15. 結晶工学

17p-A8 - 1〜17

• 1SiC多形を決定する結晶成長表面の効果産総研 Frédéric Mercier，^○西澤伸一
• 2SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進名大院工 ^○原田俊太，山本祐治，関　和明，堀尾篤史，三橋貴仁，宇治原徹
• 3温度差を用いた成長速度増大による3C-SiCバルク成長名大院工 ^○関　和明，山本祐治，原田俊太，宇治原徹，竹田美和
• 4SiC溶液成長時の成長界面リアルタイム観察に向けたアプローチ -SiC結晶背面を通した高温界面観察-東大院工¹，東大生研^{2 ○}川西咲子¹，吉川　健²，森田一樹²
• 5不純物ドーピングがSiC結晶多形の安定性に及ぼす影響九大院工¹，九大応力研²，産総研^{3 ○}白桃拓哉¹，中野　智²，高　　冰²，西澤伸一³，寒川義裕^1,2，柿本浩一^1,2
• 6高温真空レーザ顕微鏡によるSiC溶液成長に向けたSi-Cr系フラックス薄膜の熱挙動観察東工大応セラ研¹，FUPET^{2 ○}小沼碧海¹，丸山伸伍¹，松本祐司^1,2
• 7PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いた2インチSiC基板の全面加工阪大院工 ^○（M1）西川央明，佐野泰久，会田浩平，山村和也，松山智至，山内和人
• 8機械加工されたSiCウェハの加工歪層深さ評価技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構¹，フジミインコーポレーテッド²，デンソー³，昭和電工⁴，産総研^{5 ○}堀田和利^1,2，河田研治^1,2，長屋正武^1,3，貴堂高徳^1,4，加藤智久^1,5
•  休憩　15:30〜15:45
• 9CL像測定とラマン分光測定による4H-SiC結晶欠陥の非破壊分析堀場製作所¹，奈良先端大^{2 ○}清水智也¹，青山淳一¹，中　庸行¹，畑山智亮²
• 104H-SiCエピタキシャル層に発生した積層欠陥のHR-TEM観察-IIIイオンテクノセンター¹，京大院工^{2 ○}青木正彦¹，西田幸子¹，川野輪仁¹，馮　　淦²，木本恒暢²
• 11熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察埼玉大院 ^○山形　光，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 12長いキャリア寿命を有するn型SiCエピ成長層における支配的なキャリア再結合過程京大工 ^○市川修平，須田　淳，木本恒暢
• 13犠牲酸化処理した高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法による欠陥評価阪電通大 ^○西川誠二，岡田亮太，松浦秀治
• 14SiC中の微量窒素ドーパントの蛍光収量法Ｘ線吸収スペクトル測定産総研¹，高エネ研^{2 ○}志岐成友¹，浮辺雅弘¹，全　伸之¹，小池正記¹，北島義典²，大久保雅隆¹
• 15μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命京大院工 ^○奥田貴史，三宅裕樹，木本恒暢，須田　淳
• 16発熱解析によるSiC-SBDに及ぼす欠陥の影響評価FUPET¹，三菱電機先端総研^{2 ○}小西和也^1,2，中田修平^1,2，中木義幸^1,2，中尾之泰²，長江明美²，豊田吉彦^1,2，炭谷博昭²，大森達夫^1,2
• 17MSE成長による貫通螺旋転位からFrank欠陥への変換エコトロン¹，豊田中研²，トヨタ³，関学大⁴，工繊大^{5 ○}浜田信吉¹，吉岡　久¹，川見　浩¹，中村信彦¹，瀬戸口佳孝¹，西川恒一²，山口　聡²，安達　歩³，大谷　昇⁴，一色俊之⁵，松浪　徹¹，西川公人¹

17a-DP5 - 1〜8

• 1SiO₂/SiC界面構造の角度分解光電子分光法による評価東京都市大工¹，高輝度光科学研究センター^{2 ○}岡田葉月¹，小松　新¹，渡邊将人¹，室隆桂之²，泉　雄大²，野平博司¹
• 2NO/POCl₃複合アニール処理したSiC MOS デバイスの電子注入耐性奈良先端大 ^○荒岡　幹，矢野裕司，畑山智亮，冬木　隆
• 3Si蒸気圧エッチングによる転位起因の4H/6H-SiC(0001)表面構造関学大理工 ^○（M2）中西耕平，牛尾昌史，大谷　昇，金子忠昭
• 4低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける価電子帯近傍の深い準位の観測名工大¹，奈良先端大²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}吉原一輝¹，加藤正史¹，市村正也¹，畑山智亮²，大島　武³
• 5経験的擬ポテンシャル法に基づく4H-SiC MOS反転層のサブバンド構造計算阪大院工¹，JST CREST^{2 ○}渡邊龍太¹，鎌倉良成^1,2
• 6SBDを用いたSiC糖センサ作製名工大院¹，ポバール興業^{2 ○}田中弥生¹，神田隆生²，江龍　修¹
• 7カーボン包埋SiC超微粒子の生成とIRスペクトル立命館大理工 ^○墻内千尋，宮下徹也，藤崎貴也，齋藤嘉夫，小池千代枝
• 8低速Arイオンビームとペプチド自己組織化膜を用いたSiCナノ微細加工名工大院¹，フジミインコーポレーテッド^{2 ○}川口優作¹，永利一幸²，江龍　修¹

