6. 薄膜・表面

15a-GP3 - 1〜40

• 1酸化亜鉛系透明導電膜のスプレーCVD法による作製東京工芸大 ^○（M2）佐野一行，関　良之，澤田　豊
• 2アモルファスおよび結晶性酸化スズ膜のスプレーCVD法による作製東京工芸大 ^○（M2）鈴木敏純，澤田　豊，關　良之
• 3アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中水素量が信頼性に与える影響奈良先端大¹，日新電機^{2 ○}山崎はるか¹，藤井茉美¹，上岡義弘¹，石河泰明¹，藤原将喜²，高橋英治²，浦岡行治¹
• 4アナターゼ型TaONエピタキシャル薄膜の物理特性東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，東大工⁴，東大生研⁵，UTTAC^{6 ○}鈴木　温^1,2，岡　大地^1,2，廣瀬　靖^1,2,3，伊藤誠二⁴，森田　明⁴，松崎浩之⁴，福谷克之⁵，石井　聡⁶，笹　公和⁶，関場大一郎⁶，福村知昭^1,3，長谷川哲也^1,2,3
• 5RhドープSrTiO₃の電子状態観測東大物性研¹，東北大WPI-AIMR²，東理大理^{3 ○}川崎聖治¹，中辻　寛¹，山本　達¹，松田　巌¹，小森文夫¹，吉信　淳¹，原田慈久¹，赤木和人²，工藤昭彦³，ミック リップマー¹
• 6熱処理した高品質Fe₃O₄ (111)薄膜の磁気抵抗特性東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，科技機構 さきがけ^{3 ○（PC）}松崎功佑¹，細野秀雄²，須崎友文^1,3
• 7NiO-ReRAMにおけるフィラメント状態とリセット特性の相関関係鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}吉原幹貴¹，木下健太郎^1,2，田中隼人¹，岸田　悟^1,2
• 8遷移金属酸化物ReRAMにおけるリセット過程のパルススイッチング特性鳥取大¹，TEDREC^{2 ○}森山拓洋¹，木下健太郎^1,2，吉原幹貴¹，岸田　悟^1,2
• 9Pr_1-xCa_xMnO₃薄膜の分光エリプソメトリーによる解析京都大工 ^○（B）徐テイテイ，中村敏浩
• 10Al₂O₃:Al-ReRAMデバイスの作製物材機構 ^○（P）原田善之，児子精祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 11酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制 1日大理工¹，関大システム理工²，名大院工^{3 ○}大塚慎太郎¹，古屋沙絵子¹，清水智弘²，新宮原正三²，牧原克典³，宮崎誠一³，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹
• 12酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制２日大理工¹，関大システム理工^{2 ○}大塚慎太郎¹，清水智弘²，新宮原正三²，岩田展幸¹，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹
• 13フィラメントの特性を考慮したマルチフィラメントモデルの修正鳥取大¹，鳥取大電子ディスプレイセンター^{2 ○}木下健太郎^{1, 2}，田中隼人¹，岸田　悟^{1, 2}
• 14HfO2-CB-RAMにおけるセット過程を特徴付けるパラメータとリセット電流の関係鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}長谷川祥¹，木下健太郎^1,2，鶴田茂之¹，岸田　悟^1,2
• 15酸化物半導体NbドープSrTiO₃を中間層に用いた接合における磁気抵抗効果と電気伝導メカニズム名大院工 戸澤克倫，^○植田研二，小林耕平，鈴木亮佑，宮脇哲也，浅野秀文
• 16SrTiO₃(111)上のSrRuO₃薄膜の成長上智大理工 ^○江森万里，田沼　格，干場　光，荒井拓郎，徳安良太，坂間　弘
• 17YMnO₃強誘電体薄膜の光起電力効果東大院理¹，KAST²，JST-CREST^{3 ○}相澤和樹¹，廣瀬　靖^1,2,3，岡　大地¹，中尾祥一郎^2,3，近松　彰^1,3，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3
