  •  休憩　16:30〜16:45
  • 12ZnO薄膜のガーネット基板上へのヘテロエピタキシャル成長東大院工 ○（DC）小埜洋輔，松井裕章，田畑　仁
  • 13NAPLD法を用いたZnOナノ構造体の作製及びその電界放出特性の測定九州大学シス情 ○杉江達朗，久保佳津輝，岡崎功太，下垣哲也，東畠三洋，中村大輔，岡田龍雄
  • 14フォトルミネッセンスによるMgZnO薄膜の低Mg濃度の定量東大院工1，東北大金研2，理研ASI-CMRG3，理研ASI-CERG4，JST-PRESTO5，JST-CREST6 ○小塚裕介1，ジョセフ フォルソン2，瀬川勇三郎3，牧野哲征4，デニス マリエンコ4，塚崎　敦1,5，川崎雅司1,3,4,6
  • 15MgxZn1-xO/ZnOヘテロ界面における二次元電子ガスの移動度制御東北大金研1，理研 ASI-CERG2，東大院工3，JST-PRESTO4，JST-CREST5 ○ジョセフ フォルソン1，デニス マリエンコ2，小塚裕介3，塚崎　敦3,4，川崎雅司2,3,5
  •  休憩　17:45〜18:00
  • 16紫外光励起されたZnOナノ結晶体のシングル縦モード発振のためのナノ微細加工九大院シス情 ○（DC）岡崎功太，下垣哲也，中村大輔，東畠三洋，岡田龍雄
  • 17ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御阪市大工 ○（D）川瀬稔貴，金　大貴，中山正昭
  • 18サブバンドギャップ光照射による酸化亜鉛の熱活性化緑色発光神戸大理 児玉華奈子，○内野隆司
  • 19ZnO薄膜における励起子−励起子散乱発光寿命の膜厚依存性阪大院工1，阪大VBL2，阪市大院工3，阪府大院理4 ○若生周治1，市田秀樹2，川瀬稔貴3，溝口幸司4，金　大貴3，中山正昭3，兼松泰男1,2

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月17日　9:00〜19:00　　会場：E4

17a-E4 - 1〜11

  • 1イオンプレーティング法により作製したGa添加ZnO薄膜のキャリア輸送特性の温度依存性愛媛大1，高知工科大2 ○寺迫智昭1，宋　華平2，牧野久雄2，山本哲也2，白方　祥1
  • 2GaドープZnO透明導電膜における亜鉛の熱脱離と耐湿熱特性高知工科大総研 ○牧野久雄，宋　華平，山本直樹，山本哲也
  • 3スパッタZnO系透明導電膜の表面テクスチャ構造形成と耐湿特性等との関係金沢工大OEDS R&Dセンター ○野本淳一，平野友康，宮田俊弘，南　内嗣
  • 4Control of humidity resistance properties of 100-nm-thick Ga-doped ZnO films by indium co-doping高知工科大総研 宋　華平，牧野久雄，山本直樹，○山本哲也
  • 5薄膜太陽電池用途に対するZnO系透明導電膜の最適な添加不純物の検討金沢工大OEDS R&Dセンター ○野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
  • 6TNO透明導電膜を利用した色素増感太陽電池の作製静岡大1，神奈川技術アカデミー2，東北大3，東京大4 竹村秀一郎1，村本亮祐1，関根裕介1，岡崎壮平2，坂井延寿2，山田直臣2，一杉太郎3，長谷川哲也4，○奥谷昌之1
  •  休憩　10:30〜10:45
  • 7窒素添加結晶化バッファー層によるZnO:Al薄膜の結晶性制御： 窒素供給量の影響九大シス情1，JSTさきがけ2，九大基幹教育院3 ○板垣奈穂1,2，Iping Suhariadi1，桑原和成1，山下大輔1，徐　鉉雄1，鎌滝晋礼3，内田儀一郎1，古閑一憲1，白谷正治1
  • 8GZO/ZnO二層膜の透明導電特性NTT MI研 ○赤沢方省
  • 9大気圧低温プラズマ法により作製したAZO/ZnO 2層膜の特性香川高専1，香川大工2 ○（B）宗清　修1，須崎嘉文2，鹿間共一1
  • 10ルチルおよびアナターゼTiO2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価東北大多元研1，住友金属鉱山2 ○羽豆耕治1，中山徳行2，田中明和2，秩父重英1
  • 11二酸化チタンにおける光キャリアダイナミクスの結晶構造依存性京大化研 ○山田泰裕，金光義彦
  •  昼食　12:00〜13:30

