15. 結晶工学

15p-F12 - 1〜17

• 1SMART窒化物半導体太陽電池MBEプロセス開拓:(InN)₁/(GaN)_n短周期超格子エピタキシー制御千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA:太陽電池PJ^{4 ○}奥田貴洋¹，名倉晶則¹，草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 2SMART窒化物半導体太陽電池MBEプロセス開拓：格子変形InGaN混晶へのInN/GaN交互積層供給アプローチ千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA: SMART Solar Cell PJ^{4 ○}神田陽平¹，高橋洋平¹，草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 3SMART/InN超薄膜ナノ構造が挿入されたGaNダイオード接合特性千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA: SMART Solar Cell PJ^{4 ○}甲斐　聡¹，長縄健吾¹，草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 4InGaNベースタンデム太陽電池の理論解析千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA^{4 ○}橋本直樹^1,4，草部一秀^1,2,3,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 5ダブルヘテロ構造InGaN太陽電池の作製と評価東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}森田和樹¹，加藤雅樹¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 6窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入名城大・理工¹，名古屋大,赤崎記念研究センター^{2 ○（M1）}加賀　充¹，山下浩司¹，森田隆敏¹，桑野侑香¹，矢木康太¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2
•  休憩　14:30〜14:45
• 7n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討名城大理工 ^○桑野侑香，山下浩司，加賀　充，矢木康太，森田隆敏，松井健城，竹内哲也，岩谷素顕，上山　智，赤崎　勇
• 8ITO透明電極による窒化物半導体太陽電池の高性能化名城大理工¹，名大院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}山本翔太¹，藤井崇裕¹，森美貴子¹，近藤真一郎¹，中尾達郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 9集光下での窒化物半導体太陽電池の特性評価名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}森美貴子¹，山本翔太¹，桑原洋介¹，藤井嵩裕¹，杉山　徹¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 10熱安定高品位InGaNを用いた可視光ブラインド フォトダイオードの開発物材機構 ^○（P）Li-wen Sang，廖　梅勇，池田直樹，小出康夫，角谷正友
• 11中性子転換注入GaN中の炭素14とトリチウムの検出法大理工¹，大阪教育大²，京大原子炉^{3 ○}伊田孝寛¹，尾賀孝宏¹，栗山一男¹，串田一雅²，Q. Xu³，福谷　哲³
• 12High-Q (> 5000) AlN Photonic Crystal Nanobeam Cavities東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
•  休憩　16:15〜16:30
• 13MOCVD法を用いたCrNバッファ層上へのGaN結晶成長と縦型LED製作Wavesquare Inc.¹，東北大学際センター^{2 ○}李　錫雨¹，Meoungwhan Cho¹，八百隆文²
• 14CLO技術を用いた縦型高出力LEDの製作Wavesquare Inc.¹，東北大学際センター^{2 ○}Meoungwhan Cho¹，李　錫雨¹，八百隆文²
• 15LEDのpn接合部温度と寿命の相関東京理大理¹，平山製作所^{2 ○}林　秀樹¹，臼井翔吾¹，長沢敏勝²，五十嵐敬²，出浦桃子¹，大川和宏¹
• 16InGaN系発光ダイオードにおけるInGaN/GaN歪超格子の検討山口大 柏原博之，^○Haziq Muhammad，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
• 17r面サファイア加工基板上へ成長した半極性面 {11-22} InGaN上多重量子井戸層の光学特性山口大院理工 ^○内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行