• 18SrTiO₃上のLaTiO₃ナノドットの成長観測東大新領域¹，東大物性研^{2 ○}笹村　謙¹，高橋竜太²，Lippmaa Mikk^1,2
• 19酸素無供給下でのRFスパッタリング法によるSrTiO₃-Nb薄膜の作製と評価旭川高専 ^○竹内智彦，篁　耕司，吉本健一
• 20Sc-doped SrTiO3スパッタ薄膜の表面構造と電気特性東理大理 小林祐輔，奥村哲平，冨山和哉，^○樋口　透
• 21Sc-doped TiO2スパッタ薄膜の光触媒活性における膜厚効果東理大理 井上智弘，山下智之，冨山和哉，^○樋口　透
• 22酸化チタン薄膜への紫外光照射によるメチレンブルーの分解(II) 〜吸光度スペクトルの変化からの考察〜東海大工 ^○吉澤朋宏，桑畑周司
• 23液相PLA法によるTiNからのTiO₂微粒子の作製と評価電通大情報理工 ^○大高正嗣，Cheow Keong Choo，永井　豊，田中勝己
• 24二酸化チタン薄膜における高密度励起でのキャリア・ダイナミクス上智大 ^○（M2）土田翔大，青木貴広，坂間　弘，江馬一弘，欅田英之
• 25光触媒薄膜を用いたリソグラフィプロセスの開発大阪府立大高専¹，豊橋技科大² 尾崎　亮¹，^○中野瑞記¹，前田篤志¹，松田厚範²
• 262スパッタ源反応性スパッタ法による光触媒用TiO₂薄膜の斜め入射堆積東京工芸大（院） ^○（DC）安田洋司，飛坂真幸，星　陽一
• 27フェムト秒レーザー照射による可視光応答型光触媒の開発阪大院工¹，阪大接合研²，近大³，大阪市工研⁴，レーザー総研^{5 ○}堀口直人¹，塚本雅裕²，吉田　実³，篠永東吾¹，高橋雅也⁴，藤田雅之⁵，阿部信行²
• 28Si基板上に作製したn-ZnO:Er₂O₃薄膜の光触媒効果東理大理¹，東洋大理工^{2 ○（B）}齊藤友樹¹，笠原　玲¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 29酸化物ナノアイランドを用いた光電変換素子の最適構造の検討（II）香川高専 ^○桟敷　剛，岡野　寛
• 30電界紡糸法で作製したNb:TiO₂ナノファイバの色素増感太陽電池への応用鹿児島大院理工 ^○（M1C）出口　誠，渡部朝光，黒木大地，野見山輝明，堀江雄二
• 31可視光透過型太陽電池に向けたNiO薄膜の作製と評価2東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}小畑　努¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 32CdSe量子ドットを吸着したZnOナノロッドの分光増感特性電通大¹，九工大院生命体工²，JST さきがけ³ 盛　由貴¹，山田修三¹，^○沈　　青^1,3，尾込裕平²，早瀬修二²，豊田太郎¹
• 33介在層としてZn_XMg_1-xO薄膜を用いるAZO/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池金沢工大 OEDS R&Dセンター ^○西　祐希，阿部信也，南　内嗣
• 34ファイバー状Zn(C₅H₇O₂)₂･xH₂OとO₃を原料に用いたMO-CVD法による高抵抗ZnO薄膜の作製仙台高専¹，東北大金研^{2 ○}羽賀浩一¹，阿倍　修¹，瀧澤義浩¹，湯葢邦夫²，宍戸統悦²
• 35電気化学成長Cu₂O薄膜の配向制御阪府大工¹，阪府大ナノ科学･材料セ^{2 ○（B）}佐藤俊祐¹，芦田　淳¹，近藤雄祐¹，八木俊介²，吉村　武¹，藤村紀文¹
• 36プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の特性新潟大 ^○松井博章，劉　　暢，木伏貴映，清水英彦，岩野春男，福嶋康夫，永田向太郎，坪井　望，野本隆宏
• 37DCパルススパッタを用いたSiO_xN_yから成る反射防止膜の作製宇都宮大 ^○（PC）室　幸市，石井　清，荘司弘樹
• 38アークプラズマガンを用いた金属微粒子層を有するMgO薄膜の結晶成長龍谷大理工¹，兵庫工技セ^{2 ○}小管浩揮¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹
• 39MOD法を用いて作製したMgO薄膜の微粒子の影響龍谷大理工¹，兵庫工技セ²，タテホ化学工業^{3 ○}大橋義信¹，櫻川康志¹，吉岡秀樹²，清川敏夫³，山本伸一¹
• 40酸化Al下地膜を用いたSrAl₂O₄: Eu, Dy薄膜の特性(II)新潟大 ^○（M1）小林和晃，齋藤　稔，工藤悠二，清水英彦，岩野春男，福嶋康夫，川上貴浩