18a-A8 - 1〜11

• 14H-SiC表面欠陥とゲート酸化膜寿命FUPET¹，産総研^{2 ○}鮫島純一郎¹，石山　修¹，下里　惇²，田村謙太郎¹，大島博典¹，山下　任¹，田中俊明¹，杉山直之¹，関根正樹²，先崎純寿^1,2，松畑洋文^1,2，北畠　真¹
• 2イオン照射下におけるSiC-MOSキャパシタのリーク電流徳島大¹，原子力機構²，産総研^{3 ○}出来真斗^1,2，牧野高紘²，富田卓朗¹，大島　武²，児島一聡³
• 33C-SiC-on-Insulator基板におけるpn特性による評価九州工大工 ^○竹内千広，大平恭右，中尾　基
• 4SiO2/SiC界面窒化処理による非常に速い準位の生成京都大工¹，ローム^{2 ○}吉岡裕典¹，中村　孝²，木本恒暢¹
• 5NH₃アニールによるSiO₂/SiC界面窒化の検討豊田中研 ^○副島成雅，木村大至，石川　剛，杉山隆英
• 6Verification and removal of mobile ions in SiC-MOS devices with thermally grown SiO₂ insulators阪大院工¹，ローム^{2 ○}Atthawut Chanthaphan¹，Shuhei Mitani²，Yuki Nakano²，Takashi Nakamura²，Takuji Hosoi¹，Takayoshi Shimura¹，Heiji Watanabe¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7分子動力学法によるSiC結晶中の点欠陥の拡散挙動解析三重大院工¹，九大応力研^{2 ○（M1）}速水義之¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，柿本浩一²
• 8第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO₂/4H-SiC(11-20)原子構造モデルにおける界面欠陥原子力機構¹，電中研^{2 ○}宮下敦巳¹，大沼俊治²，土田秀一²，吉川正人¹
• 94H-SiC表面のNO初期酸化過程の第一原理計算による検討筑波大理¹，筑波院数理^{2 ○}加藤重徳¹，長川健太¹，海老原康裕²，吉崎智浩²，白石賢二²，神谷克政²
• 104H-SiC初期酸化におけるDry酸化とWet酸化の相違の理論的考察筑波大数物 ^○長川健太，加藤重徳，海老原康裕，白石賢二，神谷克政，吉崎智浩
• 11高電流増幅率ヘテロ接合バイポーラトランジスタ実現へ向けたAlGaN/SiC界面の原子レベル制御の試み京大院工¹，京大光電子理工学セ^{2 ○（D）}三宅裕樹¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
•  昼食　12:00〜13:00

18p-A8 - 1〜7

• 1p型SiC領域Ti/Alコンタクトの形成条件と接触抵抗率の関係FUPET研究センター¹，日産自動車²，富士電機³，サンケン電気⁴，素子協-沖電気^{5 ○}谷本　智^1,2，松井康平^1,3，図子祐輔^1,2，佐藤伸二^1,4，村上善則^1,2，山田朋幸^1,5
• 24H-SiC{03-38}面上のMOSデバイスの電気的特性評価住友電気工業 ^○日吉　透，増田健良，和田圭司，原田　真，並川靖生
• 3酸素拡散抑制膜を用いたSiC-MOSキャパシタの特性評価豊田中研 ^○木村大至，石川　剛，副島成雅，野村勝也，杉山隆英
• 44H-SiCカーボン面MOSFETにおけるV_th不安定性の低減産総研¹，富士電機^{2 ○}岡本光央¹，巻渕陽一¹，飯島美和子¹，酒井善行¹，岩室憲幸¹，木村　浩²，福田憲司¹，奥村　元¹
• 5大面積3.3kV SiC-JBSダイオードの特性日立中研 ^○亀代典史，沖野泰之，小西くみこ，望月和浩，横山夏樹，山田廉一
• 6大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハの急速熱処理広大院先端研 ^○芦原龍平，池田弥央，林　将平，酒池耕平，東清一郎
• 7SiCによる水の光分解特性の二電極系における評価名工大¹，奈良先端大^{2 ○}安田智成¹，加藤正史¹，市村正也¹，畑山智亮²