16p-F12 - 1〜21

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  単結晶GaNにおける圧電分極異方性を利用したSchottky障壁高さのその場制御パナソニック¹，ノルウェー科学技術大学²，アールト大学^{3 ○}藤金正樹¹，横川俊哉¹，長尾至成²，Roman Nowak³
• 2TiマスクRF-MBE選択成長法によるAlGaN/GaNナノウォールFETの作製上智大理工¹，上智ナノテクセンター^{2 ○}菊池昭彦^1,2，井上大輔¹，山野晃司¹，蜂屋大樹¹，岸野克巳^1,2
• 3PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}丹所昂平¹，井上　茂¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2
• 4Study of the (0004) plane tilting in a thick AlN film grown on a trench-patterned α-Al₂O₃ substrate by X-ray microdiffraction阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³，JASRI/SPring-8⁴ Dinh Thanh Khan¹，原田進司¹，吉川　純¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，今井康彦⁴，木村　滋⁴，坂田修身⁴，^○酒井　朗¹
• 5窒化サファイア基板上に成長したAlN薄膜の高品質化東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³，東北大多元研^{4 ○（P）}上野耕平¹，岸川英司¹，井上　茂²，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3，福山博之⁴
• 6AlN酸化層を利用した極性反転メカニズムの検討東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³，東北大多元研^{4 ○（B）}岸川英司¹，上野耕平¹，井上　茂²，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3，福山博之⁴
• 7a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長三重大工¹，名工大^{2 ○}強力尚紀¹，高木雄太¹，三宅秀人¹，平松和政¹，江龍　修²
•  休憩　14:30〜14:45
• 8溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果三重大工 ^○西尾　剛，楊　士波，三宅秀人，平松和政
• 9Si-doped AlGaN量子井戸構造の減圧MOVPE法による成長と発光特性三重大¹，浜松ホトニクス^{2 ○}落合俊介¹，福世文嗣^1,2，三宅秀人¹，平松和政¹，吉田治正²，小林祐二²
• 10高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価東北大多元研¹，筑波大電物工^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，尾沼猛儀¹，上殿明良²
• 11Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価東北大多元研¹，三重大院工²，筑波大電物工^{3 ○}羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，三宅秀人²，平松和政²，上殿明良³，秩父重英¹
• 12六方晶BN微結晶の時間分解ルミネッセンス評価東北大多元研¹，静岡大電子研^{2 ○}石川陽一¹，羽豆耕治¹，田代公則¹，小南裕子²，原　和彦²，秩父重英¹
• 13DBR応用のためのAlN/GaN多層膜積層構造の検討名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○}矢木康太¹，加賀　充¹，山下浩司¹，竹田健一郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2，天野　浩^2,3
•  休憩　16:15〜16:30
• 14量子分子動力学法に基づくGaNのClラジカルエッチングプロセスシミュレーション東北大院工 ^○柳谷一行，伊藤　寿，桑原拓哉，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 15GaN-MOVPEの成長におけるシミュレーションの簡略化東京理大理 ^○星野文哉，出浦桃子，大川和宏
• 16AlN-MOVPE成長シミュレーションにおける反応経路の簡略化東京理科大 服部真代，^○出浦桃子，大川和宏
• 17n-GaN上へのAlO_x薄膜のin-situ RF-MBE成長情通機構¹，JSTさきがけ²，工学院大工^{3 ○}東脇正高^1,2，井垣辰浩³，山口智広³，本田　徹³
• 18MBE法によるダイヤモンド(111)上へのAlNヘテロエピタキシャル成長早大 ^○宇都宮大起，横山悠樹，鹿又龍介，川原田洋
• 196H-SiC (0001)基板上AlN成長の700 nmを超える臨界膜厚京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○（D）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 206H-SiC (000-1)炭素極性面基板上への窒素極性面AlNのMBE成長京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○（D）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 21MOCVD法によるSi,P添加Al₄C₃薄膜の成長徳島大院ATS¹，徳島大院STS² 大西裕也¹，堀江郁哉¹，金　度亨¹，^○酒井士郎^1,2