16a-F6 - 1〜12

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  SrRuO₃エピタキシャル薄膜の構造相転移:薄膜ナノ構造におけるストレイン効果京大化研¹，JST-CREST^{2 ○}菅　大介¹，島川祐一^1,2
• 2SrTiO₃(001)表面再構成に及ぼす酸素欠損の寄与東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}清水亮太¹，岩谷克也¹，大澤健男¹，白木　將¹，一杉太郎^1,2
• 3SrTiO₃(001)-(√13×√13)基板表面のSTM/XPS東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}大澤健男¹，清水亮太¹，岩谷克也¹，白木　將¹，一杉太郎^1,2
• 4NbドープSrTiO3エピタキシャル薄膜の電気特性における蒸着速度依存性京大化研¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}清水卓也¹，菅　大介¹，島川祐一^1,2
• 5LaAlO₃/SrTiO₃へテロ界面のポテンシャル分布解析SLAC/スタンフォード大¹，東大院新領域²，JST-CREST³，理研CERG⁴，東大院工⁵，JASRI/SPring-8^{6 ○（P）}簑原誠人^1,2,3，クリストファー ベル¹，細田雅之^1,2，疋田育之¹，佐藤弘樹^1,2，サイード バラミー⁴，豊田智史⁵，組頭広志⁵，尾嶋正治⁵，池永英司⁶，ハロルド ユンスン ファン¹
• 6LaAlO₃/SrTiO₃ヘテロ界面のLaTiO₃層挿入に伴う輸送特性とバンド構造の変化SLAC/スタンフォード大¹，東大新領域²，JST-CREST³，高エネ研⁴，JSTさきがけ⁵，東大工^{6 ○}細田雅之^1,2，簑原誠人^1,2,3，Christopher Bell¹，疋田育之¹，組頭広志^4,5，尾嶋正治⁶，Harold Hwang¹
• 7強誘電体Ba_0.3Sr_0.7TiO₃薄膜をチャネルとした電気二重層トランジスタ東北大金研¹，東大院総合²，JST-PRESTO³，東大院工⁴，JST-CREST⁵，東北大WPI^{6 ○}伊藤正人¹，上野和紀^2,3，小塚裕介⁴，J.T. Ye⁴，H.T. Yuan⁴，岩佐義宏^4,5，川崎雅司^4,5,6
• 8Nb:TiO₂ (110)清浄表面の電気化学特性の酸化・還元処理効果東工大応セラ研 ^○（D）高田真太郎，松本祐司
• 9アナターゼTiO₂/Nb:SrTiO₃(001)エピタキシャルヘテロ構造のin situ電気化学評価東工大応セラ研 ^○三浦能裕，高田真太郎，松本祐司
• 10酸化物薄膜の気相成長における酸素拡散と酸素不定比性の問題東工大応セラ研 ^○松本祐司，高田真太郎，前田佑樹，谷口博基，伊藤　満
• 11PLD法によるチタン酸リチウムエピタキシャル薄膜の作製東北大WPI-AIMR¹，トヨタ自動車²，東大院新領域^{3 ○}高木由貴¹，熊谷明哉¹，大澤健男¹，鈴木　竜¹，白木　将¹，大木栄幹^2,3，一杉太郎¹
• 12LiCoO₂エピタキシャル薄膜の電気伝導性におよぼす結晶粒界の寄与東北大WPI-AIMR¹，東大院²，トヨタ自動車³，JFCC^{4 ○}熊谷明哉¹，大澤健男¹，鈴木　竜¹，高木由貴¹，白木　将¹，大木栄幹^2,3，森分博紀⁴，幾原雄一^1,2,4，一杉太郎¹
•  昼食　12:00〜13:30

