12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

12.9 有機トランジスタ

3月15日 会場:GP11
ポスターセッション
ポスター掲示時間15:30〜17:30

15p-GP11 - 1〜29

  • 1熱アニールしたC8-BTBTトランジスタの電界効果移動度立命館大理工1,立命館大生命2 北濱晋次1,川口竜彦1,末永祐介2,花崎知則2,藤枝一郎1
  • 2C8-BTBTトランジスタの移動度の時間変化立命館大理工1,立命館大生命2 星野友哉1,川口竜彦1,末永祐介2,花崎知則2,藤枝一郎1
  • 3アルキル基を導入したジフェニルクリセンのOFET特性東海大工1,ウシオケミックス2 高橋義之1,大槻裕之2,岡本一男2,功刀義人1
  • 4ジチエノシロール誘導体の構造とトランジスタ特性東工大院理工 芦沢 実,目黒 守,谷岡明彦,森 健彦
  • 5有機半導体(テトラセン)の評価農工大 湯口貴彦,鬼木悠丞,岩崎好孝,上野智雄
  • 6トップゲート構造を有するP3HT FETの素子特性と動作安定性大阪府大院工1,RIMED2,帝人融合技研3 ○(M1)高木謙一郎1,永瀬 隆1,2,小林隆史1,2,串田 尚3,内藤裕義1,2
  • 7ジスチリルベンゼン誘導体積層薄膜OTFTの両極性動作九工大 三成将平,永松秀一,高嶋 授,早瀬修二,金藤敬一
  • 8液晶性ポリマーを用いた交流電圧駆動による有機発光トランジスタ奈良先端大物質 大塚雄介,石墨 淳,柳 久雄
  • 9積層コレクタ層によるp型MBOTの高性能化山形大1,有機エレクトロニクス研究センター2 ○(M2)秋庭涼太郎1,梅津公平1,城戸淳二1,2,中山健一1,2
  • 10酸化物半導体ドープしたペンタセン薄膜トランジスタ富山大 王 照奎,ワカスアラム ミル,中 茂樹,岡田裕之
  • 11イオンゲルを用いた RR-P3HT薄膜トランジスタの電子スピン共鳴(2)筑波大院数物1,東北大院理2,早大院先進3,JSTさきがけ4,東大院工5 ○(M2)辻 大毅1,高橋優貴1,松本大佑1,蓬田陽平2,竹延大志3,4,岩佐義宏5,丸本一弘1,4
  • 12ゲート誘電体中への不純物添加によるペンタセンFET 動作特性制御埼玉大院理工1,東大院新領域2 吉永裕亮1,菅沼洸一1,坂本 舞1,斉木幸一朗2,上野啓司1
  • 13光変換型ペンタセンFETにおける光照射条件の検討山形大院理工1,奈良先端大物質2,CREST3,有機エレクトロニクス研究センター4 大橋知佳1,3,山田容子2,3,中山健一1,3,4
  • 14Top Contact Pentacene Based Organic Thin Film Transistor with Bi-layer Metal Oxide/Au Electrodes富山大 ワカスアラム ミル,王 照圭,中 茂樹,岡田裕之
  • 15トップゲート構造を有する塗布型C8-BTBT FETにおける正孔注入層の効果大阪府大1,RIMED2,広島大3,日本化薬4,九大OPERA5 ○(M1)望月文雄1,宮田洋佑1,永瀬 隆1,2,小林隆史1,2,瀧宮和男3,池田征明4,5,内藤裕義1,2
  • 16分子ドーピングによるボトムコンタクト型pチャネルOFETの特性向上京大院工1,東洋大バイオナノ2 ○(M2)若月雄介1,山岸裕史1,野田 啓1,和田恭雄2,鳥谷部達2,松重和美1
  • 17溶液プロセスにより作製したTMTSF-TCNQ OFETの特性制御和歌山大システム工 縄田卓也,山門英雄,宇野和行,田中一郎
  • 18酸化モリブデン/アルミ電極を有するDNTT薄膜トランジスタ神戸大工1,東大ナノ量子機構2,東大生研3 ○(B)奥田修平1,北村雅季1,2,荒川泰彦2,3
  • 19白金電極を有するボトムコンタクト型DNTT薄膜トランジスタ神戸大工1,東大ナノ量子機構2,東大生研3 北村雅季1,2,奥田修平1,荒川泰彦2,3
  • 20埋め込み電極によるトップゲート型C8-BTBT FETの高性能化大阪府大1,大阪府大分子エレクトロニックデバイス研2,広島大3,日本化薬4,九州大OPERA5 木村 友1,望月文雄1,永瀬 隆1,2,小林隆史1,2,瀧宮和男3,池田征明4,5,内藤裕義1,2
  • 21スタンプ法による自己組織化単分子膜の観察と高解像度局所制御東大工1,マックスプランク研究所2,広島大学3,日本化薬4 平田郁恵1,Ute Zschieschang2,Frederik Ante2,横田知之1,栗原一徳1,山本達也3,瀧宮和男3,池田征明4,桑原博一4,Hagen Klauk2,関谷 毅1,染谷隆夫1
  • 22多重内部反射型赤外吸収分光法によるP3HT薄膜へのF4TCNQドーピングによるキャリア生成の観察東北大通研 但木大介,Teng Ma,木村康男,庭野道夫
  • 23ペンタセンの結晶粒径によるサブスレッショルド特性の改善東工大総理工1,建国大2 高山和朗1,神野浩介1,廖  敏1,宋 永旭1,石原 宏2,大見俊一郎1
  • 24基板上のTIPSペンタセン薄膜構造: MD計算による解析 IV産総研1,日立中研2 米谷 慎1,川崎昌宏2,安藤正彦2
  • 25有機半導体中の電荷移動特性予測方法の検討九大OPERA1,新日鐵化学2,九州先端研3 長浜拓男1,2,宮崎 浩1,2,吉村和明2,川田敦志2,八尋正幸1,3,安達千波矢1
  • 26有機トランジスターの熱劣化とキャリア注入及び輸送時間の比率の関係東工大1,スロバキア工大2 ○(D)李 建権1,マーティン ワイス2,田口 大1,間中孝彰1,岩本光正1
  • 27有機発光トランジスタの発光時の電界分布:EFISHG 測定東工大1,檀国大2 益子泰裕1,田口 大1,林 銀珠2,間中孝彰1,岩本光正1
  • 28有機半導体-ゲート絶縁膜界面でのGauss型状態密度分布の形成モデル東工大像情報1,JST-CREST2 大野 玲1,2,半那純一1,2
  • 29半導体コロイダルドットを用いた有機メモリFETにおける書き込み特性のドットサイズ依存性和歌山大システム工 梶本かおり,宇野和行,田中一郎