16a-DP1 - 1〜31

• 1AlN薄膜における貫通転位とエッチピットの関係九大総理工¹，九大超高圧電顕室²，九大産学連携センター³，三重大院工^{4 ○（M1）}龍　佑樹¹，桑原崇彰¹，大尾岳史²，桑野範之³，野村拓也⁴，三宅秀人⁴，平松和政⁴
• 2AlN単結晶の昇華法成長におけるAlNとSiC種結晶の配向関係フジクラ¹，産総研 ADPERC^{2 ○}畠田真至¹，直江邦浩¹，鎌田弘之¹，三浦知則²，加藤智久²
• 3立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)東大新領域¹，東北大金研^{2 ○}角田雅弘¹，森川　生¹，窪谷茂幸¹，片山竜二²，尾鍋研太郎¹
• 4反応性スパッタ法により作製されたAlN膜の結晶性に及ぼす基板温度の影響東北大多元研 ^○（D）熊田智行，大塚　誠，福山博之
• 5ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察名城大理工¹，名大²，名大赤崎記念研究センター^{3 ○（M1）}井手公康¹，山本準一¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 6GaNの昇華を用いた選択領域AlN/Air反射構造の作製名大院工¹，赤崎リサーチセンター^{2 ○}光成　正¹，谷川智之¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野　浩^1,2
• 7MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察三重大院工¹，九大院総合理工²，九大産学連携センター^{3 ○}宮川鈴衣奈¹，楊　士波¹，三宅秀人¹，平松和政¹，桑原崇彰²，光原昌寿²，桑野範之^2,3
• 8ハイドライド気相成長したGaNの熱応力を利用した自発分離山口大院理工¹，トクヤマ^{2 ○}山根啓輔¹，上野元久¹，古家大士^2,1，岡田成仁¹，只友一行¹
• 9Ba 添加 Na フラックスによるGaNバルク単結晶育成とその結晶性評価阪大院工 ^○今林弘毅，村上航介，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，北本　啓，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 10AlおよびAlO_x膜堆積が極性GaNのPL強度に与える影響工学院大院工¹，東京高専²，金沢工大^{3 ○}坂井直之¹，尾沼猛儀^1,2，山口敦史³，山口智広¹，本田　徹¹
• 11GaNの価電子帯に対する非極性面内の歪みの影響島根大総合理工 ^○梶川靖友
• 12MOCVD法を用いたSi基板上へのGaN成長条件の検討産総研¹，大陽日酸^{2 ○}川島宏幸¹，高橋言緒¹，井出利英¹，沈　旭強¹，清水三聡¹，朴　冠錫²，矢野良樹²，生方映徳²，田渕俊也²
• 13Effect of c-Sapphire Nitridation on Indium-composition of InGaN Films東北大工¹，金属材料研究所^{2 ○（D）}崔　　正^1,2，Kumar Suresh^1,2，正直花奈子^1,2，花田　貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 14InGaN混晶のラマン散乱分光法におけるB₁振動モードの組成依存性福井大院工¹，京都工繊^{2 ○}兒玉賢治¹，播磨　弘²，山本あき勇¹，橋本明弘¹
• 15MOVPE法によるn-InGaN/p-Si構造の作製福井大院工¹，大阪市大院工²，NTTフォトニクス研^{3 ○}廣長大造¹，三原彰宏¹，村松佑樹¹，吉村啓吾¹，杉田憲一¹，山本あき勇¹，重川直輝²，渡邉則之³
• 16光容量分光法によるInGaN厚膜の欠陥準位評価中部大総工研¹，物材機構^{2 ○}中野由崇¹，Mickael Lozac'h²，Liwen Sang²，角谷正友²
• 17InGaN層の相分離が低温CLスペクトルに及ぼす影響パナソニック ^○平岩美央里，森田弘洋，柴田　聡，塚本義朗，井垣恵美子
• 18Si基板上InGaNナノワイヤの積層欠陥と発光特性名大院¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}田畑拓也¹，白　知鉉¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野　浩^1,2
• 19位置制御GaNナノワイヤ量子ドットの微細構造分離と励起子分子発光東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}加古　敏¹，Kihyun Choi²，有田宗貴¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 20MBE法GaN成長への高速アンモニアクラスターの寄与−２岡山理大理¹，道工大工^{2 ○}斉藤　博¹，大石正和¹，今井和明²
• 21Al緩衝層を用いた化合物原料MBE法による(0001)4H-SiC上GaN薄膜の製作工学院大工 ^○長瀬赳史，篠原直也，林　才人，杉浦洋平，山口智広，本田　徹
• 22RF-MBE法による (GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜のX線回折測定工学院大工 ^○杉浦洋平，井垣辰浩，林　才人，多次見大樹，山口智広，本田　徹
• 23NH3-MOMBEによるa面GaN低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(2) 〜成長時間依存性〜名城大 ^○内山翔太，林　家弘，丸山隆浩，成塚重弥
• 24Growth of GaN films on nearly lattice-matched Hafnium metal foilsInstitute of Industrial Science, The Univ. of Tokyo¹，JST-CREST^{2 ○}Hyeryun Kim¹，Shigeru Inoue¹，Jitsuo Ohta¹，Hiroshi Fujioka^1,2
• 25In-situ curvature measurements during a-plane GaN films growth on r-plane sapphire substrates東大生研¹，JST-CREST^{2 ○（D）}孫　政佑¹，太田実雄¹，小林　篤¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 26Theoretical study on initial stage of InN growth on YSZ (111) substrates東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}郭　　尭¹，井上　茂¹，小林　篤¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2
• 27分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価埼玉大院理工 ^○吉田倫大，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 28MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響農工大院工 ^○堀田哲郎，竹中佐江，末松真友，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 29A natural PN junction in Mg-doped In-polar InN film directly detected by high resolution angle-resolved hard x-ray photoelectron spectroscopy物材機構¹，立命館大²，ソウル大^{3 ○（P）}Anli Yang¹，山下良之¹，山口智広²，井村将隆¹，金子昌充²，坂田修身¹，名西やすし^2,3，小林啓介¹
• 30希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)豊橋技科大¹，EIIRIS²，原研高崎研^{3 ○}近藤正樹¹，岡田　浩^2,1，関口寛人¹，若原昭浩¹，佐藤真一郎³，大島　武³
• 31高Al組成AlGaNへのCドープの試みと250nm帯深紫外EL発光理研 ^○前田哲利，平山秀樹

