5. 光エレクトロニクス

16a-F3 - 1〜11

• 1波長1.3μm帯量子ドットDFBレーザの150°C単一波長発振東大ナノ量子機構¹，東大生研²，QDレーザ³，富士通研^{4 ○}高田　幹¹，近藤勇人³，持田励雄^1,3，武政敬三³，影山健生³，山口正臣³，西　研一^1,3，山本剛之^1,3,4，菅原　充^1,3，荒川泰彦^1,2
• 21.3μm帯InAs/GaAs量子ドットハーフメサDFBレーザの解析東京都市大工¹，筑波大数²，産総研^{3 ○（M1C）}清水徹哉^1,3，酒井美享^2,3，天野　建³，A.M. Jahir³，小森和弘³，山本宗継³，岡野好伸¹，伊藤雅英²
• 3高積層InGaAs量子ドットレーザの発光特性の共振器長依存性首都大SD¹，情通機構^{2 ○}田之上文彦^1,2，佐伯吉章^1,2，菅原宏治¹，赤羽浩一²，山本直克²
• 4量子井戸無秩序化を用いて作製したInP系2μm波長帯レーザNTTフォトニクス研 ^○佐藤具就，布谷伸浩，藤澤　剛，松尾慎治
• 5Optical properties of InGaAs/GaAsSb Type-II quantum-well light-emitting diodes住友電工伝送デバイス研¹，住友電工半導体技術研^{2 ○}Sundararajan Balasekaran¹，稲田博史¹，猪口康博¹，村田道夫¹，勝山　造¹，藤井　慧²，石塚貴司²，秋田勝史²
•  休憩　10:15〜10:30
• 61.55μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの低電流40Gbps動作光電子融合基盤技術研¹，富士通²，富士通研究所^{3 ○}下山峰史^1,2,3，松田　学^1,2,3，奥村滋一³，植竹理人^1,2,3，江川　満^1,2,3，山本剛之³
• 7横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上東工大¹，東工大量子ナノ^{2 ○}信野圭祐¹，進藤隆彦¹，二見充輝¹，土居恭平¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 81.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温連続動作東工大電気電子工学専攻¹，東工大電気電子工学科²，東工大量子ナノ^{3 ○}佐藤孝司¹，白尾瑞基¹，佐藤憲明¹，行成元志²，西山伸彦^1,2，荒井滋久^1,2,3
• 9アクティブMMIレーザーの単一波長室温連続発振九大¹，NEC^{2 ○（DC）}日隈康裕¹，茶円　豊¹，姜　海松¹，木津昴明¹，萩尾拓真¹，中村誠希¹，田島章雄²，浜本貴一¹
• 10波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶レーザの作製NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}佐藤具就¹，武田浩司¹，硴塚孝明¹，長谷部浩一¹，新家昭彦²，野崎謙悟²，谷山秀昭²，納富雅也²，松尾慎治¹
• 11Whispering-galleryモード誘電体共振器の最適設計広大工 ^○竹澤晃弘，北村　充
•  昼食　12:00〜13:30

16p-F3 - 1〜15

• 1｢第9回光・電子集積技術業績賞（林巌雄賞）受賞記念講演｣（35分）
  面発光レーザフォトニクスの進展東工大 ^○小山二三夫
• 23次元構造面発光レーザの高屈折率差サブ波長格子を用いた横モード制御東工大 ^○樫野純一，今村明博，佐野勇人，小山二三夫
• 3Transverse Mode Control of VCSELs with High Contrast Sub-Wavelength Grating Functioning as Angular Filter東工大精研¹，カリフォルニア大バークレー校^{2 ○}佐野勇人¹，樫野純一¹，Adair Gerke²，今村明博¹，小山二三夫¹，Connie Chang-Hasnain²
• 4Bragg反射鏡導波路増幅器とMEMS VCSELを集積した光ビーム偏向素子の提案東工大 ^○中濱正統，顧　暁冬，島田敏和，小山二三夫
• 5チューナブル動作に向けたPbSrS/PbS 中赤外VECSELの作製静岡大院工 杉山裕太郎，伊左治祐也，樹神啓司，^○石田明広
• 6光周波数コムの注入同期特性の検討農工大院 ^○香田直樹，宝地戸俊介，柏木　謙，田中洋介，黒川隆志
• 7Self-mixing法による光結合効率の見積もりと量子カスケード・レーザの戻り光雑音評価立命館大 ^○井上智晴，津島浩一，笠原健一
• 8位相共役光発生に伴う共振器内光強度の減少と光出力の増大大阪市大工 ^○（M1）岩崎直紀，井上　誠，山口和真，宮崎大介，向井孝彰
•  休憩　15:50〜16:00
• 9An analysis of optical feedback noise based on multimode model of semiconductor lasers金大自然研電情 ^○Imran Sazzad，山田　実，桑村有司
• 10半導体光増幅器での強度雑音と周波数雑音の解析金沢大 ^○山田　実
• 11高感度センサ用大面積AlInAs APDアレイの開発三菱電機 ^○山路和樹，笹畑圭史，石村栄太郎，杉立厚志，紫村輝之
• 12高濃度n型Siコンタクト層によるSi導波路結合型Geフォトダイオードの高速化NTTマイクロシステム研¹，東大院工^{2 ○}開　達郎¹，高　　磊¹，西　英隆¹，土澤　泰¹，篠島弘幸¹，福田　浩¹，石川靖彦²，和田一実²，山田浩治¹
• 130.35μmBiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価金沢大理工¹，金沢大院自然^{2 ○}前北和晃¹，乙坂英志²，霜鳥敏之¹，丸山武男¹，飯山宏一¹
• 14CMOS-APDの青色波長帯での受光特性金沢大理工¹，金沢大院自然^{2 ○}霜鳥敏之¹，乙坂英志²，飯山宏一¹，丸山武男¹
• 15インクジェット法による有機(PEDOT:PSS)-無機(ZnSSe)半導体ハイブリッド構造紫外APD鳥取大 ^○（DC）稲垣雄介，胡　匡洋，Ayuni Nor，清水智至，大槻真史，筏津教行，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止

17p-GP12 - 1〜8

• 1Lifetime Estimation of LED Packages Using Complex-Stress Accelerated Lifetime TestKETI ^○Byungjin Ma，Sungsun Choi，Kwanhoon Lee
• 2スローライトSOAの2次元レイアウトによるビーム形状制御東工大・精研 ^○望月翔太，島田敏和，小山二三夫
• 3Taper Structure for Lateral Coupling from VCSEL To Slow Light Waveguide東工大精研 ^○Hamed Dalir，小山二三夫
• 4Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価東京都市大総研¹，東北大金研^{2 ○（M1）}千葉太一¹，徐　学俊¹，坪井俊紀¹，宇佐美徳隆²，丸泉琢也¹，白木靖寛¹
• 53層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析上智大理工 ^○三枝知充，岩根優人，吉田圭祐，山内雅之，吉川翔平，下村和彦
• 6InAs/InGaAs量子ドットを用いた1.3μm帯波長可変光源の開発情通機構¹，電機大工^{2 ○}吉岡佑毅^1,2，山本直克¹，赤羽浩一¹，川西哲也¹，高井裕司²
• 7チップ内光配線に向けた横接合導波路型GaInAsフォトダイオードの10Gb/s動作東工大電気電子¹，東工大量子ナノ^{2 ○}小口貴之¹，進藤隆彦¹，二見充輝¹，土居恭平¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 8Pt及びAu/n-Siショットキー障壁フォトダイオードの紫外領域特性の改善群馬大院工 ^○田邊彰悟，野口克也，伊藤和男