5. 光エレクトロニクス

5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

3月16日 9:00〜17:45  会場:F3

16a-F3 - 1〜11

  • 1波長1.3μm帯量子ドットDFBレーザの150°C単一波長発振東大ナノ量子機構1,東大生研2,QDレーザ3,富士通研4 高田 幹1,近藤勇人3,持田励雄1,3,武政敬三3,影山健生3,山口正臣3,西 研一1,3,山本剛之1,3,4,菅原 充1,3,荒川泰彦1,2
  • 21.3μm帯InAs/GaAs量子ドットハーフメサDFBレーザの解析東京都市大工1,筑波大数2,産総研3 ○(M1C)清水徹哉1,3,酒井美享2,3,天野 建3,A.M. Jahir3,小森和弘3,山本宗継3,岡野好伸1,伊藤雅英2
  • 3高積層InGaAs量子ドットレーザの発光特性の共振器長依存性首都大SD1,情通機構2 田之上文彦1,2,佐伯吉章1,2,菅原宏治1,赤羽浩一2,山本直克2
  • 4量子井戸無秩序化を用いて作製したInP系2μm波長帯レーザNTTフォトニクス研 佐藤具就,布谷伸浩,藤澤 剛,松尾慎治
  • 5Optical properties of InGaAs/GaAsSb Type-II quantum-well light-emitting diodes住友電工伝送デバイス研1,住友電工半導体技術研2 Sundararajan Balasekaran1,稲田博史1,猪口康博1,村田道夫1,勝山 造1,藤井 慧2,石塚貴司2,秋田勝史2
  •  休憩 10:15〜10:30
  • 61.55μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの低電流40Gbps動作光電子融合基盤技術研1,富士通2,富士通研究所3 下山峰史1,2,3,松田 学1,2,3,奥村滋一3,植竹理人1,2,3,江川 満1,2,3,山本剛之3
  • 7横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上東工大1,東工大量子ナノ2 信野圭祐1,進藤隆彦1,二見充輝1,土居恭平1,雨宮智宏2,西山伸彦1,荒井滋久1,2
  • 81.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温連続動作東工大電気電子工学専攻1,東工大電気電子工学科2,東工大量子ナノ3 佐藤孝司1,白尾瑞基1,佐藤憲明1,行成元志2,西山伸彦1,2,荒井滋久1,2,3
  • 9アクティブMMIレーザーの単一波長室温連続発振九大1,NEC2 ○(DC)日隈康裕1,茶円 豊1,姜 海松1,木津昴明1,萩尾拓真1,中村誠希1,田島章雄2,浜本貴一1
  • 10波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶レーザの作製NTTフォトニクス研1,NTT物性基礎研2 佐藤具就1,武田浩司1,硴塚孝明1,長谷部浩一1,新家昭彦2,野崎謙悟2,谷山秀昭2,納富雅也2,松尾慎治1
  • 11Whispering-galleryモード誘電体共振器の最適設計広大工 竹澤晃弘,北村 充
  •  昼食 12:00〜13:30

