14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

16a-E2 - 1〜10

• 1ソルボサーマル法でZnSを被覆したInP量子ドット蛍光体埼玉大理工 ^○秋山真之介，船木那由太，福田武司，本多善太郎，鎌田憲彦，石丸雄大
• 2CdTe系量子井戸における偏光特性の磁場中ポンププローブ分光北大院情報科学 ^○（M1）佐々木義，久野祐希，木場隆之，村山明宏
• 3高空間分解カソードルミネッセンス分光法によるInGaN SWQ膜の欠陥構造解析東レリサーチセンター ^○村上昌孝，吉川正信
• 4酸化物薄膜に吸着したCdSe量子ドットのフォトルミネッセンスと光電変換特性-ZnS吸着回数依存性-電通大先進理工¹，JST さきがけ²，九工大院生命体工^{3 ○（M1）}田井大樹¹，沈　　青^1,2，尾込裕平³，早瀬修二³，豊田太郎¹
• 5Ge量子ドットを有する超微小モード体積2次元フォトニック結晶共振器による1.55μm帯での高効率発光東京都市大総研¹，東北大金研^{2 ○（M2）}成沢　湘¹，徐　学俊¹，宇佐美徳隆²，丸泉琢也¹，白木靖寛¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 61次元閉じ込めInPにおける2光子吸収の偏光依存性千葉大院・融合 ^○大石真樹，角田勝建，小林大樹，篠崎智文，坂東弘之，松末俊夫
• 7量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルにおけるピーク波長の振る舞い(2)日女大理 ^○福田綾子，佐藤里枝，鈴木知美，今井　元
• 8酸化亜鉛/有機色素分子の複合系におけるランダムレーザの発振特性群馬大 ^○Kurniawan Firdaus，中村俊博，安達定雄
• 9NaCl:Sn²⁺青色蛍光体の作製および発光特性群馬大院工 ^○近藤　萌，新井隆広，安達定雄
• 10ブリッジマン法で作製したGaSe結晶の光学特性岡山理大理¹，石川高専²，宮崎大^{3 ○}大杉信斗¹，米田　稔¹，瀬戸　悟²，神谷なお美³，吉野賢二³，大石正和¹
•  昼食　11:45〜13:30