17a-B10 - 1〜12

• 1Low angle incidence microchannel epitaxy of a-plane GaN grown by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy (1) ‐[NH3]/ [TMG] ratio dependence名城大 ^○林　家弘，内山翔太，丸山隆浩，成塚重弥
• 2周期溝構造AlN層／サファイア基板上に形成されたAlN厚膜中の転位構造解析阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³ 岡本祥吾¹，^○吉川　純¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和正³，酒井　朗¹
• 3Si(110)基板上GaN薄膜成長におけるSiN_x中間層の効果東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}近藤尭之¹，太田実雄¹，井上　茂¹，小林　篤¹，藤岡　洋^1,2
• 4YSZ基板上に成長したInN極薄膜の評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}大久保佳奈¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
• 5プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響II大工大工 ^○淀　徳男，原田義之
• 6RF-MBE法InN成長における窒素プラズマパワー依存性立命館大理工¹，R-GIRO²，ソウル国立大³，マサチューセッツ工科大^{4 ○}荒木　努¹，上松　尚¹，油谷匡胤¹，阪口順一¹，齊藤　巧¹，名西やすし^2,3，Tatsuya Fujishima⁴，Elison Matioli⁴，TomáS Palacios⁴
•  休憩　10:30〜10:45
• 7InN overgrowth through in situ AlN nano-mask on sapphire substrate立命館大R-GIRO¹，立命館大理工²，工学院大³，ソウル国立大^{4 ○（PC）}王　　科¹，荒木　努²，武内道一¹，山口智広³，名西やすし^1,4
• 8加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}岩渕拓也¹，松村博史¹，木村健司^1,2，張　源涛¹，プラスラットスック キャッティウット¹，劉　玉懐^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 9中赤外域分光によるInNのキャリア遷移過程解析千葉大院工¹，北京大^{2 ○}今井大地¹，石谷善博¹，藤原昌幸¹，王　新強²，草部一秀¹，吉川明彦¹
• 10YSZ基板上への半極性面高In濃度InAlN薄膜成長東大工¹，東大生研²，東大院工³，JST-CREST^{4 ○}大関正彬¹，小林　篤²，太田実雄²，藤岡　洋^2,4，尾嶋正治^3,4
• 11ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討立命館大理工¹，工学院大²，R-GIRO³，ソウル国立大⁴，マサチューセッツ工科大^{5 ○}阪口順一¹，上松　尚¹，油谷匡胤¹，齊藤　巧¹，山口智広^1,2，荒木　努¹，名西やすし^3,4，Tatsuya Fujishima⁵，Elison Matioli⁵，TomáS Palacios⁵
• 12DERI法を応用したInGaN/InGaN量子井戸構造の作製立命館大¹，工学院大²，立命館大R-GIRO³，ソウル国立大^{4 ○}上松　尚¹，山口智広²，荒木　努¹，名西やすし^3,4