16p-F3 - 1〜15

  • 1「第9回光・電子集積技術業績賞(林巌雄賞)受賞記念講演」(35分)
    面発光レーザフォトニクスの進展
    東工大 小山二三夫
  • 23次元構造面発光レーザの高屈折率差サブ波長格子を用いた横モード制御東工大 樫野純一,今村明博,佐野勇人,小山二三夫
  • 3Transverse Mode Control of VCSELs with High Contrast Sub-Wavelength Grating Functioning as Angular Filter東工大精研1,カリフォルニア大バークレー校2 佐野勇人1,樫野純一1,Adair Gerke2,今村明博1,小山二三夫1,Connie Chang-Hasnain2
  • 4Bragg反射鏡導波路増幅器とMEMS VCSELを集積した光ビーム偏向素子の提案東工大 中濱正統,顧 暁冬,島田敏和,小山二三夫
  • 5チューナブル動作に向けたPbSrS/PbS 中赤外VECSELの作製静岡大院工 杉山裕太郎,伊左治祐也,樹神啓司,石田明広
  • 6光周波数コムの注入同期特性の検討農工大院 香田直樹,宝地戸俊介,柏木 謙,田中洋介,黒川隆志
  • 7Self-mixing法による光結合効率の見積もりと量子カスケード・レーザの戻り光雑音評価立命館大 井上智晴,津島浩一,笠原健一
  • 8位相共役光発生に伴う共振器内光強度の減少と光出力の増大大阪市大工 ○(M1)岩崎直紀,井上 誠,山口和真,宮崎大介,向井孝彰
  •  休憩 15:50〜16:00
  • 9An analysis of optical feedback noise based on multimode model of semiconductor lasers金大自然研電情 Imran Sazzad,山田 実,桑村有司
  • 10半導体光増幅器での強度雑音と周波数雑音の解析金沢大 山田 実
  • 11高感度センサ用大面積AlInAs APDアレイの開発三菱電機 山路和樹,笹畑圭史,石村栄太郎,杉立厚志,紫村輝之
  • 12高濃度n型Siコンタクト層によるSi導波路結合型Geフォトダイオードの高速化NTTマイクロシステム研1,東大院工2 開 達郎1,高  磊1,西 英隆1,土澤 泰1,篠島弘幸1,福田 浩1,石川靖彦2,和田一実2,山田浩治1
  • 130.35μmBiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価金沢大理工1,金沢大院自然2 前北和晃1,乙坂英志2,霜鳥敏之1,丸山武男1,飯山宏一1
  • 14CMOS-APDの青色波長帯での受光特性金沢大理工1,金沢大院自然2 霜鳥敏之1,乙坂英志2,飯山宏一1,丸山武男1
  • 15インクジェット法による有機(PEDOT:PSS)-無機(ZnSSe)半導体ハイブリッド構造紫外APD鳥取大 ○(DC)稲垣雄介,胡 匡洋,Ayuni Nor,清水智至,大槻真史,筏津教行,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止

5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

3月17日 会場:GP12
ポスターセッション
ポスター掲示時間15:30〜17:30

17p-GP12 - 1〜8

  • 1Lifetime Estimation of LED Packages Using Complex-Stress Accelerated Lifetime TestKETI Byungjin Ma,Sungsun Choi,Kwanhoon Lee
  • 2スローライトSOAの2次元レイアウトによるビーム形状制御東工大・精研 望月翔太,島田敏和,小山二三夫
  • 3Taper Structure for Lateral Coupling from VCSEL To Slow Light Waveguide東工大精研 Hamed Dalir,小山二三夫
  • 4Ge量子ドットを有するフリースタンディング構造Siマイクロリング共振器の作製とその光学特性の評価東京都市大総研1,東北大金研2 ○(M1)千葉太一1,徐 学俊1,坪井俊紀1,宇佐美徳隆2,丸泉琢也1,白木靖寛1
  • 53層InAs量子ドットアレイLEDのELスペクトルの解析上智大理工 三枝知充,岩根優人,吉田圭祐,山内雅之,吉川翔平,下村和彦
  • 6InAs/InGaAs量子ドットを用いた1.3μm帯波長可変光源の開発情通機構1,電機大工2 吉岡佑毅1,2,山本直克1,赤羽浩一1,川西哲也1,高井裕司2
  • 7チップ内光配線に向けた横接合導波路型GaInAsフォトダイオードの10Gb/s動作東工大電気電子1,東工大量子ナノ2 小口貴之1,進藤隆彦1,二見充輝1,土居恭平1,西山伸彦1,荒井滋久1,2
  • 8Pt及びAu/n-Siショットキー障壁フォトダイオードの紫外領域特性の改善群馬大院工 田邊彰悟,野口克也,伊藤和男