16p-E2 - 1〜20

• 1βサイアロン蛍光体の酸素濃度低減による色純度向上物材機構¹，シャープ^{2 ○}広崎尚登¹，解　栄軍¹，高橋向星²
• 2βサイアロン蛍光体のフォトルミネッセンススペクトル微細構造シャープ¹，物材機構^{2 ○}高橋向星¹，吉村健一¹，原田昌道¹，友村好隆¹，武田隆史²，解　栄軍²，広崎尚登²
• 3βサイアロン蛍光体の希土類発光中心局所構造物材機構¹，シャープ^{2 ○}武田隆史¹，広崎尚登¹，解　栄軍¹，高橋向星²
• 4ゾルゲル法により作製したCa_0.6Sr_0.4TiO₃:Pr蛍光体薄膜の光学特性および電気特性群馬大院工¹，産総研^{2 ○}京免　徹¹，花屋　実¹，高島　浩²
• 5Dy³⁺を発光中心とした白色LED用蛍光体サンケン電気 ^○梅津陽介
• 6マイクロリアクターを用いた多元系珪酸塩蛍光体の作製鳥取大院工¹，TEDREC^{2 ○}赤座義広¹，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2
• 7Tb-Mg共添加CaSnO₃ペロブスカイト型蛍光体中の電荷補償九工大工 ^○植田和茂，永水廣太
• 8Ga₂O₃:Cr³⁺赤色蛍光体の作製と発光特性群馬大 ^○時田祥紀，加藤優希，安達定雄
• 9新規緑色蛍光体NaBaScSi₂O₇:Eu²⁺の合成新潟大院自然¹，新潟大工²，新潟大超域³ 亀井真之介¹，谷間浩大¹，上松和義²，石垣　雅³，^○戸田健司¹，佐藤峰夫²
• 10Ruddlesden-Popper型ペロブスカイト構造を有するSr_n+1Sn_nO_3n+1:Sm³⁺ (n=1, 2, ∞)の応力発光増大現象九大院総理工¹，産総研²，JST-CREST^{3 ○}上村　直¹，山田浩志^1,2，徐　超男^1,2,3
•  休憩　16:00〜16:15
• 11YVO₄:Bi黄色蛍光体の発光特性の温度依存性長岡技科大工¹，東北大金研^{2 ○}八木純平¹，加藤有行¹，内富直隆¹，湯葢邦夫²，宍戸統悦²
• 12電気泳動堆積法における液相レーザーアブレーションの効果長岡技科大工 ^○八木純平，大野桂慶，加藤　陸，加藤有行
• 13ABW₂O₈:Eu(A = Li, Na; B = Y, Gd, La)混晶の結晶構造と励起特性長岡技科大工 ^○菱谷大輔，加藤有行
• 14LiAlW₂O₈新規蛍光体の結晶構造と発光特性長岡技科大工 ^○菱谷大輔，加藤有行
• 15Pr_0.002(Ca_0.6Sr_0.4)_0.997TiO₃ペロブスカイト蛍光体薄膜の非線形導電現象産総研ナノシステム¹，明大理工²，産総研電子光^{3 ○}池上敬一¹，陸　　明¹，大野龍蔵²，米川公博²，三浦　登²，高島　浩³
• 16希土類フリー蛍光体CaSiO₃:Mnの真空紫外励起特性鳥取大¹，TEDREC^{2 ○}中村公彦¹，大観光徳^1,2，宮本快暢²
• 17ユーロピウム付活アルカリ土類珪酸塩蛍光体の蛍光寿命温度依存性東芝¹，東芝マテリアル^{2 ○}岡田　葵¹，石田邦夫¹，伊藤由美²，白川康博²
• 18シリコン基板上に自己形成した酸化エルビウムおよびエルビウムシリケイトの時間分解PL測定NTT物性研 ^○尾身博雄，俵　毅彦
• 191.5μmでの近赤外発光をするEr添加新規発光体材料の研究電通大先進理工 ^○（M1）坂本　侑，七井　靖，奥野剛史
• 20Pr³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性名大院工 ^○大島弘嗣，寺澤謙吾，渕　真悟，竹田美和

17a-E2 - 1〜12

• 1シリコン切粉からナノ粒子の創製と青色発光阪大産研 ^○古川淳一，松本健俊，小林　光
• 2フッ硝酸エッチングにより作製したSiナノ結晶のPL強度の経時変化富山県立大工 ^○割出貴士，松本公久，野村　俊，神谷和秀
• 3Xeランプを用いて作製した陽極化成ポーラスSi群馬大院工 ^○松井祐介，奈良淳一，安達定雄
• 4無電解エッチングにより作製した単一シリコンワイヤの発光特性電通大先進理工 ^○尾田幸大郎，七井　靖，奥野剛史
• 5発光性シリコンナノ粒子を用いた白色光源の開発東京電機大¹，物材料機構^{2 ○（B）}住吉頌平¹，山下将武¹，深田直樹²，平栗健二¹
• 6ウェットプロセスにより作製したシリコンナノ粒子の生体適合性評価東京電機大¹，ボローニャ大²，東京慈恵会医科大³，物材機構⁴ 横須賀忍¹，佐藤慶介²，藤岡宏樹³，馬目佳信³，深田直樹⁴，平栗健二¹，^○（B）加藤佳祐¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7金属表面近傍における多孔質シリコン発光遷移特性群馬大 ^○（B）古田和也，中村俊博，安達定雄
• 8Erおよびナノ結晶シリコンを添加したSiO2薄膜の発光特性明治大理工 ^○（B）平田雄也，古森佑樹，勝俣　裕，植草新一郎
• 9光励起誘電緩和法(6):電荷伝搬分析を使ったnc-Si:Erの発光機構の検討物材機構¹，Univ. of Manchester²，McMaster Univ.³，Univ. of Surrey^{4 ○}石井真史^1,2，Iain Crowe²，Matthew Halsall²，Andrew Knights³，Russell Gwilliam⁴，Bruce Hamilton²
• 10光励起誘電緩和法(7):電荷伝搬分析を使ったnc-Si発光におけるEr添加効果の検討物材機構¹，Univ. of Manchester²，McMaster Univ.³，Univ. of Surrey^{4 ○}石井真史^1,2，Iain Crowe²，Matthew Halsall²，Andrew Knights³，Russell Gwilliam⁴，Bruce Hamilton²
• 112.45GHz-マイクロ波加熱による少数キャリアライフタイム向上農工大工 ^○別院公一，蓮見真彦，鮫島俊之
• 12シリコン表面における光誘起少数キャリヤ再結合消滅挙動農工大工 ^○古川　潤，滝口裕太，永尾友一，蓮見真彦，鮫島俊之
•  昼食　12:15〜13:45