17a-F12 - 1〜11

• 1MBE法GaN成長への高速アンモニアクラスターの寄与−１岡山理大理¹，道工大工^{2 ○}斉藤　博¹，大石正和¹，今井和明²
• 2埋め込み型GaNナノコラム結晶のMOVPE成長に関する検討名城大理工¹，エルシード^{2 ○}梅田慎也¹，北野　司²，近藤俊行²，大田一成¹，加藤嵩裕¹，松原大幸¹，上山　智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇¹
• 33C-SiC/Si基板上GaN成長におけるAlN中間層の効果三重大工¹，エア・ウォーター^{2 ○}高谷佳史¹，方　　浩¹，三宅秀人¹，平松和政¹，浅村英俊²，川村啓介²，奥　秀彦²
• 4MOVPE法によるm面GaN自立基板上へのGaN選択成長三重大 ^○神野大樹，Bei Ma，三宅秀人，平松和政
• 5その場観察X線回折測定技術によるサファイア基板上GaNの結晶成長制御名城大¹，赤崎記念センター^{2 ○}田中大樹¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 6希薄磁性半導体GaGdNの電気的および磁気的特性の成長条件依存性阪大産研¹，神戸大研基セ²，神大分子フォトセ^{3 ○}朝日　一¹，満野陽介¹，東晃太郎¹，長谷川繁彦¹，櫻井敬博²，太田　仁³，佐野壮太¹
• 7GaN ナノロッド上 InGa(Gd)N/GaN 多重量子ディスク:MBE 成長と特性阪大産研 ^○Krishnamurthy Daivasigamani，Almokhtar Mohammed，Kangmin Kim，植中麻衣，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 8Si(111)上のGaGdN/AlGaN 多層構造nanorodsの作製と評価阪大産研 ^○木村真理子，植中麻衣，長谷川繁彦，朝日　一
• 9Si(111)上のGaGdN nanorods成長と評価 -磁気特性-阪大産研 植中麻衣，木村真理子，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 10NH₃-MBE 法による GaN:Eu LED の発光特性豊技大¹，浜ホト^{2 ○}大谷龍輝¹，松村亮太¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田　浩¹，若原昭浩¹
• 11Mg共添加によるGaN:Euの発光特性向上のメカニズム豊技大¹，浜ホト^{2 ○}関口寛人¹，大谷龍輝¹，高木康文²，岡田　浩¹，若原昭浩¹
•  昼食　12:00〜13:15

