13. 半導体A（シリコン）

16p-GP5 - 1〜10

• 1ラジカル反応でドープしたP原子の分布とキャリア濃度の関係北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}早川太朗^1,2，中島裕貴^1,2，太田立教^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
• 2反復剥離法を用いたFin構造の上面および側面におけるドーピングプロファイル測定東工大 ^○秋田洸平，宮田陽平，金原　潤，筒井一生，角嶋邦之，アヘメト パールハット，岩井　洋
• 3Heイオン照射シリコンp⁺nダイオードの順バイアス熱処理住重試験検査¹，愛知工大^{2 ○}伊藤成志¹，坂根　仁¹，中井雅文²，松村俊哉²，本田銀熙²，徳田　豊²
• 4Te化法によるGeSbTe膜の高アスペクト比ホール内組成制御明大¹，気相成長²，東京エレクトロン³，豊田工大^{4 ○}須田耕平¹，堀池喬文¹，浜田せいち¹，宇納知寛¹，町田英明²，石川真人²，須藤　弘²，有馬　進³，河野有美子³，大下祥雄⁴，小椋厚志¹
• 5ポリカーボネート基板上に形成された多結晶Si薄膜の結晶成長 -DCマグネトロンスパッタリング法による非晶質Siからのレーザ結晶化-山口大院理工¹，九大院シス情^{2 ○}河本直哉¹，只友一行¹，中川　豪²，浅野種正²
• 6結晶化誘発YSZ層のプレアニールによる非晶質Si薄膜の固相結晶化への影響北陸先端大 ^○竹本和幸，森井健太，堀田　將
• 7ボトムゲート電極を有したYSZ ゲート絶縁膜上への固相結晶化Si薄膜の形成北陸先端大 ^○森井健太，竹本和幸，堀田　將
• 8フレキシブルガラス基板上に形成された高性能低温poly-Si TFT東北学院大工 ^○近藤健二，加茂慎哉，原　明人
• 9埋め込み構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT東北学院大工 ^○尾形浩之，近藤健二，一條賢治，原　明人
• 10ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si_1-xGe_x TFT (3)東北学院大工¹，島根大総合理工^{2 ○}岡部泰典¹，鈴木順季²，北原邦紀²，原　明人¹

17a-A6 - 1〜11

• 1塩化金属還元法を用いたSi薄膜形成山形大院理工 ^○（M2）柴田　明，渡邉雄仁，鹿又健作，鈴木貴彦，廣瀬文彦
• 2クロロシラン系原料分解における水素ラジカル効果物材機構¹，法政大²，東大新領域^{3 ○}久保田誠^1,2，秋月智大^1,2，羽成　優^1,2，鯉沼秀臣³，石垣隆正²，角谷正友¹
• 3ナノクラスター支援メゾプラズマCVDによるパターン基板上高速単結晶Si厚膜堆積技術東京大工 ^○（D）陳　豊文，神原　淳，吉田豊信
• 4ナノシリコン弾道電子源の還元効果による半導体薄膜堆積農工大・院･工 ^○（P）太田敢行，越田信義
• 5水中レーザーアニールによる多結晶シリコン薄膜の超低温形成奈良先端大¹，JST-CREST²，東洋紡績³，九大^{4 ○}町田絵美¹，堀田昌宏^{1, 2}，石河泰明^{1, 2}，浦岡行治^{1, 2}，奥山哲雄³，池上　浩⁴
•  休憩　10:15〜10:30
• 6376 nm紫外ダイオードレーザによるSi膜の溶融再結晶化島根大 ^○葉　文昌，新石倫大
• 7Characterization of Sputtered Poly-Silicon films by Using Blue-Multi-Laser-Diode Annealing for High Performance Displays琉球大工 ^○Jean de Dieu Mugiraneza，白井克弥，岡田竜弥，西ノ原拓磨，屋 佳佑，野口　隆
• 8スパッタ製膜したa-Si膜のブルーレーザアニール法による平坦な結晶化琉大工¹，プロダクトサポート²，ディスクテック^{3 ○}岡田竜弥¹，Jean de Dieu Mugiraneza¹，白井克弥¹，西ノ原拓磨¹，向　智之¹，屋 佳佑¹，野口　隆¹，井上和久²，山田一雄²，長谷川正仁³
• 9ブルーレーザアニール法によるフレキシブルガラス基板上のアモルファスSi薄膜の結晶化琉球大工¹，コーニングジャパン^{2 ○}白井克弥¹，Jean de Dieu Mugiraneza¹，岡田竜弥¹，野口　隆¹，伊藤丈二²
• 10FLAによるスパッタ／蒸着積層a-Si膜の結晶化北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 11ピエゾアクチュエータを用いたSi融液の高速タッピングによるアモルファスSi膜の結晶化広大院先端研 ^○赤澤宗樹，周　　袁，酒池耕平，東清一郎
•  昼食　12:00〜13:30

