| 10. スピントロニクス・マグネティクス | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等） | 人文-ZS9:0012:50 | 人文-ZS15:0017:45 | ||||||||
| 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術 | 人文-ZS10:3011:30 | |||||||||
| 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 | 地域1-S9:0012:00 | 地域1-S13:1515:00 | ||||||||
| 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス | 地域1-S9:0013:00 | 地域1-S15:0017:15 | ||||||||
| 11. 超伝導 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 11.1 基礎物性 | 人文-ZS15:0019:00 | 人文-ZS9:0013:00 | 人文-ZS15:0019:00 | |||||||
| 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 | 人文-ZT9:4513:00 | 人文-ZT15:0019:00 | 人文-ZT9:3013:00 | |||||||
| 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 | 基盤3-ZJ10:0011:45 | |||||||||
| 11.4 アナログ応用および関連技術 | 地域1-W9:0013:00 | 地域1-W15:0017:45 | 地域1-W9:3012:00 | |||||||
| 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 | 基盤3-ZM9:3013:00 | 基盤3-ZM15:0017:45 | 基盤3-ZM9:4513:00 | |||||||
| 12. 有機分子・バイオエレクトロニクス | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 12.1 作製技術 | 地域1-V9:0013:00 | 地域1-V15:0018:15 | 地域1-V10:1513:00 | 地域1-V15:0017:15 | ||||||
| 12.2 評価・基礎物性 | 基盤2-ZB10:0013:00 | 基盤2-ZB15:0019:00 | 基盤2-ZB9:0011:45 | 基盤2-ZB13:0014:15 | ||||||
| 12.3 電子機能材料・デバイス | 地域3-D10:0012:45 | 地域3-D15:0017:30 | ||||||||
| 12.4 光機能材料・デバイス | 地域1-S9:0012:45 | 地域1-S15:0017:15 | ||||||||
| 12.5 液晶 | 基盤1-R15:0018:30 | |||||||||
| 12.6 高分子・ソフトマテリアル | 地域3-G9:4513:00 | 地域3-G15:0016:30 | ||||||||
| 12.7 生物・医用工学・バイオチップ | 基盤3-ZG10:0013:00 | 基盤3-ZG15:0018:00 | 基盤3-ZG10:0013:00 | 基盤3-ZG15:0018:45 | 基盤3-ZG10:0013:00 | |||||
| 12.8 有機EL | 基盤1-Q10:3012:00 | |||||||||
| 12.9 有機トランジスタ | 基盤1-R10:3011:02 | 基盤1-R10:3011:18 | 基盤1-R9:0013:00 | 基盤1-R15:1018:45 | 基盤1-R9:0012:00 | |||||
| 12.10 ナノバイオテクノロジー | 地域1-V9:0013:00 | 地域1-V15:0019:00 | 地域1-V9:0012:00 | 地域1-V13:0015:00 | ||||||
| 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 | 基盤1-L9:0013:00 | 基盤1-L15:0019:00 | 基盤1-L9:0013:00 | 基盤1-L15:0019:00 | 基盤1-L9:0012:00 | 基盤1-L13:0014:30 | ||||
| 12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 | 基盤3-ZQ9:0013:00 | 基盤3-ZQ15:0018:00 | 基盤3-ZQ10:0011:45 | |||||||
| 13. 半導体A（シリコン） | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 13.1 基礎物性・評価 | 基盤1-J15:0018:15 | 基盤1-J9:0012:00 | 基盤1-J13:0014:30 | |||||||
| 13.2 半導体表面 | 地域1-W10:0013:00 | 地域1-W15:0017:30 | ||||||||
| 13.3 絶縁膜技術 | 基盤1-Q9:0013:00 | 基盤1-Q15:0018:50 | 基盤1-Q9:0012:45 | 基盤1-Q15:0017:00 | ||||||
| 13.4 配線技術 | 理先端-C9:0012:00 | 理先端-C13:0015:00 | ||||||||
| 13.5 Siプロセス技術 | 基盤1-M9:0012:45 | 基盤1-M15:0019:00 | 基盤1-M9:0012:00 | 基盤1-M13:0015:00 | ||||||
| 13.6 Siデバイス／集積化技術 | 体-P79:3011:30 | 体-P1015:3017:30 | ||||||||
| 13.7 シミュレーション | 地域3-D9:0012:15 | |||||||||