12.9 有機トランジスタ

3月16日 9:00〜17:45  会場:F9

16a-F9 - 1〜10

  • 1チエノキノイド薄膜トランジスタにおける両極性電荷輸送特性の膜厚依存性と分子パッキング構造理研1,東理大基礎工2,横国大院環情3,Ewha Womans Univ.4 青山哲也1,渡邉 智2,松本睦良2,橋爪大輔1,石塚亜弥1,3,松本真哉1,3,武藤豪志1,高石和人1,村中厚哉1,内山真伸1,Jean-Charles Ribierre1,4
  • 2フロー・コーティング法で作製した高配向TIPS-ペンタセンFET物材機構 坂本謙二,上野純一,キリル ブルガレビッチ,三木一司
  • 3イオン液体表面における熱変換型ペンタセンの結晶成長とそのトランジスタ特性阪大理1,阪大産研2 ○(M2)添田淳史1,岡本敏宏2,中澤康浩1,竹谷純一1,2
  • 4熱安定性を有する可溶性BTBT誘導体の開発とFET応用東工大1,JST-CREST2 飯野裕明1,2,臼井孝之1,2,小堀武夫1,2,半那純一1,2
  • 5DNTT系有機トランジスタの性能と分子構造との相関広島大院工 姜 明辰,宮碕栄吾,尾坂 格,瀧宮和男
  • 6ナフトジチオフェンを有する新規ドナーアクセプター型半導体ポリマーを用いた有機電界効果トランジスタ広島大院工1,JASRI2 阿部 達1,島脇雅史1,品村祥司1,小金澤智之2,尾坂 格1,瀧宮和男1
  • 7新奇なV字型縮環パイ共役系分子の高性能有機トランジスタ阪大産研1,リガク2 山岸正和1,三津井親彦1,岡本敏宏1,広瀬友里1,三輪一元1,中原勝正1,添田淳史1,佐藤寛泰2,山野昭人2,植村隆文1,竹谷純一1
  • 8アルキル置換V字型縮環パイ共役系分子の創製と高性能塗布型有機トランジスタ阪大産研1,リガク2,京大化研3,JSTさきがけ4 岡本敏宏1,三津井親彦1,山岸正和1,添田淳史1,広瀬友里1,中原勝正1,佐藤寛康2,山野昭人2,吉田弘幸3,4,植村隆文1,竹谷純一1
  • 9新規なキナクリドン系半導体ポリマーの合成とOFETへの応用広大院工1,JASRI2 秋田誠広1,小金澤智之2,尾坂 格1,瀧宮和男1
  • 10Regioregularチオフェンオリゴマーを有するポリフルオレン誘導体の分子構造と電界効果移動度佐賀大1,物材機構2 江良正直1,坂口幸一1,安田 剛2
  •  昼食 11:30〜13:00