17p-E4 - 1〜21

  • 1近赤外ZnCdO:(Mg,N)混晶薄膜のRPE-MOCVD成長の試み静大工1，工研2，電研3 ○（B）鈴木麻里1，Sanjay Mohanta3，中村篤志3，天明二郎2,3
  • 2Morphological evolution and conduction type of MgxZn1-xO:(N,In) films静大電子研 ○（P）サンジャイ モハンタ，中村篤志，天明二郎
  • 3バイアス電圧印加PLD法と貼り合わせ法により形成したZnOヘテロ接合特性秋田県大システム科学 ○小松和也，阿部　寛，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
  • 4酸化亜鉛系イオン感応性電界効果トランジスターのpH検出特性大阪工大ナノ材研センタ ○田辺慎太朗，向井和哉，小池一歩，尾形健一，佐々誠彦，矢野満明
  • 5IGZOの結晶成長メカニズムに関する考察半導体エネルギー研究所 ○廣橋拓也，島津貴志，高橋正弘，宮永昭治，秋元健吾，大原宏樹，山崎舜平
  • 6結晶性の異なるIGZO薄膜の膜密度比較半エネ研 ○金村大志，岸田英幸，秋元健吾，野中裕介，津吹将志，高橋正弘，山崎舜平
  • 7薄膜IGZOにおける膜密度と拡散の関係半エネ研 ○野中裕介，石原典隆，津吹将志，太田将志，松林大介，山崎舜平
  • 8アモルファス酸化物半導体超格子の光学特性東工大応セラ研1，東工大フロンティア2 ○安部勝美1，野村研二2，神谷利夫1，細野秀雄1,2
  • 9PLおよび光電流一定法(CPM)を用いたIGZOのギャップ内準位の評価半エネ研 ○石原典隆，野中裕介，渡邊了介，津吹将志，山崎舜平
  • 10ラマン分光法およびカソードルミネッセンス法によるa-IGZO膜の構造評価東レリサーチセンター1，青山学院大理工2 ○井上敬子1，松田景子1，吉川正信1，岡　伸人2，重里有三2
  • 11酸化物半導体の電気的、光学的特性評価(I) - カソードルミネッセンスによる電子状態のプロセス依存性 -神戸製鋼所 ○岸　智弥，日野　綾，森田晋也，小坂修司，林　和志，釘宮敏洋
  •  休憩　16:15〜16:30
  • 12ミストCVD法によるIGZO TFTの作製高知工大ナノ研 ○（PC）川原村敏幸，王　大鵬，古田　守
  • 13酸化物半導体TFTのドレイン電流モデルの開発NHK技研 ○辻　博史，中田　充，佐藤弘人，中嶋宜樹，藤崎好英，武井達哉，山本敏裕，藤掛英夫
  • 14酸化物半導体膜厚がＴＦＴ特性に及ぼす影響NHK技研 ○中田　充，辻　博史，佐藤弘人，中嶋宜樹，藤崎好英，武井達哉，山本敏裕，藤掛英夫
  • 15スパッタゲート絶縁膜を用いた酸化物半導体ＴＦＴの極薄フィルム上への形成NHK技研 ○中田　充，本村玄一，中嶋宜樹，佐藤弘人，辻　博史，藤崎好英，武井達哉，山本敏裕，藤掛英夫
  • 16酸化物半導体TFT用Ti/Si積層バリアメタルの開発神戸製鋼 ○日野　綾，前田剛彰，森田晋也，釘宮敏洋
  • 17IGZO TFT特性のS/D電極材料依存性アルバック ○湯川富之，上野　充，高澤　悟，磯部辰徳，倉田敬臣，新井　真，清田淳也，石橋　暁，齊藤一也
  • 18多元スパッタ成膜法を用いたa-InGaZnO4酸素欠損層の形成山形県工技セ1，NLTテクノロジー2 ○岩松新之輔1，矢作　徹1，渡部善幸1，小林誠也1，竹知和重2，田邉　浩2
  • 19InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化ルネサスエレクトロニクス ○金子貴昭，井上尚也，齋藤　忍，古武直也，砂村　潤，川原　潤，羽根正巳，林　喜宏
  • 20熱処理によるアモルファス酸化物半導体a-IGZOの構造、欠陥とTFT特性の変化東工大応セラ研1，東工大フロンティア研2 ○神谷利夫1，井手啓介1，野村研二2，細野秀雄1,2
  • 21アモルファス酸化物半導体a-IGZOの高温におけるキャリア輸送特性と不安定性の起源東工大応セラ研1，東工大フロンティア研2 ○（M1）宮瀬貴也1，野村研二2，神谷利夫1，細野秀夫1,2