17p-F12 - 1〜20

• 1二酸化炭素還元におけるAlGaN/GaN光電極の効果パナソニック¹，東理大理^{2 ○}出口正洋¹，羽柴　寛¹，四橋聡史¹，銭谷勇磁¹，日野上麗子¹，山田由佳¹，大川和宏²
• 2GaN系光電極による二酸化炭素還元における高効率蟻酸生成パナソニック先端研¹，東京理科大^{2 ○}羽柴　寛¹，出口正洋¹，四橋聡史¹，銭谷勇磁¹，日野上麗子¹，山田由佳¹，大川和宏²
• 3高効率化に向けたInGaN/GaN超格子光触媒の構造設計東京理大理 ^○千原大典，増田一輝，田野真弓，出浦桃子，大川和宏
• 4NiO助触媒担持GaN光触媒の500時間耐久性東京理大理 ^○内田大介，大原　航，林　智恵，出浦桃子，大川和宏
• 5利得スイッチングInGaN半導体レーザーの波長依存動特性東北大未来研¹，東大物性研^{2 ○}横山弘之¹，石橋孝介¹，佐藤綾耶¹，陳　少強²，吉田正裕^1,2，秋山英文²
• 6Si添加AlGaN混晶薄膜の面内歪と偏光特性の相関山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}倉井　聡¹，下村一英¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 7窒化アルミニウムにおける静水圧変形ポテンシャルの同定京大院・工 ^○（DC）石井良太，金田昭男，船戸　充，川上養一
•  休憩　15:00〜15:15
• 8遠視野顕微鏡による青色発光InGaN量子井戸構造の超解像イメージング東北大未来研（NICHe）¹，JST CREST²，東北大多元研^{3 ○}佐藤綾耶^1,2，小澤祐市^2,3，佐藤俊一^2,3，横山弘之^1,2
• 9窒化物エピタキシャル層評価における中赤外域表面・界面モードの利用千葉大院工 ^○増田祥太郎，石谷善博，草部一秀，吉川明彦
• 10InGaN単一量子井戸構造における暗点分布の温度依存性山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}下村拓也¹，小林英治¹，弘中英夫¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
• 11高純度低転位密度GaN基板の評価(1) - HVPE成長GaNの陽電子消滅と時間分解フォトルミネッセンス評価 -東北大多元研¹，三菱化学²，筑波大電物工^{3 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，浪田秀郎²，長尾　哲²，藤戸健史²，上殿明良³
• 12高純度低転位密度GaN基板の評価(2) - HVPE成長GaN上AlGaN/GaN構造の時間分解PL評価 -東北大多元研¹，三菱化学^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，浪田秀郎²，長尾　哲²，藤戸健史²
• 13時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体の評価(2) - HVPE成長GaN基板東北大多元研¹，三菱化学科技研セ²，三菱化学^{3 ○}石川陽一¹，羽豆耕治¹，田代公則¹，松本　創²，藤戸健史³，下山謙司³，秩父重英¹
•  休憩　16:45〜17:00
• 14Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells京大工 ^○（P）Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 15PLE分光によるGaN/AlN単一量子ドット中のエネルギー緩和過程の観測東大ナノ量子機構¹，東大生研² Pawel Podemski¹，^○Mark Holmes¹，加古　敏¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2
• 16MOCVD選択成長による単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの形成とその光学特性 〜最大励起子分子束縛エネルギーの観測〜東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}ギヒョン チェ¹，有田宗貴²，加古　敏²，荒川泰彦^1,2
• 17Si添加AlGaN系量子井戸構造における非輻射再結合係数山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}武藤弘貴¹，赤瀬大貴¹，早川裕也¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 18InGaN量子井戸構造の内部量子効率と非輻射再結合係数山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}山内雅貴¹，廣野貴一¹，光井一弥¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
• 19弱励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の局在励起子発光特性京大院工 ^○大音隆男，Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 20AlGaN混晶薄膜の室温における励起子多体効果山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}古谷佑二郎¹，橘高　亮¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²

18a-B1 - 1〜11

• 1AlGaInN量子井戸の発光特性に関する検討名城大理工¹，エルシード²，名大・赤崎記念センター^{3 ○}鈴木智行¹，加賀　充¹，北野　司²，難波江宏一²，平野敬祐¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，岩谷素顕¹，赤崎　勇^1,3
• 2GaInN/GaNヘテロ接合の微細構造観察名城大・理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○}松原大幸¹，飯田大輔¹，杉山　徹¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,2
• 3X線その場観察MOVPEにより評価したGaInN/GaNの臨界膜厚の組成依存性名城大理工¹，名大赤崎記念研究センター^{2 ○}近藤保成¹，飯田大輔¹，杉山　徹¹，曽和美保子¹，松原大幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2
• 4位置制御されたm面InGaN/GaNナノ構造の形成東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}楊　学林¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，Kihyun Choi²，荒川泰彦^1,2
• 5半極性(1122)GaN基板上に成長したInGaN/GaN多重量子井戸の臨界膜厚京大院工 ^○西中淳一，船戸　充，川上養一
•  休憩　10:15〜10:30
• 6加圧MOVPE法によるIn_xGa_1-xN 結晶成長名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}坂倉誠也¹，土井友博¹，大畑俊也¹，谷川智之¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野　浩^1,2
• 7InGaNのMOVPE成長におけるIn組成の膜厚依存性東京理科大 ^○出浦桃子，大川和宏
• 8InGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討九大院工¹，九大応研^{2 ○（DC）}屋山　巴¹，寒川義裕^1,2，柿本浩一^1,2
• 9InGaN系661nm赤色発光ナノコラムの光学特性上智大理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○（PC）}ラメシュ バディウェル^1,2，岸野克巳^1,2，井川雄介^1,2，菊池昭彦^1,2
• 10ZnO基板上にエピタキシャル成長したm面InAlN薄膜の評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}玉木啓晶¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
• 11UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長(IV)電機大工 ^○羽鳥貴善，飯島成規，二階堂真也，小山田友樹，寒河江宏介，篠田宏之，六倉信喜