16p-F9 - 1〜18

  • 1イオン液体を用いた有機単結晶育成とイオン液体ゲートFET特性東工大応セラ研1,電中研2 ○(PC)武山洋子1,小野新平2,松本祐司1
  • 2サルフラワー薄膜の電子物性と電気二重層トランジスタ名大院理1,名大物国研2 ○(DC)藤本卓也1,松下未知雄1,阿波賀邦夫2
  • 3熱硬化型フッ素系高分子絶縁膜を用いた高分子TFTの高性能化山形大工1,旭硝子2,山形大ROEL3 ○(B)南木 創1,伊藤昌宏2,奥 慎也3,福田憲二郎1,3,熊木大介3,水上 誠3,時任静士3
  • 4MoO3キャリア発生層を有するペンタセン電界効果トランジスタの作製と評価新潟大院自然1,長岡高専電子制御2,新潟大超域研3 佐藤恭央1,皆川正寛2,馬場 暁1,3,新保一成1,3,加藤景三1,3,金子双男1,3
  • 5銅電極を用いたボトムコンタクト型有機TFTの高性能化山形大工1,山形大ROEL2 ○(B)宇津野裕弥1,奥 慎也2,水上 誠2,熊木大介2,時任静士2
  • 6インクジェット法による高均一非晶質C60薄膜の作製と高移動度(>2.4 cm2/V・s) n-channelトランジスタの実現東大ナノ量子機構1,東大生研2,神戸大院工3 康 宇建1,2,北村雅季1,3,荒川泰彦1,2
  • 7ダブルショット・インクジェット法による単結晶薄膜成長のその場観察産総研FLEC 野田祐樹,峯廻洋美,山田寿一,長谷川達生
  • 8高撥水性基板上における有機半導体の簡易成膜プロセス開発III:プッシュコート法を介したパターン形成産総研 FLEC 井川光弘,松井弘之,峯廻洋美,堤 潤也,山田寿一,長谷川達生
  • 9親撥液性を利用した銀ナノ粒子電極のパターニング手法山形大工1,山形大ROEL2,山形大院理工3 ○(B)竹田泰典1,小林 悠1,清水雅浩1,関根智仁1,福田憲二郎2,熊木大介2,栗原正人3,坂本政臣3,時任静士2
  •  休憩 15:15〜15:30
  • 10室温焼成印刷銀電極を用いた有機電子回路山形大ROEL1,山形大理2 福田憲二郎1,関根智仁1,小林 悠1,竹田泰典1,清水雅浩1,山下尚哉1,熊木大介1,栗原正人2,坂本正臣2,時任静士1
  • 113端子容量-電圧測定によるペンタセン電界効果トランジスタのチャネル形成過程の観測千葉大院融合1,千葉大先進2,アウグスブルク大3 ○(DC)田中有弥1,野口 裕1,2,Michael Kraus3,Wolfgang Bruetting3,石井久夫1,2
  • 12電荷変調分光法による2層積層両極性トランジスタのキャリア伝搬レイヤの検討東工大 張  楽,田口 大,小俣宏貴,間中孝彰,岩本光正
  • 13イオンゲルゲートトランジスタにおける立体規則性ポリヘキシルチオフェンの可変領域ホッピング伝導名大院工 安藤良洋,伊東 裕,渡辺峻一郎,田中久暁,黒田新一
  • 14ジナフトチエノチオフェン薄膜トランジスタにおけるキャリアの電子状態京大院理1,阪大産研2 宮田潔志1,石野雄太1,渡邊一也1,三輪一元2,植村隆文2,竹谷純一2,松本吉泰1
