14. 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)

14.5 光物性・発光デバイス

8月31日 会場:第2-P5
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

31a-P5 - 1〜28

  • 1サファイア上へのSi添加Al4C3薄膜のMOCVD成長徳島大院ATS1,徳島大院STS2 堀江郁哉1,大西裕也1,酒井士郎1,2
  • 2Zr系ぺロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の作製と蛍光特性産総研1,九州工大2 高島 浩1,植田和茂2
  • 3電気泳動堆積法によるYVO4:Bi蛍光体薄膜の作製長岡技科大工 八木純平,大野桂慶,加藤有行
  • 4ビスマスをドープしたペロブスカイト型酸化物蛍光体における発光スペクトルのピーク幅とりん光との相関群馬大院工1,産総研2 京免 徹1,松村一輝1,花屋 実1,高島 浩2
  • 5単結晶MgO 基板上に合成したB2 構造SrO:Eu2+青色蛍光体長岡技科大1,中部キレスト2 小松啓志1,中村 淳1,2,大塩茂夫1,赤坂大樹1,齋藤秀俊1
  • 6BaSi2S5:Eu2+の結晶構造および発光特性電通大先進理工 七井 靖,佐々木千春,坂本 侑,奥野剛史
  • 7サマリウムを添加した硫化物ガラスセラミックスの光およびX線ルミネッセンス特性宮崎大工1,産学地域連携センター2 ○(M2)津留龍太郎1,井戸将宏1,前田幸治1,境健太郎2,碇 哲雄1
  • 8KCl:Sn2+緑色蛍光体の励起・発光スペクトル群馬大院工 奈良淳一,安達定雄
  • 9CaF2:Mn2+緑色蛍光体の発光特性群馬大院工 本多勇規,新井隆広,安達定雄
  • 10黄白色蛍光体Mg3SiO4F2:Tiの真空紫外励起特性鳥取大院工1,TEDREC2 中村公彦1,宮本快暢1,2,大観光徳1,2
  • 11真空還元溶融法により作製した酸素空孔含有α-Al2O3の発光挙動の温度依存性神戸大理 ○(M1)池田翔吾,内野隆司
  • 12新紫外LEDの青色発光についての検討名工大工 市川淳規,陳 志涛,朱 友華,魯  麟,藤田和久,江川孝志
  • 13欠陥形成および重金属添加ZnAl2O4の紫外発光特性静岡大電子研 小南裕子,井口 拓,難波 覚,中西洋一郎,原 和彦
  • 14ビスマスドープしたゼオライトの発光特性の濃度依存性神大院工、電気電子1,神大院工、応用化学2 白 振華1,藤井 稔1,長谷川敬士2,今北健二1,水畑 穣2,林 真至1
  • 15K2SiF6:Mn4+赤色蛍光体の蛍光励起スペクトル群馬大院工 新井隆広,安達定雄
  • 16(NH4)2MF6:Mn4+ (M = Si, Ge, Sn, Ti)赤色蛍光体の作製と評価群馬大院工 笠 亮太,Yan Kai Xu,安達定雄
  • 17六方晶窒化ホウ素粉末の深紫外バンド端発光の高効率化に向けた化学気相合成プロセスの改善静岡大電子研 河西康雅,小南裕子,中西洋一郎,原 和彦
  • 18EuまたはCeを付活したガーネット型Sr3Y2Ge3O12蛍光体鳥取大院工1,鳥取大電子ディスプレイセンター2 棚瀬義隆1,宮本快暢1,2,大観光徳1
  • 19マイクロリアクター法によるEu, Mn共付活白色LED 用蛍光体の作製メルク1,鳥大院工2,TEDREC3 大倉 央1,2,宮本快暢2,3,大観光徳2,3
  • 20錯体重合マイクロ波還元法によるEu添加リン酸化合物蛍光体の作製長岡技科大工 高木陽介,鮫島佑太,加藤有行
  • 21焼成雰囲気変化による青色LED用蛍光体の発光効率改善東京化学研究所 岡本慎二
  • 22青色発光するLi(Sr, Mg)PO4:Eu2+蛍光体の合成と蛍光特性新潟大院自然1,新潟大工2,新潟大超域3 亀井真之介1,初森智紀1,上松和義2,石垣 雅3,戸田健司1,佐藤峰夫2
  • 23アークイメージ炉を用いた溶融急冷法による粉末蛍光体の直接合成新潟大1,東工大2 石垣 雅1,亀井真之介1,上松和義1,戸田健司1,吉村昌弘2,佐藤峰夫1
  • 24マイクロ波加熱法により作製されたCuCl2添加ZnS蛍光体のEL発光大阪府立大高専1,奈良先端大2,イメージテック3 益山純一1,堀口昌吾2,紺谷拓哉2,須崎昌己1,田口信義3,浦岡行治2
  • 25スパッタ成膜したLa2O2S蛍光体薄膜のPL及びEL特性金沢工大 OEDS R&Dセンター 宮田俊弘,南 内嗣
  • 26蛍光体粉末ペレットを用い電子線蒸着法により作製した赤色発光CuAlS2:Mn薄膜EL素子鳥取大院工1,TEDREC2 中村祐介1,水谷貴彦1,宮本快暢1,2,大観光徳1
  • 27周期的凹凸構造を有する基板上に作製した無機薄膜EL素子の光学特性(II)鳥取大院工1,TEDREC2,リコー3 水谷貴彦1,俵谷佳典1,國岡翔太1,宮本快暢1,2,大観光徳1,三浦 博3
  • 28平面電極構造をもつ分散型無機EL素子の発光特性龍谷大理工1,奈良先端大2,イメージテック3 野中俊宏1,七田 渡1,浦岡行治2,田口信義3,山本伸一1

