14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

17p-GP18 - 1〜6

• 1溶液処理によるInAlN表面自然酸化膜の除去北大量集センター 中野拓真，^○赤澤正道
• 2Pt触媒を用いた水分子によるGaN表面エッチング現象初期過程の第一原理計算による解明阪大院工 ^○大上まり，稲垣耕司，山内和人，森川良忠
• 3GaN自立基板上のn-GaN面内ホールトラップ濃度分布愛知工大¹，豊田中研^{2 ○}松村俊哉¹，丸山雄史¹，山口真太朗¹，山田悠二郎¹，本田銀熙¹，徳田　豊¹，上田博之²，成田哲生²，上杉　勉²，加地　徹²
• 4GaNのArプラズマエッチングへのUV光照射効果中部大¹，兵庫県立大高度研²，徳島大院工^{3 ○}中野由崇¹，中村圭二¹，新部正人²，川上烈生³，伊藤慎祥¹，小高拓也²，稲岡　武³，富永喜久雄³
• 5AlGaN/GaN ヘテロ接合構造を用いたプラズマ照射誘起欠陥評価首都大理工 ^○瀧本拓真，中村成志，奥村次徳
• 6高濃度オゾンガスによる水酸基ラジカルの生成明電舎¹，産総研^{2 ○}三浦敏徳¹，亀田直人¹，花倉　満¹，野中秀彦²，中村　健²

18a-E2 - 1〜10

• 1オゾンガス中の窒素酸化物除去技術岩谷産業¹，産総研^{2 ○}古谷政博¹，西村　宏¹，中村貞紀¹，井上吾一¹，小池国彦¹，黒河　明²
• 2表面活性化ウェハボンディングによる半導体接合の特性評価大阪市大工¹，NTT PH研²，東大先端研^{3 ○}重川直輝¹，渡邉則之²，日暮栄治³
• 3光容量分光法によるn型GaN中の極深準位評価首都大理工 ^○吉田朗子，中村成志，奥村次徳
• 4荷電状態に依存したn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の回復挙動首都大理工 ^○竹下浩司，中村成志，奥村次徳
• 5p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響福井大院工¹，日立電線²，法政大^{3 ○}高橋利文¹，金田直樹²，三島友義²，野本一貴³，塩島謙次¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Al₂O₃/ICPエッチGaN構造の界面評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}金　聖植¹，堀　祐臣¹，橋詰　保^1,2
• 7GaN上にALD成膜したAlO_xの膜質及び界面評価名工大 ^○（M1）岩田康宏，久保俊晴，江川孝志
• 8AlGaN/GaNヘテロ構造の電気化学酸化と界面評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}東石直樹¹，橋詰　保^1,2
• 9陽極酸化法によるn-GaAs(111)B表面へのポーラス構造の作製農工大工 ^○森　拓也，森下義隆
• 10電気化学的手法によるInP 多孔質構造の形成と孔の位置制御北大量集セ ^○神保亮平，谷田部然冶，佐藤威友
•  昼食　11:45〜13:00

18p-E2 - 1〜5

• 1光応答法によるTi/Alオーミック電極形成初期過程の評価福井大院工¹，オプトランス^{2 ○}出店克顕¹，横浜秀雄^1,2，荒木賀行²，塩島謙次¹
• 2微細メタルS/D InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金層の形成とその熱的安定性産総研GNC ^○入沢寿史，小田　穣，手塚　勉
• 3多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極の断面形状制御東北大通研 ^○吉田智洋，鹿野優毅，尾辻泰一，末光哲也
• 4n型Boron Phosphide (BP)でのショットキー接触の評価慶大理工¹，湘南工科大^{2 ○}伊野裕司¹，亀山和俊¹，藤野能久¹，松本　智¹，西村鈴香²，寺島一高²
• 5化合物半導体デバイスの耐湿性超加速試験三菱電機先端総研¹，三菱電機波光電^{2 ○}寺田久美¹，佐々木肇²，日坂隆行²，門岩　薫²