| 14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 14.1 探索的材料物性 | 地域1-W15:0018:15 | 地域1-W9:0012:00 | 地域1-W13:0015:00 | |||||||
| 14.2 超薄膜・量子ナノ構造 | 体-P1615:3017:30 | 基盤1-K9:0013:00 | 基盤1-K15:0017:35 | 基盤1-K9:0012:00 | 基盤1-K13:0015:00 | |||||
| 14.3 プロセス技術・界面制御 | 理1-A9:3013:00 | 理1-A15:0018:45 | ||||||||
| 14.4 超高速・機能デバイス | 基盤1-H15:0018:15 | 基盤1-H9:0012:00 | 基盤1-H13:0014:15 | |||||||
| 14.5 光物性・発光デバイス | 第2-P59:3011:30 | 第2-P615:3017:30 | 第2-P1115:3017:30 | |||||||
| 14.6 化合物太陽電池 | 基盤1-H9:0013:00 | 基盤1-H15:0018:15 | 基盤1-H9:0013:00 | 基盤1-H15:0018:15 | 基盤1-H9:0013:00 | |||||
| 15. 結晶工学 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 15.1 バルク結晶成長 | 第2-P89:3011:30 | |||||||||
| 15.2 II-VI族結晶 | 基盤2-ZA15:0018:15 | |||||||||
| 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 | 基盤2-ZA9:1513:00 | 基盤2-ZA15:0018:15 | 基盤2-ZA9:0013:00 | 基盤2-ZA15:0018:45 | 基盤2-ZA9:0013:00 | |||||
| 15.4 III-V族窒化物結晶 | 基盤2-ZE9:0012:50 | 基盤2-ZE15:0018:00 | 基盤2-ZE9:0013:00 | 基盤2-ZE15:0019:15 | 基盤2-ZE9:0013:00 | 基盤2-ZE15:0017:45 | 基盤2-ZE9:0012:00 | 基盤2-ZE13:0015:00 | ||
| 基盤2-ZF9:0013:00 | 基盤2-ZF15:0018:00 | |||||||||
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | 第1-P159:3011:30 | |||||||||
| 15.6 IV族系化合物 | 基盤2-ZB9:0013:00 | 基盤2-ZB15:0018:00 | 基盤2-ZB9:4013:00 | |||||||
| 15.7 エピタキシーの基礎 | 基盤2-ZA13:0014:30 | |||||||||
| 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥 | 基盤2-ZA9:0011:15 | |||||||||
| 16. 非晶質・微結晶 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 16.1 基礎物性・評価 | 基盤3-ZH10:0013:00 | 基盤3-ZH15:0019:00 | ||||||||
| 16.2 プロセス技術・デバイス | 基盤3-ZG9:0012:00 | 基盤3-ZG13:0014:15 | ||||||||
| 16.3 シリコン系太陽電池 | 基盤3-ZH9:4513:00 | 基盤3-ZH15:0019:00 | 基盤3-ZH9:0011:45 | |||||||
| 17. ナノカーボン | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 17.1 成長技術 | 基盤2-ZF10:0013:00 | 基盤2-ZF15:0019:00 | 基盤2-ZF9:4513:00 | 基盤2-ZF15:0019:00 | 基盤2-ZF9:0012:00 | 基盤2-ZF13:0014:45 | ||||
| 17.2 構造制御・プロセス | 人文-ZT9:4513:00 | 人文-ZT15:0018:00 | ||||||||
| 17.3 新機能探索・基礎物性評価 | 地域3-E9:0013:00 | 地域3-E15:0018:45 | 地域39:0013:00 | |||||||
| 17.4 デバイス応用 | 基盤3-ZJ9:0013:00 | 基盤3-ZJ15:0018:00 | 基盤1-K10:0013:00 | 基盤1-K15:0017:00 | ||||||
| 18. 応用物理一般 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 18.1 応用物理一般 | 地域1-S9:0012:45 | 地域1-S15:0018:00 | ||||||||
| 18.2 教育 | 第2-P99:3011:30 | |||||||||
| 18.3 新技術 | 基盤3-ZJ9:0011:30 | |||||||||
| 18.4 トライボロジー | 基盤3-ZJ11:3012:00 | |||||||||
| 18.5 エネルギー変換・貯蔵 | 基盤3-ZM15:0016:45 | |||||||||
| 18.6 資源・環境 | 基盤3-ZM17:0018:15 | |||||||||
| 18.7 磁場応用 | 基盤3-ZM9:0011:45 | |||||||||
| 合同セッション | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 基盤1-N9:0013:00 | 基盤1-N15:0018:00 | 基盤1-N9:0013:00 | 基盤1-N15:0018:00 | 基盤1-N9:0012:00 | 基盤1-N13:0015:00 | ||||
| 合同セッションL（MEMS，NEMSの基礎と応用：異種機能集積化） | 地域3-E9:0013:00 | 地域3-E15:0018:15 | ||||||||