17p-A6 - 1〜14

• 1マイクロ熱プラズマジェット照射によるSi融液からの結晶成長の高時間分解能観察広大院先端研 ^○（D）林　将平，上倉敬弘，藤田悠二，池田弥央，酒池耕平，東清一郎
• 2アモルファスSi細線及びスリットマスクを用いたマイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向成長による結晶成長制御広大院先端研 ^○（M1）藤田悠二，林　将平，村上秀樹，東清一郎
• 3熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるガラス基板の非接触温度測定及びクラック発生条件の解明広大工¹，琉大工^{2 ○}田中敬介¹，岡田竜弥²，林　将平¹，芦原龍平¹，東清一郎¹
• 4近赤外半導体レーザ光照射によるPドープa-Si膜の不純物活性化と同時転写技術広大院先端研 ^○小林義崇，酒池耕平，中村将吾，東清一郎
• 5BLDAによるSi薄膜の活性化率向上と低抵抗化琉球大工¹，プロダクトサポート²，ディスク テック^{3 ○}野口　隆¹，岡田竜弥¹，白井克弥¹，ジャン ジャン ディユ ムギラネーザ¹，井上和久²，山田一雄²，長谷川正仁³
• 6ALD 法により堆積したAl2O3 薄膜をコントロール酸化膜に用いた低温poly-Si TFT フラッシュメモリの特性評価神戸高専¹，奈良先端大^{2 ○}市川和典¹，松江将博¹，赤松　浩¹，山崎浩司²，川村悠実²，堀田昌宏²，浦岡行治²
• 7数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法によるSOIウエハSi層膜厚均一化 -多電極型プラズマ発生装置の試作と評価-阪大院工 ^○武居弘泰，吉永圭之介，佐野泰久，松山智至，山内和人
•  休憩　15:15〜15:30
• 8非晶質SiGe多層膜の軟X線照射による結晶化兵庫県立大¹，兵庫県立大高度研²，九大^{3 ○}木野翔太¹，野々村勇希¹，部家　彰¹，松尾直人¹，天野　壮²，宮本修治²，神田一浩²，望月孝晏²，都甲　薫³，佐道泰造³，宮尾正信³
• 9SiGeミキシング誘起溶融成長法によるGOIテンプレートの形成九大・院システム情報 ^○牟田俊平，モハマド アニスッザマン，マナフ ビンハシム，宮尾正信，佐道泰造
• 10実装したトレンチIGBTの残留応力と閾値電圧の評価三菱電機先端研¹，三菱電機パワ電^{2 ○}清井　明¹，黒川博志¹，湊　忠玄²，原口友樹²，寺崎芳明²
• 11分子動力学法による立体構造シリコン中のストレス分布と界面構造欠陥の解析早大理工¹，早大ナノ機構^{2 ○}栗山　亮¹，青木直成¹，富田将典¹，図師知文²，渡邉孝信^1,2
• 12SiエッチングにおけるClF₃クラスターの添加ガス効果岩谷産業¹，京大院工^{2 ○}吉野　裕¹，妹尾武彦¹，井上吾一¹，小池国彦¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎²
• 13三次元半導体デバイスにおけるコンフォーマル成膜に関する研究旭サナック¹，東京応化工業²，九州大^{3 ○}清家善之¹，島井　太²，丸山健治²，佐藤晶彦²，土肥俊郎³，大坪正徳³，小林義典¹，宮地計二¹，黒河周平³，大西　修³
• 14SPM酸化によって作製する量子ドット位置制御のためのシリコン・テンプレート横国大院工¹，理研^{2 ○}酒井鉄平¹，山本翔平¹，重久龍太郎¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹

18a-A6 - 1〜11

• 1積層NiSi₂のシート抵抗の熱処理温度依存性に及ぼす基板の影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}田村雄太¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 2Ni/Si積層構造を用いたNiSi₂ショットキーのダイオード特性とB、Pの界面への導入による効果東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}吉原　亮¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 3極浅不純物深さ方向プロファイリングのためのオゾン酸化を用いたSiステップバイステップエッチングの不純物濃度依存性東工大総理工¹，東工大フロンティア研^{2 ○}武井優典¹，寺山一真¹，宮田陽平¹，金原　潤¹，筒井一生¹，角嶋邦之¹，アヘメト パールハット²，服部健雄²，岩井　洋²
• 4軟X線光電子分光法を用いたSi中Bの化学結合状態の熱処理温度依存性東工大¹，東京都市大²，高輝度科学研究センター^{3 ○}宮田陽平¹，金原　潤¹，秋田洸平¹，筒井一生¹，野平博司²，泉　雄大³，室隆桂之³，木下豊彦³，角嶋邦之¹，アヘメト パールハット¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 5軟X線光電子分光法によるSi中の極浅高濃度Bドープ層におけるクラスター濃度分布解析東工大総理工¹，東京都市大²，高輝度光科学研究センター³，東工大フロンティア研^{4 ○}金原　潤¹，宮田陽平¹，武井優典¹，寺山一真¹，筒井一生¹，野平博司²，泉　雄大³，室隆桂之³，木下豊彦³，アヘメト パールハット⁴，角嶋邦之¹，服部健雄⁴，岩井　洋⁴
• 6Cat-CVD法を用いたSiへのB原子のドーピング北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}太田立教^1,2，中島裕貴^1,2，早川太郎^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
•  休憩　10:30〜10:45
• 7EXAFS 法によるSi 結晶中のBiδドーピング層形成過程の研究1: 埋め込みBi 原子細線構造の局所構造解析物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³，東大院新領域^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，矢代　航⁴，日塔光一¹，坂田修身¹，三木一司^1,2
• 8Siへのクラスターイオン注入V - クラスターC co-implantationによるP拡散抑制と高活性化 -日新イオン機器 ^○Hiroshi Onoda，中島良樹，濱本成顕，永山　勉
• 9高濃度As⁺イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価広島大院先端物質科学研究科¹，名大院工^{2 ○（B）}小野貴寛¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 10SとP導入によるNiGe/nGeのショットキーバリアハイト低減MIRAI-東芝 ^○小池正浩，上牟田雄一，手塚　勉
• 11低障壁TiN/n-Geコンタクトの形成とコンタクト抵抗評価九大・総理工¹，九大・産学セ^{2 ○}山本圭介¹，原田健司¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²