14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

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• 1サファイア上へのSi添加Al4C3薄膜のMOCVD成長徳島大院ATS¹，徳島大院STS^{2 ○}堀江郁哉¹，大西裕也¹，酒井士郎^1,2
• 2Zr系ぺロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の作製と蛍光特性産総研¹，九州工大^{2 ○}高島　浩¹，植田和茂²
• 3電気泳動堆積法によるYVO₄:Bi蛍光体薄膜の作製長岡技科大工 ^○八木純平，大野桂慶，加藤有行
• 4ビスマスをドープしたペロブスカイト型酸化物蛍光体における発光スペクトルのピーク幅とりん光との相関群馬大院工¹，産総研^{2 ○}京免　徹¹，松村一輝¹，花屋　実¹，高島　浩²
• 5単結晶MgO 基板上に合成したB2 構造SrO:Eu²⁺青色蛍光体長岡技科大¹，中部キレスト^{2 ○}小松啓志¹，中村　淳^1,2，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 6BaSi₂S₅:Eu²⁺の結晶構造および発光特性電通大先進理工 ^○七井　靖，佐々木千春，坂本　侑，奥野剛史
• 7サマリウムを添加した硫化物ガラスセラミックスの光およびX線ルミネッセンス特性宮崎大工¹，産学地域連携センター^{2 ○（M2）}津留龍太郎¹，井戸将宏¹，前田幸治¹，境健太郎²，碇　哲雄¹
• 8KCl:Sn²⁺緑色蛍光体の励起・発光スペクトル群馬大院工 ^○奈良淳一，安達定雄
• 9CaF₂:Mn²⁺緑色蛍光体の発光特性群馬大院工 ^○本多勇規，新井隆広，安達定雄
• 10黄白色蛍光体Mg₃SiO₄F₂:Tiの真空紫外励起特性鳥取大院工¹，TEDREC^{2 ○}中村公彦¹，宮本快暢^1,2，大観光徳^1,2
• 11真空還元溶融法により作製した酸素空孔含有α-Al₂O₃の発光挙動の温度依存性神戸大理 ^○（M1）池田翔吾，内野隆司
• 12新紫外LEDの青色発光についての検討名工大工 ^○市川淳規，陳　志涛，朱　友華，魯　　麟，藤田和久，江川孝志
• 13欠陥形成および重金属添加ZnAl₂O₄の紫外発光特性静岡大電子研 ^○小南裕子，井口　拓，難波　覚，中西洋一郎，原　和彦
• 14ビスマスドープしたゼオライトの発光特性の濃度依存性神大院工、電気電子¹，神大院工、応用化学^{2 ○}白　振華¹，藤井　稔¹，長谷川敬士²，今北健二¹，水畑　穣²，林　真至¹
• 15K₂SiF₆:Mn⁴⁺赤色蛍光体の蛍光励起スペクトル群馬大院工 ^○新井隆広，安達定雄
• 16(NH₄)₂MF₆:Mn⁴⁺ (M = Si, Ge, Sn, Ti)赤色蛍光体の作製と評価群馬大院工 ^○笠　亮太，Yan Kai Xu，安達定雄
• 17六方晶窒化ホウ素粉末の深紫外バンド端発光の高効率化に向けた化学気相合成プロセスの改善静岡大電子研 ^○河西康雅，小南裕子，中西洋一郎，原　和彦
• 18EuまたはCeを付活したガーネット型Sr3Y2Ge3O12蛍光体鳥取大院工¹，鳥取大電子ディスプレイセンター^{2 ○}棚瀬義隆¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹
• 19マイクロリアクター法によるEu, Mn共付活白色LED 用蛍光体の作製メルク¹，鳥大院工²，TEDREC^{3 ○}大倉　央^1,2，宮本快暢^2,3，大観光徳^2,3
• 20錯体重合マイクロ波還元法によるEu添加リン酸化合物蛍光体の作製長岡技科大工 ^○高木陽介，鮫島佑太，加藤有行
• 21焼成雰囲気変化による青色LED用蛍光体の発光効率改善東京化学研究所 ^○岡本慎二
• 22青色発光するLi(Sr, Mg)PO₄:Eu²⁺蛍光体の合成と蛍光特性新潟大院自然¹，新潟大工²，新潟大超域^{3 ○}亀井真之介¹，初森智紀¹，上松和義²，石垣　雅³，戸田健司¹，佐藤峰夫²
• 23アークイメージ炉を用いた溶融急冷法による粉末蛍光体の直接合成新潟大¹，東工大^{2 ○}石垣　雅¹，亀井真之介¹，上松和義¹，戸田健司¹，吉村昌弘²，佐藤峰夫¹
• 24マイクロ波加熱法により作製されたCuCl₂添加ZnS蛍光体のEL発光大阪府立大高専¹，奈良先端大²，イメージテック^{3 ○}益山純一¹，堀口昌吾²，紺谷拓哉²，須崎昌己¹，田口信義³，浦岡行治²
• 25スパッタ成膜したLa₂O₂S蛍光体薄膜のPL及びEL特性金沢工大　OEDS R&Dセンター ^○宮田俊弘，南　内嗣
• 26蛍光体粉末ペレットを用い電子線蒸着法により作製した赤色発光CuAlS₂:Mn薄膜EL素子鳥取大院工¹，TEDREC^{2 ○}中村祐介¹，水谷貴彦¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹
• 27周期的凹凸構造を有する基板上に作製した無機薄膜EL素子の光学特性(II)鳥取大院工¹，TEDREC²，リコー^{3 ○}水谷貴彦¹，俵谷佳典¹，國岡翔太¹，宮本快暢^1,2，大観光徳¹，三浦　博³
• 28平面電極構造をもつ分散型無機EL素子の発光特性龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック^{3 ○}野中俊宏¹，七田　渡¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹

31p-P6 - 1〜15


• 1超音波印加のナノ結晶Si成膜における陽極酸化溶液の役割新日本無線 ^○吉田　孝，伏見　浩
• 2極性溶媒分散性を有する近赤外発光Siナノ結晶（Ｉ）神戸大院工 ^○福田真俊，藤井　稔，杉本　泰，今北健二，林　真至
• 3VHF プラズマにより作製したナノ結晶シリコンの光学的特性東工大量子ナノ研セ¹，東工大院理工^{2 ○}染野　健¹，宇佐美浩一¹，小寺哲夫¹，河野行雄¹，波多野睦子²，小田俊理¹
• 4レアアースをドープした青色燐光性ナノシリコンの光学特性東京農工大工 ^○Bernard Gelloz，越田信義
• 5マイクロ波プラズマCVD法によりTEOSで作製したSi薄膜からの発光特性早大院先進理工 ^○船津友希，梶山　裕，加藤　勇
• 6Biドープシリカ/シリコンリッチシリカ多層膜の近赤外発光特性神戸大院¹，物質･材料研究機構²，浙江大^{3 ○}森本　賢¹，三輪祐司¹，Hong-Tao Sun²，藤井　稔¹，今北健二¹，Jianrong Qiu³，林　真至¹
• 7ビスマスドープトナノポーラスシリカ薄膜の光学特性神戸大 ^○白薩初栄貴，今北健二，白　振華，藤井　稔，林　真至
• 8発光欠陥を有するInSb QDs埋め込みSi構造における光利得のポストアニール依存性東大 ^○安武裕輔，深津　晋
• 9量子閉じ込め励起子の波動共鳴による室温非線形光応答阪歯大¹，阪大院基礎工²，阪府大院工³，阪大ナノ^{4 ○}一宮正義^1,2，保田英樹³，望月敬太²，芦田昌明²，石原　一³，伊藤　正⁴
• 10InP1次元閉じ込め構造における2光子吸収特性千葉大院融合 ^○（M2）角田勝健，大石真樹，小林大樹，坂東弘之，松末俊夫
• 11量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルにおけるピーク波長の振る舞い日女大理 ^○福田綾子，今井　元
• 12CdS:O薄膜のナノ構造とフォトルミネセンス千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研^{3 ○}浅葉　亮¹，鈴木昭典¹，沈　用球²，Mamedov Nazim³，Bayramov Ayaz³，Huseynov Emil³，脇田和樹¹
• 13表面に金属ナノ構造を持つInGaN薄膜の光学特性北大院情報科学¹，JST-CREST²，仙台高専³，北大電子研^{4 ○}中治光童¹，木場隆之^1,2，村山明宏^1,2，佐久間実緒³，横田幸恵⁴，上野貢生⁴，三澤弘明⁴
• 14YVO₄:Bi³⁺,Yb³⁺の蛍光特性評価と液相合成によるナノサイズ化の検討慶大理工 ^○（M1）磯　由樹，磯部徹彦
• 15ソルボサーマル法を用いて作製したInPナノ蛍光体含有シリカ薄膜埼玉大理工 ^○秋山真之介，船木那由太，福田武司，本多善太郎，鎌田憲彦

