14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

16a-E1 - 1〜10

• 1「半導体B分科内招待講演」（30分）
  ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池東北大金研¹，京大化研^{2 ○}宇佐美徳隆¹，藩　伍根¹，太野垣健²，木口賢紀¹
• 2環境半導体BaSi₂ の結晶性・電気特性評価筑波大院¹，物材機構²，JST-CREST^{3 ○}馬場正和¹，Karolin Jiptner²，藤　克昭¹，都甲　薫¹，関口隆史^2,3，末益　崇^1,3
• 3BaSi₂エピタキシャル薄膜のバルク少数キャリア寿命の決定東北大金研¹，JST-CREST²，筑波大院^{3 ○（PC）}原　康祐^1,2，宇佐美徳隆^1,2，藤　克昭³，馬場正和³，都甲　薫³，末益　崇^2,3
• 4A new growth method for undoped BaSi₂ on n⁺-BaSi₂/p⁺-Si tunnel junction with high photoresponsivity towards high-efficiency thin-film solar cells筑波大応物¹，東北大²，JST-CREST^{3 ○}杜　偉傑¹，鈴野光史¹，藤　克昭¹，馬場正和¹，中村航太郎¹，Khan Muhammad Ajmal¹，都甲　薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益　崇^1,3
• 5MBE法によりエピタキシャル成長したBaSi₂膜中の不純物原子の格子・粒界拡散の評価筑波大院電子・物理¹，JST-CREST^{2 ○}中村航太郎¹，藤　克昭¹，馬場正和¹，K.M. Ajmal¹，W. Du¹，都甲　薫¹，末益　崇^1,2
•  休憩　10:30〜10:45
• 6Temperature dependent I-V characteristics of Sb doped n-BaSi₂ films on Si(111) grown by MBE and investigation of ohmic contactsUniversity of Tsukuba¹，Tohoku University²，JST-CRESTO, Japan^{3 ○}Ajmal Khan¹，Takanobu Saito¹，Koutaro Nakamura¹，Masakazu Baba¹，Katsuaki Toh¹，Weijie Du¹，Kaoru Toko¹，Noritaka Usami^2,3，Takashi Suemasu^1,3
• 7BaSi₂の格子定数の温度依存性物材機構 ^○今井基晴
• 8Si(111)上に高品質成長したFe₃Si薄膜の室温スピン偏極率の検討九大・院システム情報¹，JST さきがけ^{2 ○（B）}藤田裕一¹，山田晋也¹，前田雄也¹，沖宗一郎¹，宮尾正信¹，浜屋宏平^1,2
• 9Fe₂MnSi/Ge(111)エピタキシャル界面:相互拡散のMn組成依存性京大院エネルギー科学¹，原子力機構^{2 ○}松倉武偉¹，中島孝仁¹，西村健太郎¹，鳴海一雅²，境　誠司²，前田佳均^1,2
• 10Si基板上へのCdF₂成長におけるエピタキシャルシリサイドバッファ層の化学反応抑制効果の検討東工大総理工 ^○萱沼良介，田村智晃，高橋慶太，筒井一生
•  昼食　12:00〜13:30