  • 15波束ダイナミクスによる有機半導体のキャリア伝導計算筑波大数物1,阪大産研2 ○(P)石井宏幸1,植村隆文2,竹谷純一2,小林伸彦1
  • 164端子電界効果トランジスタ測定による高移動度導電性高分子の低温電気伝導特性名大院工 伊東 裕,野崎智史,山田悠真,渡辺峻一郎,田中久暁,黒田新一
  • 17時間分解顕微光第二次高調波測定によるペンタセンFET素子のキャリア輸送とトラップ準位の評価東工大院理工1,北京航空航天大2 田中康之1,間中孝彰1,岩本光正1,柳  飛2
  • 18TRM-SHG法によるポリビニルフェノールをゲート絶縁膜とするペンタセンFETの自発的チャネル形成過程の直接観察東工大1,丸善石油化学2 正田 洋1,田口 大1,間中孝彰1,岩本光正1,飯塚徹也2,西浦崇雄2,竹森利郁2

12.9 有機トランジスタ

3月17日 9:00〜15:30  会場:F9

17a-F9 - 1〜10

  • 1印刷法を用いたセルフコンタクト有機トランジスタ東工大院 角屋智史,森 健彦
  • 2静電スプレー堆積法によるボトムコンタクト型TIPSペンタセン電界効果トランジスタの作製山梨大 小野島紀夫,西尾直倫,加藤孝正
  • 3液晶性を活用した有機半導体層のパターニング手法の開発大日本印刷1,東工大像情報2,JST-CREST3 藤本慎也1,3,冨野 健1,3,前田博己1,3,飯野裕明2,3,小堀武夫2,3,臼井孝之2,3,半那純一2,3
  • 4ナノインプリント法で作製した段差型有機トランジスタの特性評価千葉大院工1,千葉大教育2 相野 類1,吹山雅浩1,山内 博1,飯塚正明2,酒井正俊1,工藤一浩1
  • 5弾性歪みによる有機トランジスタのキャリア挙動の変化の解東工大電物 山本哲也,阿部洋平,田口 大,間中孝彰,岩本光正
  • 6溶融法を用いたフレキシブル有機結晶FETの作製と曲げ特性評価千葉大院1,奈良先端2 岡本樹宜1,井上敦夫1,城寶祐輝1,酒井正俊1,山内 博1,中村雅一2,工藤一浩1
  • 7UVインプリント法を利用したフレキシブル三次元トランジスタの開発大阪府産技研1,阪大産研2,広大院工3 ○(PC)李 万燕1,2,宇野真由美1,2,植村隆文2,瀧宮和男3,竹谷純一2
  • 8サブフェムトリッターインクジェット装置を用いた微細電極の特性評価と低電圧駆動回路応用東大工1,マックスプランク研究所2,広島大3,日本化薬4,JST, ERATO5 横田知之1,加藤 裕1,野口儀晃1,Ute Zschieschang2,Hagen Klauk2,山本達也3,瀧宮和男3,池田征明4,桑原博一4,関谷 毅1,5,染谷隆夫1,5
  • 9有機トランジスタ電極界面への化学ドープによるコンタクト抵抗最小化物材機構1,理研2,JST-CREST3 三成剛生1,2,Peter Darmawan1,塚越一仁1,3
  • 10カーボンナノチューブ転写電極を用いた高分子半導体トランジスタの作製信州大工 ○(M1)金井 涼,伊東栄次
  •  昼食 11:30〜13:00

