15. 結晶工学

16a-F11 - 1〜6

• 1BNの構造多形に関する簡単な理解三重大院工 ^○伊藤智徳，秋山　亨，中村浩次
• 2InP(111)A面上における成長初期過程のモンテカルロシミュレーション三重大院工 ^○山下智樹，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 3GaAs(001)表面におけるBi原子の吸着に関する理論的研究三重大院工 ^○村瀬　功，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 4GaAs(001)-c(4×4)α表面上の低温GaAs成長表面のSTM観察東工大院理工 ^○（M2）小野文照，加来　滋，吉野淳二
• 5量子ドット発生直前のInAsウェッティング層における表面超構造ドメインの解析手法阿南高専¹，ウォーリック大^{2 ○}小西智也¹，グレッグ テーラー²，ギャビン ベル²，塚本史郎¹
• 6液滴エピタキシーで形成したInAsリングの光学特性物材研¹，豊田工大^{2 ○}野田武司¹，間野高明¹，定　昌史¹，川津琢也¹，丁　　毅¹，榊　裕之^1,2
•  休憩　10:30～10:45
•  7〜11　10:45〜12:00（15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶）

17p-DP4 - 1〜2

• 1RF-MBEによるGaN選択成長のためのGa吸着原子再蒸発のメカニズム名城大 ^○岩月剛徳，加藤浩直，白井優也，廣田雄二郎，丸山隆浩，成塚重弥
• 2低降温速度GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおける異常成長の検討名城大理工 ^○菱田武重，杉浦高志，河村知洋，神林大介，成塚重弥，丸山隆浩