16p-E1 - 1〜20

• 1ふく射制御のためのFeSi₂コラム周期配列のボトムアップ形成-II京大院工 ^○兼子泰幸，鈴木基史，中嶋　薫，木村健二
• 2β-FeSi₂ナノ結晶の発光増強：アニールプロセス依存性京大院エネルギー科学 ^○西村健太郎，中島孝仁，松倉武偉，赤坂一行，前田佳均
• 3C₆₀イオン注入したβ-FeSi₂の発光挙動：結晶組織依存性京大院エネルギー科学¹，原子力機構^{2 ○}中島孝仁¹，西村健太郎¹，松倉武偉¹，鳴海一雅²，境　誠司²，前田佳均^1,2
• 4第一原理計算によるβ-FeSi₂直接遷移端変化の検証阪大院工¹，関大シス理工²，茨城大工^{3 ○}野田慶一¹，寺井慶和¹，高石洋輔¹，伊藤博介²，鵜殿治彦³，藤原康文¹
• 5低残留キャリア濃度β-FeSi₂エピタキシャル膜における磁気抵抗の温度依存性阪大院工 ^○寺井慶和，三浦直行，野田慶一，藤原康文
• 6原子状水素援用MBE法により作製したSi基板上β-FeSi₂薄膜の電気特性評価筑波大院電物 ^○（M1）舟瀬芳人，鈴野光史，都甲　薫，末益　崇
• 7Extended X-ray absorption spectroscopic study on nanocrystalline iron disilicide九大¹，九州シンクロトロン^{2 ○}陳　　立¹，プロモス ナサポン¹，岡島敏浩²，冨永亜希¹，吉武　剛¹
• 8Local structure of carbon-doped NC-FeSi2 by pulsed laser deposition九大¹，九州シンクロトロン^{2 ○}陳　　立¹，プロモス ナサポン¹，岡島敏浩²，冨永亜希¹，吉武　剛¹
• 9高配向鉄シリサイド薄膜作製のための基板スパッタ処理条件の探索原子力機構¹，茨大理^{2 ○}山口憲司¹，浜本　悟²，北條喜一¹
• 10超低速集束イオンビームを用いた薄膜SOI基板上での鉄シリサイド形成九工大工　¹，イオンテクノセンター^{2 ○}救　佑輔¹，中尾　基¹，長町信治²
• 11鉄蒸着Si(111)表面からの固相反応による厚膜β-FeSi₂層形成山形大院理工 ^○（D）籾山克章，鹿又健作，久保田繁，廣瀬文彦
•  休憩　16:15〜16:30
• 12スパッタリング法によるMg-Si膜の作製東工大¹，神奈川県産業技術センター^{2 ○（M1）}片桐淳生¹，松島正明¹，秋山賢輔²，舟窪　浩¹
• 13Si(100)基板上へのMg2Si薄膜の固相成長と諸特性明大理工 ^○佐藤　慧
• 14マグネシウムシリサイドpn 接合フォトダイオードの特性評価茨城大 ^○（M1）山中雄介，鵜殿治彦，高橋良幸
• 15Mg₂Si格子へのCu,Ag,及びAuのドープサイトについてのエネルギー計算産総研¹，岡山理大理²，津山高専工^{3 ○}今井庸二¹，森　嘉久²，中村重之³，財部健一²
• 16Sn溶媒からの板状Mn₄Si₇ 結晶の成長茨城大工 鵜殿治彦，氏家裕介，^○石田大輔
• 17化学気相輸送法によるMnSi_2-x単結晶の成長と評価東北大院工¹，東北大多元研^{2 ○}佐藤俊介¹，打越雅仁²，三村耕司²，一色　実²
• 18CrCl₂粉末を用いたSi基板上へのCrSi₂ナノ構造の成長静大工 ^○李　　文，孟　二超，松下智冶，蔡　単明，臼田祐希，立岡浩一
• 19MoS₂ を用いた溶融塩法によるMoSi₂粉末の作製静大工 ^○石川大輔，中根海斗，野々村知美，李　　文，立岡浩一
• 20a-SiGe/SiGe粒界上偏析構造の第一原理計算茨大工 ^○山田翔世，圖師優磨，永野隆敏