16p-F6 - 1〜20

• 1ReRAMにおける電極微細化の効果と抵抗変化領域の解析産総研GNC ^○中野美尚，高橋　慎，村上　智，川端章夫，佐藤元伸，二瓶瑞久，横山直樹
• 2抵抗変化メモリ動作のTEM その場観察を念頭においた試料作製法の開発北大院情報 ^○工藤昌輝，大野裕輝，藤井孝史，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫
• 3酸化物ナノ薄膜型原子スイッチの動作特性に対する水分効果物材機構¹，JST-CREST²，アーヘン工科大^{3 ○}鶴岡　徹^1,2，寺部一弥¹，長谷川剛^1,2，青野正和¹，Ilia Valov³，Rainer Waser³
• 4酸化タンタルナノ粒子を用いた抵抗変化メモリの作製奈良先端大¹，CREST^{2 ○}番　貴彦^1,2，柿原康弘^1,2，上沼睦典^1,2，鄭　　彬^1,2，石河泰明^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 5LuFe₂O₄エピタキシャル薄膜の電界誘起抵抗スイッチング阪大産研 ^○藤原宏平，田中秀和
• 6Al/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃型抵抗変化素子における光電子分光深さ方向解析東大院工¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，KEK-物構研⁴，JST-さきがけ^{5 ○}豊田智史^1,2,3，並木武史¹，坂井延寿^1,2,4，中田耕次¹，尾嶋正治^1,2,3，組頭広志^4,5
• 7反応性スパッタにより作製したMoO_x薄膜の抵抗スイッチ特性北大院情報 ^○高見澤圭佑，川西敬仁，藤井孝史，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫
• 8W/CeO_x/NiSi₂構造ReRAMの抵抗スイッチング特性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}叶　真一¹，竇　春萌¹，Hadi Mokhammad¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 9Pt/NiO/Pt積層構造におけるフォーミング特性の時間依存京大院工 ^○西　佑介，堀江大典，岩田達哉，木本恒暢
• 10Pt/SiO_x/Pt構造における抵抗変化特性広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}大田晃生¹，牧原克典²，池田弥央¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
•  休憩　16:00〜16:15
• 11Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}福嶋太紀¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹
• 12Ptナノドット電極を用いたSiO_x膜の抵抗変化特性評価名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}福嶋太紀¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹
• 13フッ化カルシウム薄膜のメモリスタ特性東芝研開セ ^○西　義史，小山正人
• 14原子移動型スイッチデバイスの伝導機構解析LEAP ^○岡本浩一郎，多田宗弘，阪本利司，宮村　信，伴野直樹，井口憲幸，波田博光
• 15結晶性酸化物半導体を用いた新しい不揮発性メモリ半エネ研 ^○井上広樹，松嵜隆徳，長塚修平，岡崎　豊，佐々木俊成，野田耕生，松林大介，石津貴彦，大貫達也，磯部敦生，塩野入豊，加藤　清，小山　潤，山崎舜平
• 16マグネタイト薄膜の低温における強誘電性東大物性研 ^○高橋竜太，三隅　光，Mikk Lippmaa
• 17Fe₃O₄薄膜のp型化と室温スピン偏極伝導東大工 ^○関　宗俊，真下達也，田畑　仁
• 18BiFeO₃/SrFe₁₂O₁₉(00l)二層膜における磁区および分極ドメインの直接観察信大工¹，信大スピンデバイステクノロジーセンター^{2 ○}安川雪子^1,2，劉　小晰^1,2，森迫昭光^1,2
• 19Au凝集下地層上に作製した六方晶フェライトの構造微細化と磁気特性信大工¹，信大スピンデバイステクノロジーセンター^{2 ○}安川雪子^1,2，小川幸伸¹，劉　小晰^1,2，森迫昭光^1,2
• 20放射光電子分光による無限層構造Sr_1-xSm_xFeO₂薄膜の電子状態東大院理¹，JST-CREST²，KAST³，KEK-IMSS⁴，東大院工^{5 ○}近松　彰^1,2，片山　司¹，廣瀬　靖^1,2,3，組頭広志⁴，尾嶋正治⁵，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3