1p-P11 - 1〜28


• 1Sm添加TiO₂薄膜のPL特性と局所構造解析II東理大理(ADL)¹，東洋大理工²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}櫻井淳平¹，大槻卓也¹，原子　進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙　新為¹
• 2Sm 添加TiO₂ 薄膜のEL 特性II東京理科大¹，東洋大²，日本原子力研究開発機構^{3 ○}大槻卓也¹，櫻井淳平¹，原子　進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙　新為¹
• 3Sm3+添加ガラス蛍光体の発光特性-母体ガラスの効果-名大院工 ^○大島弘嗣，渕　真悟，竹田美和
• 4CaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光の希土類元素添濃度依存性[II]日大¹，東京理科大^{2 ○}鈴木昭宏¹，日高千晴¹，滝沢武男¹，野村重孝²
• 5CaGa₂S₄中のMn²⁺置換サイトの低温ESR測定日大文理¹，東京理科大^{2 ○}北嶋一徹¹，滝沢武男¹，日高千晴¹，野村重孝²
• 6Si基板上へスパッタ成膜したZnO:Eu膜の発光特性(2)NTT MI研 ^○赤沢方省，篠島弘幸
• 7CaGa₂S₄:EuのEu発光への希土類元素共添加の効果日大文理 ^○日高千晴，滝沢武男
• 8Eu,N共添加ZnOにおけるEu³⁺発光への窒素添加効果阪大院工 ^○Bin　Kamarudin Muhammad　Hakim，寺井慶和，辻　尭宏，藤原康文
• 9Eu添加ZnOにおける不純物共添加効果の検証阪大院工 ^○辻　尭宏，寺井慶和，ビン　カマルディン ムハマド　ハキム，藤原康文
• 10Mg, Eu共添加GaNにおけるEu発光の温度依存性阪大院工 ^○李　東建，西川　敦，古川直樹，若松龍太，寺井慶和，藤原康文
• 11Eu添加GaNにおけるEu発光の温度消光特性阪大院工 古川直樹，^○西川　敦，李　東建，若松龍太，寺井慶和，藤原康文
• 12SrGa2S4:Eu2+における電子正孔多重生成の閾値エネルギー測定山形大 ^○鈴木雄三
• 13Si(111)基板上に成長したEr₂O₃の対称性の異なる格子位置に存在するEr⁺³イオンのエネルギーレベルと相互作用NTT物性基礎研 ^○尾身博雄，俵　毅彦
• 14希土類元素Erを用いた波長変換材料の検討筑波大 ^○（M2）弓波亮介，羅　顕佳，秋本克洋，櫻井岳暁
• 15Er₂SiO₅結晶の構造・誘電率の第一原理計算電通大院　先進理工 ^○萩原　敦，中村　淳
• 16RAS法で作製したEr_xY_2-xSiO₅結晶薄膜の評価電通大先進理工¹，シンクロン^{2 ○（M1）}品川達紀¹，菅原卓哉²，姜　友松²，木村忠正¹，一色秀夫¹
• 17Er_xY_2-xSiO₅微結晶薄膜中の非発光遷移抑制についての検討電通大先進理工 ^○中島崇之，木村忠正，一色秀夫
• 18Eu添加Al_xGa_1-xNにおけるEu発光特性のAl組成依存性阪大院工 ^○川ばた昂佑，西川　敦，李　東建，寺井康和，藤原康文
• 19ナローバンド深紫外蛍光体AlGdNエピタキシャル薄膜の成長温度依存性神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫工技セ^{3 ○}來山真也¹，岩橋進哉¹，中村順也¹，喜多　隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³
• 20ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN薄膜の電子線励起による発光特性神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫工技セ^{3 ○}岩橋進哉¹，岸　直央¹，來山真也¹，喜多　隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉　宏和³
• 21GaN化合物とNH3を原料に用いたMBE法によるGaN薄膜の作製と希土類添加の検討愛媛大工 ^○木村優介，井上貴満，中平康一，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 22GaN化合物とNH₃を原料に用いたMBE法によるGaN薄膜への希土類添加とRHEED観察愛媛大工 ^○井上貴満，木村優介，中平康一，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 23層状TlGaSe₂における光学遷移の温度特性阪府大院工¹，千葉工大工²，アゼル科学アカデミー^{3 ○}伊東良晃¹，沈　用球¹，脇田和樹²，Nazim Mamedov³
• 24Raman Scattering in TlInS₂千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研^{3 ○}Raul Paucar¹，原田和樹¹，松本陵矢¹，脇田和樹¹，沈　用球²，Nazim Mamedov³
• 25TlInSe₂の体積膨張によるバンド構造と誘電率の変化千葉工大¹，大阪府立大院工²，吉林大³，アゼルバイジャン物理研^{4 ○}今井　慧¹，粟生仁志²，王　現銀^1,3，脇田和樹¹，沈　用球²，Hamidov Sadig⁴，Mamedov Nazim⁴
• 26結晶構造によるAgInS₂のフォトルミネセンス強度のマッピング千葉工大¹，ナイキスト²，大府大院工³，宮崎大^{4 ○}宮本生人¹，ラウール パウカル¹，脇田和樹¹，本庄一裕²，沈　用球³，徳田剛大⁴，吉野賢二⁴
• 27共焦点顕微システムを用いたCuInS₂の励起子発光千葉工大工¹，大府大院工^{2 ○（M1）}堀川祐輔¹，脇田和樹¹，沈　用球²
• 28TlInSe₂の巨大形状変化と光音響効果千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研^{3 ○}荒木祥人¹，浅葉　亮¹，脇田和樹¹，朝日隆志²，沈　用球²，Nazim Mamedov³