17p-E2 - 1〜19

• 1無機ELデバイス用ZnS蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理の効果奈良先端大¹，イメージテック²，CREST³ 紺谷拓哉¹，谷口真央¹，^○堀田昌宏^1,3，田口信義²，石河泰明^1,3，浦岡行治^1,3
• 2緑色蛍光体(Ba,Eu)Si₂S₅の時間分解フォトルミネッセンス電通大先進理工 ^○七井　靖，坂本　侑，奥野剛史
• 3高輝度発光を有するCaGa₂S₄新規結晶構造日大¹，東京理科大^{2 ○}鈴木昭宏¹，滝沢武男¹，野村重孝²，日高千晴¹，北嶋一徹¹
• 4CaGa₂S₄中に添加したGdによる発光日大文理 ^○日高千晴，滝沢武男
• 5CaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光の希土類元素(La³⁺, Ce³⁺) 添加増感効果のESRによる研究日大¹，東京理科大^{2 ○}北嶋一徹¹，滝沢武男¹，日高千晴¹，野村重孝²
• 6Si基板上へスパッタ成膜したZnO:Eu膜の発光特性(3)NTT MI研 ^○赤沢方省，篠島弘幸
• 7Eu,Au共添加ZnOにおけるEu³⁺発光特性阪大院工 ^○辻　尭宏，寺井慶和，苗　　偉，畑岸幸浩，藤原康文
• 8単結晶MgO基板上に合成したSrO:Eu²⁺蛍光体の耐水性長岡技科大¹，中部キレスト^{2 ○}小松啓志¹，中村　淳^1,2，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 9Yb添加ZnO薄膜の作製とその発光特性の評価阪大院工 ^○苗　　偉，寺井慶和，辻　尭宏，Wei Cao，藤原康文
• 10光励起誘電緩和法(5):TiO₂:Smの温度消光における電荷の散逸過程物材機構¹，Univ. of Manchester²，東理大³，東洋大^{4 ○}石井真史^1,2，Brian Towlson²，原子　進³，趙　新為³，小室修二⁴，Bruce Hamilton²
•  休憩　16:15〜16:30
• 11GaN化合物とNH3を原料に用いたMBE法によるGaN薄膜の作製と希土類添加の検討 (2)愛大工 ^○弓達新治，木村優介，井上貴満，冨家大樹，宮田　晃，白方　祥
• 12流量変調エピタキシーによるEu添加GaNの作製と発光特性評価阪大院工 ^○藤原康文，松野孝則，李　東建，西川　敦，寺井慶和
• 13Eu,Mg,Si共添加GaNにおけるEu発光の温度消光抑制阪大院工 ^○李　東建，西川　敦，若松龍太，寺井慶和，藤原康文
• 14Eu添加GaNにおける特異なピークの発光特性と励起メカニズム阪大院工 ^○若松龍太，李　東建，西川　敦，寺井慶和，藤原康文
• 15カルコパイライト系CuInS₂/ZnSナノ結晶の発光特性：量子サイズ効果と励起強度依存性農工大院工物理¹，農工大院工先端物理^{2 ○}宮岡知足¹，小田　勝^1,2，谷　俊朗^1,2
• 16Sb添加ZnOナノ構造体の時間空間分解分光山口大院・理工¹，豊田高専²，九大院・シス情^{3 ○}穴井恒二¹，室谷英彰²，倉井　聡¹，山田陽一¹，中村大輔³，岡田龍雄³
• 17マイクロエマルジョンを用いたソルボサーマル法によるYVO₄:Euナノ蛍光体の作製長岡技科大工 ^○磯前　厚，加藤有行
• 18熱分解法を用いたY2O3:Er,Ybナノ粒子の合成東工大院 ^○藤井邦生，アンナ グバレビッチ，北本仁孝，原　正彦，山崎陽太郎，小田原修，和田裕之
• 19液中レーザーアブレーション法により作製したY₂O₃:Er,Ybナノ粒子の光学特性東工大総理工 ^○小野寺裕司，布川貴史，北本仁孝，原　正彦，山崎陽太郎，中村一隆，小田原修，和田裕之