17a-F6 - 1〜12

• 1磁気結合を制御した酸化物スピンフィルタートンネル接合東大院工¹，東大物性研²，東工大応セラ研³，名大院工⁴，東大院新領域^{5 ○（PC）}原田尚之^1,2，大久保勇男¹，ミック リップマー²，桜井康成¹，松本祐司³，武藤俊介⁴，鯉沼秀臣⁵，尾嶋正治¹
• 2非弾性トンネル分光によるスピンフィルタートンネル接合の評価東大院工¹，東大物性研²，東工大応セラ研³，名大院工⁴，東大院新領域^{5 ○（PC）}原田尚之^{1, 2}，大久保勇男²，ミック リップマー²，桜井康成¹，松本祐司³，武藤俊介⁴，鯉沼秀臣⁵，尾嶋正治¹
• 3硬・軟X線回折によるYMnO₃薄膜の磁気構造の観測東大工¹，KEK-PF/CMRC²，Swiss Light Source³，理研CMRG^{4 ○（PC）}和達大樹¹，岡本　淳²，Garganourakis Marios³，Scagnoli Valerio³，Staub Urs³，山崎裕一²，中尾裕則²，村上洋一²，中村優男⁴，川崎雅司^1,4，十倉好紀^1,4
• 4TiO₂(001)基板上のVO₂薄膜における多値メモリ効果と金属-絶縁体ドメインの挙動観察阪大産研 ^○川谷健一，高見英史，神吉輝夫，田中秀和
• 5TiO₂(001)基板上のVO₂ワイヤーにおける金属-絶縁体ドメイン配列の次元性評価阪大産研 ^○（D）高見英史，川谷健一，上田大貴，神吉輝夫，田中秀和
• 6酸化物量子井戸構造による強相関電子の２次元閉じ込め東大院工¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，JSTさきがけ⁴，KEK-PF⁵，東大院理^{6 ○（D）}吉松公平¹，堀場弘司^1,2,3，組頭広志^4,5，吉田鉄平⁶，藤森　淳⁶，尾嶋正治^1,2,3
• 7PLD法により作製したペロブスカイト型EuMoO₃薄膜の輸送・磁気特性東北大¹，東大院工²，理研ASI-CERG³，KEK-PF⁴，JST-PREST⁵，JST-CREST^{6 ○（M2）}関　秀悦¹，小塚裕介²，スバンカー チャクラバティー³，藤田貴裕²，組頭広志^4,5，川崎雅司^2,3,6
• 8EuMoO₃ / SrTiO₃ 超格子の作製と伝導特性東大院工¹，東北大金研²，JST-CREST^{3 ○}藤田貴啓¹，関　秀悦²，小塚裕介¹，川崎雅司^1,3
• 9La_1/3Sr_2/3FeO₃における電荷不均化転移の薄膜成長方位依存性京大化研¹，JST-CREST^{2 ○}西　仁実¹，菅　大介^1,2，島川祐一^1,2
• 10マグネタイトのナノピラミッド構造の作製東大物性研 ^○（M2）三隅　光，高橋竜太，Mikk Lippmaa
• 11LaNiO₃/SrTiO₃へテロ界面における電荷不整合東大院工¹，KEK-PF²，東大放射光機構³，JSTさきがけ^{4 ○}玉光雅智¹，坂井延寿^1,2，吉松公平¹，堀場弘司^1,3，尾嶋正治^1,3，組頭広志^2,4
• 12(Nd,Sm)NiO₃電気二重層トランジスタの動作特性産総研¹，JST-CREST²，東大院総合³，JSTさきがけ⁴，東大院工⁵，理研CERG^{6 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華^1,2，山田浩之¹，佐藤　弘¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2，上野和紀^3,4，川崎雅司^5,6，岩佐義宏^5,6
•  昼食　12:00〜13:30