17p-F9 - 1〜10

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    ESR法でみる多結晶OTFTの結晶粒界ホッピングと実効移動度の相関
    産総研1,山形大有機エレ2,住化分析センター3,広大工4 松井弘之1,熊木大介2,高橋永次3,井川光弘1,尾坂 格4,阿部 達4,瀧宮和男4,時任静士2,長谷川達生1
  • 2「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    有機半導体単結晶薄膜のインクジェット印刷
    産総研1,東大工2,物構研PF3 峯廻洋美1,山田寿一1,千葉亮輔1,2,松井弘之1,堤 潤也1,Haas Simon1,熊井玲児1,3,長谷川達生1
  • 3パリレン/テフロン二層型絶縁膜を用いた有機薄膜トランジスタのDCバイアスストレス安定性改善山形大ROEL 福田憲二郎,鈴木達也,熊木大介,時任静士
  • 4共通フローティングゲートキャパシタを用いたフレキシブル有機トランジスタの閾値電圧制御東大工1,広島大工2,日本化薬3,ERATO4,東大ナノ量子機構5 徳原健富1,横田知之1,中川 隆1,山本達也2,瀧宮和男2,池田征明3,桑原博一3,関谷 毅1,4,染谷隆夫1,4,5
  • 5静電気緩和回路のための有機トランジスタの閾値制御東大工1,セントラルフロリダ大2,仁荷大3,浦項工大4,逢甲大5,JST/ERATO6 栗原一徳1,Wen Liu2,Juin Liou2,福田憲二郎1,関谷 毅1,J. Chung3,Yoon-Ha Jeong4,Zhixin Wang2,Cheng-Li Lin5,染谷隆夫1,6
  • 6シルクフィブロイン上への有機トランジスタの作製と集積回路応用東大工1,マックスプランク研究所2,広大工3,JST-ERATO4 ○(M2)加藤 裕1,横田知之1,Ute Zschieschang2,Hagen Klauk2,瀧宮和男3,関谷 毅1,4,染谷隆夫1,4
  • 7イオン液体を用いた低電圧駆動有機トランジスタの高速化阪府産技研1,阪大産研2 宇野真由美1,2,植村隆文2,三輪一元2,竹谷純一2
  • 8Organic Magnetoresistance in Ambipolar Field-effect Transistors Based on Bilayer of Pentacene and Perfluoropentacene阪大基礎工 Toan Pham,Yoshitaka Kawasugi,Hirokazu Tada
  • 9塗布可能材料を用いた積層型CMOSの作製千葉大 小寺 勲,山内 博,酒井正俊,國吉繁一,飯塚正明,工藤一浩
  • 10ポリマー塗布層をコレクタ層に用いた縦型メタルベース有機トランジスタ山形大院理工1,有機エレクトロニクス研究センター2 梅津公平1,秋庭涼太郎1,城戸淳二1,2,中山健一1,2