18a-GP8 - 1〜15

• 1Luminescence of Nanosilicon Powders Treated by High-Pressure Water Vapor Annealing名大工¹，Intrinsiq Materials Ltd²，農工大工^{3 ○}ベルナール ジェローズ¹，Armando Loni²，Leigh Canham²，越田信義³
• 2ぺロブスカイト型酸化物PCSTOナノ粒子のPLとEL特性産総研 ^○高島　浩，伯田幸也
• 3高温有機金属合成法によるMn²⁺ドープコア／シェル型CdS/ZnSナノ粒子の作製と光学特性奈良先端大物質 ^○高田雅洋，石墨　淳，柳　久雄
• 4ゾルゲル法で成膜したEuドープZnO膜のフォトルミネッセンス特性東海大工¹，日本発条^{2 ○}有馬智己¹，夏目　豊²，石黒　拡¹，坂田浩伸¹，若木守明¹
• 5Eu³⁺イオンをドープしたコア/シェル型ZnOナノ粒子の作製と発光特性奈良先端大 ^○風間鉄平，石墨　淳，柳　久雄
• 6熱酸化された多孔質シリコンの発光特性群馬大院工 ^○加藤優希，安達定雄
• 7深紫外蛍光薄膜AlGdNの局所配位構造と発光強度の相関関係神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫県立工業技術センター^{3 ○}市井邦之¹，來山真也¹，岩橋進哉¹，中村順也¹，喜多　隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³
• 8蛍光XAFS法によるEu添加AlGaNのEuイオン周辺局所構造解析JASRI/SPring-8¹，阪大^{2 ○}大渕博宣¹，川ばた昴佑²，西川　敦²，李　東建²，本間徹生¹，藤原康文²
• 9蛍光XAFS法によるEu,Mg,Si添加GaNのEuイオン周辺局所構造解析JASRI/SPring-8¹，阪大^{2 ○}大渕博宣¹，李　東建²，川ばた昴佑²，本間徹生¹，藤原康文²
• 10Sm添加NiO薄膜のPL特性東理大理¹，東洋大工²，原研^{3 ○（M1）}大槻卓也¹，櫻井淳平¹，原子　進¹，平尾法恵³，小室修二²，趙　新為¹
• 11蛍光体粉末ペレットを用い電子線蒸着法により作製したCuAlS₂:Mn赤色薄膜EL素子（II）　‐蒸着時の基板温度依存性‐鳥取大院工¹，TEDREC^{2 ○}中村祐介¹，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2
• 12スパッタ成膜したEu添加IIa-La-O-S蛍光体薄膜のPL及びEL特性金沢工大　OEDS R&Dセンター ^○宮田俊弘，南　内嗣
• 13ハイブリッド構造を用いた無機ELの開発龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック^{3 ○}野中俊宏¹，七田　渡¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹
• 14発光素子材料の光励起過程評価システム香川高専¹，長岡技科大²，愛媛大院理工^{3 ○}矢木正和¹，中田裕華里¹，宮武明義¹，菊地史也²，谷口浩太²，小倉佳典³，寺迫智昭³，加藤有行²，打木久雄²
• 15ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN薄膜を用いた電子励起型発光デバイスの特性評価神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫工技セ^{3 ○（D）}来山真也¹，岩橋進哉¹，喜多　隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³