18a-F12 - 1〜11

• 1酸性アモノサーマル法によるGaN結晶の高速成長東北大多元研¹，三菱化学^{2 ○}冨田大輔¹，包　全喜¹，鏡谷勇二²，澤山拓洋¹，羽豆耕治¹，斉藤　真²，秩父重英¹，横山千昭¹，石黒　徹¹
• 2ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化山口大院理工 ^○岡田成仁，上野元久，内田健充，大下弘康，高見成希，古家大士，山根啓輔，只友一行
• 3Ga₂Oを用いた気相成長法による高品質基板上への無極性面GaN成長阪大¹，伊藤忠プラスチックス^{2 ○}隅　智亮¹，滝野淳一¹，卜　　渊¹，北本　啓¹，今出　完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森　勇介¹
• 4Ba添加Naフラックス法を用いた高品質無極性面GaN結晶育成への試み阪大院工 ^○染野辰也，升本恵子，今林弘毅，村上航介，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 5高品質GaN育成に向けた種結晶表面処理法の検討阪大院・工 ^○藤森　拓，本城正智，升本恵子，高澤秀生，村上航介，今林弘毅，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Ca添加Naフラックス法を用いたGaN結晶の高温成長阪大院・工 ^○原田陽司，小西悠介，升本恵子，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 7Naフラックス法を用いた微小種GaN結晶の結合成長阪大院工 ^○今西正幸，升本恵子，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 8第一原理計算によるNaフラックスGaN結晶成長におけるCドーピング効果の解析三重大院工¹，阪大院工^{2 ○}河村貴宏^1,2，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出　完²，吉村政志²，森　勇介²，森川良忠²
• 9Ｘ線回折法によるＧａＮ表面近傍のひずみ評価名大¹，三菱化学^{2 ○}鈴木良和¹，持木健吾¹，秋本晃一¹，浪田秀郎²，長尾　哲²
• 10X線マイクロ回折法によるGaN自立基板の結晶性評価阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³，JASRI/SPring-8^{4 ○}原田進司¹，渡邉翔大¹，Khan Dinh¹，吉川　純¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，今井康彦⁴，木村　滋⁴，坂田修身⁴，酒井　朗¹
• 11非極性自立GaN結晶のラマン散乱分光による評価三重大工¹，京工繊大^{2 ○}馬　ベイ¹，神野大樹¹，三宅秀人¹，平松和政¹，播磨　弘²
•  昼食　12:00〜13:00

18p-F12 - 1〜8

• 1外部共振器型400nm帯InGaN半導体レーザーの広帯域波長可変動作東北大未来研(NICHe)¹，JST CREST^{2 ○}石橋孝介¹，佐藤綾耶^1,2，横山弘之^1,2
• 2フレア型GaInN 半導体光増幅器の光出射プロファイル東北大院工¹，東北大未来研^{2 ○（M1C）}大坂孝久¹，石橋孝介²，北　智洋¹，山田博仁¹，横山弘之²
• 3AlGaN電子注入層による GaN/F8BT 無機/有機複合LEDの特性改善上智大¹，上智ナノテクセンター^{2 ○}辻　智之¹，島田雄平¹，入江崇之¹，菊池昭彦^1,2
• 4マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子の原理実証研究立命館大 ^○黒瀬範子，黒内正仁，武内道一，青柳克信
• 5ウェハそりを制御した厚膜AlNテンプレート上の265nm帯深紫外LEDの作製立命館大R-GIRO ^○黒内正仁，武内道一，青柳克信
• 6殺菌用260nm DUV-LEDのC-V測定創光科学¹，名城大理工²，名大工^{3 ○}古沢優太¹，稲津哲彦¹，深堀真也¹，シリル ペルノ¹，金　明姫¹，藤田武彦¹，長澤陽祐¹，一本松正道¹，岩谷素顕²，山口雅史³，平野　光¹，竹内哲也²，上山　智²，本田善央³，天野　浩³，赤崎　勇²
• 7IZO（インジウム-亜鉛酸化物）を用いた窒化物半導体LED名城大・理工¹，EL-SEED²，出光興産^{3 ○}水谷脩吾¹，中島聡志¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹，松原雅人³，近藤俊行²，寺前文晴²，鈴木敦志²，北野　司²，森みどり²
• 8二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御名城大理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○}松井健城¹，山下浩司¹，加賀　充¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇^1,2