17p-F6 - 1〜20

• 1Pt/NiO/Pt抵抗変化素子に形成されたフィラメントの直接観察とその評価京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}岩田達哉¹，西　佑介¹，木本恒暢^1,2
• 2NiO-ReRAMにおけるフォーミング電圧の低減奈良先端大¹，CREST^{2 ○}上沼睦典^1,2，鄭　　彬^1,2，石河泰明^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 3Glass基板上のNiO薄膜における電界誘起局所電気伝導性制御鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}福原貴博¹，木下健太郎^1,2，岸田　悟^1,2
• 4Pt/BiFeO₃界面の抵抗スイッチング効果と界面電子状態産総研 ^○（PC）鶴巻　厚，山田浩之，澤　彰仁
• 550nm抵抗変化型メモリにおける書き換え回数向上手法東大工 ^○樋口和英，宮地幸祐，上口　光，竹内　健
• 6第一原理計算によるTiO₂抵抗変化型メモリの動作機構の研究筑波大数理物質¹，スタンフォード大^{2 ○}神谷克政¹，梁　文榮¹，Seong Geon Park²，Blanka Kope²，Yoshio Nishi²，丹羽正昭¹，白石賢二¹
• 7デラフォサイト型CuScO₂薄膜の配向制御東北大金研¹，理研CERG²，東北大学WPI³，東大院総合⁴，東大院工⁵，東大総研⁶，ファインセラミックセンター⁷，JST-CREST^{8 ○}松原雄也¹，牧野哲征²，陳　春林³，着本　享³，上野和紀⁴，小塚裕介⁵，塚崎　敦⁵，幾原雄一^3,6,7，川崎雅司^2,5,8
• 8パルスレーザー堆積(PLD)法によるAl₂O₃系薄膜の低温エピタキシャル成長における電子線照射効果東工大¹，神奈川産技セ^{2 ○}塩尻大士¹，松田晃史¹，譚ゴオン¹，金子　智^1,2，山内涼輔¹，吉本　護¹
• 9酸化物薄膜の固相結晶化におけるナノインプリント装置を用いた一軸圧縮印加の影響東工大¹，協同インターナショナル²，栃木産技セ³，神奈川産技セ^{4 ○}譚ゴオン¹，宮宅ゆみ子¹，大井秀雄²，三田正弘²，山ノ井翼³，金子　智^1,4，松田晃史¹，吉本　護¹
• 10c軸平行配向ZnO膜を用いたSH-SAWセンサによる液体の導電率測定同志社大¹，名工大^{2 ○}中東佑太¹，柳谷隆彦²，松川真美¹，渡辺好章¹
•  休憩　16:00〜16:15
• 11(210)基板上Pr_0.5Sr_0.5MnO₃薄膜の相転移と対称性解析東大先端研¹，JST-CREST²，富士電機^{3 ○}小川直毅^1,2，荻本泰史^1,2,3，宮野健次郎^1,2
• 12ICP支援スパッタ法による金属膜上へのVO2薄膜の成長と積層方向スイッチング特性東海大 ^○シュルズ モハメッド，沖村邦雄
• 13ICP支援スパッタ法におけるストレス誘起M2相VO2薄膜の成長とその特性東海大院工¹，トゥール大LEMA^{2 ○}渡部　智¹，沖村邦雄¹，坂井　穣²
• 14反応性スパッタ法によるマグネリ相を含む低酸化度バナジウム酸化膜堆積東海大院・工 ^○鈴木康史，沖村邦雄
• 15光照射によるVO2薄膜への電子キャリア注入岡山大理¹，岡山大院自然科学²，JST-CREST^{3 ○}村岡祐治^1,2,3，長尾浩樹²，大山卓郎¹，脇田高徳²，平井正明²，横谷尚睦^1,2,3
• 16CrO2薄膜の表面特性岡山大院自然¹，JST-CREST^{2 ○}村岡祐治^1,2，吉田　祥¹，脇田高徳¹，平井正明¹，横谷尚睦^1,2
• 17α-(V_1-xCr_x)₂O₃薄膜の作製と光学特性評価東工大院工¹，JST-ALCA² 野田　淳¹，^○増子尚徳¹，大島孝仁¹，大友　明^1,2
• 18原子間力顕微鏡を用いた電界ドーピングによるNiO薄膜のキャリア濃度制御鳥取大¹，鳥取大電子ディスプレイセンター²，富士通研³，東北大^{4 ○}木下健太郎^{1, 2}，依田貴稔¹，澤井暢大³，本田耕一郎⁴，長　康雄⁴，岸田　悟^{1, 2}
• 19RFスパッタ法による次世代太陽電池に向けた(Ag,Cu)₂O薄膜の成長東理大総研/理工 ^○山下貴史，石田　淳，杉山　睦
• 20酸化物ナノロッド用いたプラズモン増強太陽電池の試作物・材機構 ^○韓　　貴，長尾忠昭，新井暢野，深田直樹，板東義雄，青野正和