17p-GP17 - 1〜17

• 1Au及びCuで表面改質したSi基板上のβ-FeSi₂のPL発光神奈川県産技セ¹，東工大総理工²，九州大総理工^{3 ○}秋山賢輔¹，平林康男¹，舟窪　浩²，板倉　賢³
• 2Si上大粒径β-FeSi₂膜マイクロチャネルエピタキシーのためのマスク種及び試料作製条件の検討筑波大院電物¹，神奈川産技センター^{2 ○}鈴野光史¹，舟瀬芳人¹，虫生寛哉¹，秋山賢輔²，都甲　薫¹，末益　崇¹
• 3スパッタ法によるBaSi₂薄膜の形成と評価筑波大院電子物理¹，JST CREST²，東ソー^{3 ○}米山貴裕¹，岡田敦史¹，鈴野光史¹，渋田見哲夫³，松丸慶太郎³，都甲　薫¹，末益　崇^1,2
• 4Si(110)基板上BaSi₂薄膜の評価筑波大数理電物¹，東北大金研²，科学技術振興機構³，産総研⁴ 藤　克昭¹，小池信太郎¹，都甲　薫¹，原　康祐²，宇佐美徳隆^2,3，齋藤徳之⁴，吉澤徳子⁴，^○末益　崇^1,3
• 5RFマグネトロンスパッタ法によるMg₂Si薄膜の作製と電気的特性大阪市工研 ^○谷　淳一，木戸博康
• 6マグネトロンスパッタ法による熱電用Mg₂Si膜の合成茨城大工 ^○竹崎誠朗，鵜殿治彦
• 7Mo微粒子を添加したMg₂Si結晶の合成と熱電特性茨城大工¹，物材機構² 高橋良幸¹，^○蓮沼　慎¹，磯田幸宏²，鵜殿治彦¹
• 8単相Mn-Si結晶チムニーラダー構造のHAADF-STEM原子像観察九大総理工¹，茨城大工^{2 ○}吹留佳祐¹，本村俊一¹，光原昌寿¹，板倉　賢¹，西田　稔¹，鵜殿治彦²
• 9Si基板上の弗化物ヘテロ構造成長のためのCoSi₂バッファ層成長東工大総理工 ^○田村智晃，萱沼良介，高橋慶太，筒井一生
• 10リチウム２次電池正極材料Li₈GeN₄の結晶作成と物性評価法政大¹，大阪教育大^{2 ○}桑野慎一¹，青山晴宣¹，栗山一男¹，串田一雅²
• 11LiMg_0.9Zn_0.1Nの結晶作成と物性評価法政大学¹，大阪教育大^{2 ○（M2）}井上裕輔¹，桑野慎一¹，栗山一男¹，串田一雅²
• 12C希土類構造を持つ新規磁気光学材料の探索千歳科技大 ^○知花優太郎，高橋拓也，小山智丈，小田久弥，山中明生
• 13Eu-Al₂O₃とEu-SrAl₂O₄の光学特性千歳科技大 ^○古川翔子，大門智範，堀内大嗣，山中明生
• 14窒化炭素薄膜の白色発光素子への応用に向けた発光特性評価龍谷大理工¹，津山高専²，岡山理大^{3 ○}佐竹聖樹¹，澤畠淳二²，寺元統人²，伊藤國雄²，亀友健太³，財部健一³，山本伸一¹
• 15アモルファス窒化炭素薄膜のPLスペクトルの温度依存性解析津山高専¹，岡山理科大²，龍谷大理工^{3 ○}澤畠淳二¹，寺元統人¹，森　由衣¹，中村重之¹，伊藤國雄¹，亀友健太²，山本伸一³，財部健一²
• 16Mg-C交互積層膜の水酸化処理と電気的特性東海大開発工¹，東海大産業工^{2 ○}遠藤大輔¹，千葉雅史¹，清田英夫²
• 17CNC-MgO複合化材料の結晶化と光電子放出特性龍谷大理工¹，兵庫県立工業技術センター^{2 ○}中川拓哉¹，金子晋也¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹

18p-E1 - 1〜8

• 1半導体中の欠陥反応の機構和歌山大シス工 ^○鈴木圭以，篠塚雄三
• 2多波長光照射によるマイクロ波フリーキャリヤ吸収を用いた半導体少数キャリヤ消滅特性の調査農工大工 ^○滝口裕太，永尾友一，蓮見真彦，鮫島俊之
• 3新規窒化炭素化合物C₂N₂(CH₂)の相境界条件に関する実験的研究岡山理大¹，東大物性研²，岡大地科研^{3 ○}寒川匡哉¹，森　嘉久¹，財部健一¹，岡田　卓²，八木健彦²，富岡尚敬³
• 4タングステンとカーボンの積層薄膜の形成と熱処理によるシート抵抗の変化東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}田中祐樹¹，Tuokedaerhan Kamale¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西岡　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 5Work Function Measurement of C/W Stacked Structure on SiO₂ Gage Dielectrics東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}トクダレハン カマリ¹，田中祐樹¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 6酸素雰囲中Al蒸着によるAlO_x形成を用いたSi表面パッシベーション東農大工¹，日新電機^{2 ○}永冨佳将¹，鮫島俊之¹，宿久明日香²，高橋英治²，安東靖典²
• 7リモート酸素プラズマ処理と高圧水蒸気熱処理によるシリコン表面パッシベーション農工大工 ^○永冨佳将，蓮見真彦，鮫島俊之
• 8サファイア基板上α-Ga₂O₃薄膜の格子緩和機構の解明京大院工 ^○金子健太郎，藤田静雄