13. 半導体A（シリコン）

17p-GP16 - 1〜6

• 1レーザー光照射によるSi ナノ粒子焼結のメカニズム解明早大先進理工¹，帝人^{2 ○}百瀬美穂^1,2，平坂雅男²，古川行夫¹
• 2Si(100)基板上の複合面方位CeO₂層の形成　ー遷移領域幅の縮小ーいわき明星大科学技術 ^○井上知泰，信田重成
• 3接触電位差のエネルギー帯図立命館大理工 ^○齋藤嘉夫
• 4第一原理計算によるSbドーパント表面偏析挙動の検討（3）都市大工 ^○飯島郁弥，伊藤裕美，丸泉琢也，澤野憲太郎，白木靖寛
• 5グラッシーカーボン電極を用いた電極接触法によるシリコンへの微細孔形成阪大太陽エネルギー化学研セ ^○平松和樹，杉田智彦，池田　茂，松村道雄
• 6SOI基板のSOI/BOX界面近傍における欠陥の評価（II）東洋大バイオナノセンター ^○趙　　謙，宮澤　元，中島義賢，花尻達郎，菅野卓雄

18a-A1 - 1〜11

• 1Position-Dependent Distribution of Photo-Carriers in Si Nanowires by Multimode SPM筑波大¹，産総研^{2 ○}Leonid Bolotov^1,2，多田哲也²，Vladimir Poborchi²，福田浩一²，金山敏彦²
• 2シリコンナノワイヤ中のPドナーの熱酸化過程での偏析挙動筑波大学¹，物材機構^{2 ○}神永　惇¹，滝口　亮¹，鈴木慶太郎¹，深田直樹^1,2，菱田俊一²，陣　　君²，関口隆史^1,2，村上浩一¹
• 3Siナノワイヤーの発光測定筑波大院数物¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研^{3 ○}櫻井蓉子¹，角嶋邦之²，大毛利健治¹，山田啓作¹，岩井　洋³，浅川　潔¹，白石賢二¹，野村晋太郎¹
• 4導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造の局所電気伝導評価名大院工¹，広大院先端研²，日新電機^{3 ○（B）}竹内大智¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹，可貴裕和³，林　　司³
• 5表面修飾無しで極性溶媒に高い分散性を有するSiナノ結晶コロイド(II)神戸大院工 ^○杉本　泰，福田真俊，藤井　稔，今北健二，林　真至
• 6PhosphorusドーピングによるSiliconナノ結晶の非共鳴非線形光学応答の増強神戸大院工 ^○今北健二，鳴岩　亮，伊藤雅彦，藤井　稔，林　真至
•  休憩　10:30〜10:45
• 7電位変調した針電極接触によるシリコンの局所酸化溶解反応を利用した微細加工阪大太陽エネルギー化学研セ ^○（DC）杉田智彦，平松和樹，池田　茂，松村道雄
• 8Z偏光子を用いたラマン分光計測による歪みSi基板の軸分解応力解析産総研 ^○多田哲也，ウラジミール ポボロッチ，金山敏彦
• 9液浸ラマン分光法による歪SiGe の異方性応力評価明大理工¹，産総研連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター^{2 ○}小瀬村大亮¹，富田基裕¹，臼田宏治²，小椋厚志¹
• 10有限要素法による微細構造歪SiGe層の異方性応力緩和評価明大理工¹，産総研 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター^{2 ○（M2）}富田基裕¹，小瀬村大亮¹，臼田宏治²，小椋厚志¹
• 11BF₂イオン注入Si中のB, Fの偏析によるB不活性化挙動への影響東芝S&S社¹，東芝RDC²，東芝CMC^{3 ○}北本克征¹，圷　晴子²，富田充裕²，金野晃之²，廣谷太志³，柴田　武¹，河井友也¹，宮野ゆみこ²，嶋崎綾子²
•  昼食　12:00〜13:00

18p-A1 - 1〜8

• 1電圧印加MOS構造のoperando放射光光電子分光による界面準位密度分布の解析東大院工¹，JRT-CREST²，東大放射光機構³，PRESTO⁴，KEK-物構研⁵，STARC^{6 ○（M1）}篠原稔宏¹，豊田智史^1,2,3，組頭広志^3,4,5，尾嶋正治^1,2,3，片山俊治⁶，助川孝江⁶，劉　紫園⁶
• 2ホットキャリアによるシリコン空乏層とMOS特性の劣化筑波大数物 ^○長澤達彦，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 3極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}松井真史¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，小野貴寛¹，橋本邦明¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 4半導体同位体ヘテロ構造を用いたレーザー３次元アトムプローブ法の空間分解能評価東北大金研¹，慶大理工^{2 ○}清水康雄¹，高見澤悠¹，外山　健¹，河村踊子²，植松真司²，伊藤公平²，永井康介¹
• 5一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価名大院工¹，広島国際学院大²，広大院先端研^{3 ○（M1）}高見弘貴¹，牧原克典¹，出木秀典²，池田弥央³，宮崎誠一¹
• 6シリコンナノ粒子へのボロンドーピング制御-ターゲット条件とアニール温度依存性-東京電機大工¹，物質・材料研究機構²，ボローニャ大学^{3 ○}千把　太¹，深田直樹²，佐藤慶介³，平栗健二¹
• 7一次元縦積み連結Si系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹
• 8AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電状態の経時変化計測名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}牧原克典¹，恒川直輝¹，池田弥央²，宮崎誠一¹