18a-F6 - 1〜11

• 1極薄エピアルミナ膜/CuAl合金単結晶の大気保持中の安定性物材機構 ^○吉武道子，長田貴弘，Weijie Song，山内康弘
• 2エピタキシャル酸化物ナノ構造作製の為の3次元MgOナノパターン基板阪大産研 ^○藤原康司，服部　梓，田中秀和
• 3光触媒チタンアパタイトの可視光応答化富士通研 ^○穴澤俊久，野口道子，若村正人，N.F. Cooray，塚田峰春
• 4酸化物薄膜に吸着したFeS₂ナノ粒子の光励起キャリアダイナミクス電通大¹，日産自動車²，中大理工³，九工大院生命体工⁴，JSTさきがけ^{5 ○（M1）}宮本真伍¹，福本貴文²，丹羽勇介²，片山建二³，尾込祐平⁴，早瀬修二⁴，沈　　青^1,5，豊田太郎¹
• 5酸化チタンナノチューブ光触媒/パラジウム二層構造水素生成・分離一体型メンブレンの開発京大院工 ^○（D）服部真史，野田　啓，松重和美
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ゾル-ゲル法によるTiO₂およびTiO₂:Nb透明導電膜の作製と評価上智大・理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター^{2 ○}赤井　寧¹，蜂屋大樹¹，菊池昭彦^1,2
• 7CVD法による低抵抗酸化チタン薄膜の成長茨城大工 ^○石橋和洋，齋木翔太，山内　智
• 8CdSe量子ドットを増感剤とするTiO2ナノチューブ電極の光電変換特性‐TiO2ナノチューブの化成温度依存性‐電通大¹，JST さきがけ^{2 ○}太田朋佳¹，山田　灯¹，沈　　青^1,2，豊田太郎¹
• 9TiO₂ナノチューブFETの電気伝導機構阪府大¹，長岡技科大^{2 ○}石井将之¹，寺内雅裕²，吉村　武¹，中山忠親²，藤村紀文¹
• 10エピタキシャル安定化を用いた新規チタン酸化物Ti₂O₄の薄膜合成理研基幹研¹，東大新領域^{2 ○}松野丈夫¹，深道誉之²，高木英典^1,2
• 11Electrical characterization of a SrTiO₃ twist boundary bicrystal阪大院基礎工¹，PRESTO-JST² Nishad Kokate¹，PhanPhuThanh Son¹，吉川　純¹，中村芳明^1,2，^○酒井　朗¹
•  昼食　12:00〜13:00

18p-F6 - 1〜8

• 1様々な透明導電膜の熱物性青学大理工¹，産総研^{2 ○}岡　伸人¹，賈　軍軍¹，八木貴志²，山下雄一郎²，竹歳尚之²，馬場哲也²，重里有三¹
• 2PLD法により作製したAZO薄膜の特性改善佐世保高専 ^○大島多美子，村上雄紀，川崎仁晴，須田義昭，柳生義人
• 3金属/誘電体(Ag/ZnO)多層膜(MDM)透明導電性材料の作製と評価上智大¹，上智ナノテクノロジー研究センター^{2 ○}白崎慎也¹，赤井　寧¹，菊池昭彦^1,2
• 4Ti-doped ZnO薄膜中のTiイオンの局所構造九大院工¹，九州シンクロトロン²，住友化学^{3 ○}津留啓吾¹，吉岡　聰¹，原　一広¹，岡島敏浩²，中田邦彦³
• 53次元ナノテンプレートPLD法で作製した単一ZnOナノ構造からの高輝度発光阪大産研¹，阪大基礎工²，阪歯大^{3 ○}服部　梓¹，一宮正義^{2, 3}，芦田昌明²，田中秀和¹
• 6水蒸気に熱酸化による酸化銅薄膜の合成名工大 ^○（DC）梁　剣波，李　旭洋，岸　直樹，曽我哲夫
• 7水電気分解によって誘起した酸化物半導体二次元電子ガスの熱電能変調名大院工¹，東工大フロンティア²，科技機構さきがけ^{3 ○}水野　拓¹，野村研二²，細野秀雄²，太田裕道^1,3
• 8フォトクロミック半導体薄膜のX線小角散乱測定広島大院¹，グエラテクノロジー^{2 ○}大友　惇¹，宮本真太郎¹，田中　大¹，寺門信明²，中澤　明²，井上修平¹，梶山博司¹