14.5 光物性・発光デバイス

8月31日 会場:第2-P6
ポスターセッション
ポスター掲示時間15:30〜17:30

31p-P6 - 1〜15

  • 1超音波印加のナノ結晶Si成膜における陽極酸化溶液の役割新日本無線 吉田 孝,伏見 浩
  • 2極性溶媒分散性を有する近赤外発光Siナノ結晶(I)神戸大院工 福田真俊,藤井 稔,杉本 泰,今北健二,林 真至
  • 3VHF プラズマにより作製したナノ結晶シリコンの光学的特性東工大量子ナノ研セ1,東工大院理工2 染野 健1,宇佐美浩一1,小寺哲夫1,河野行雄1,波多野睦子2,小田俊理1
  • 4レアアースをドープした青色燐光性ナノシリコンの光学特性東京農工大工 Bernard Gelloz,越田信義
  • 5マイクロ波プラズマCVD法によりTEOSで作製したSi薄膜からの発光特性早大院先進理工 船津友希,梶山 裕,加藤 勇
  • 6Biドープシリカ/シリコンリッチシリカ多層膜の近赤外発光特性神戸大院1,物質・材料研究機構2,浙江大3 森本 賢1,三輪祐司1,Hong-Tao Sun2,藤井 稔1,今北健二1,Jianrong Qiu3,林 真至1
  • 7ビスマスドープトナノポーラスシリカ薄膜の光学特性神戸大 白薩初栄貴,今北健二,白 振華,藤井 稔,林 真至
  • 8発光欠陥を有するInSb QDs埋め込みSi構造における光利得のポストアニール依存性東大 安武裕輔,深津 晋
  • 9量子閉じ込め励起子の波動共鳴による室温非線形光応答阪歯大1,阪大院基礎工2,阪府大院工3,阪大ナノ4 一宮正義1,2,保田英樹3,望月敬太2,芦田昌明2,石原 一3,伊藤 正4
  • 10InP1次元閉じ込め構造における2光子吸収特性千葉大院融合 ○(M2)角田勝健,大石真樹,小林大樹,坂東弘之,松末俊夫
  • 11量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルにおけるピーク波長の振る舞い日女大理 福田綾子,今井 元
  • 12CdS:O薄膜のナノ構造とフォトルミネセンス千葉工大1,大府大院工2,アゼルバイジャン物理研3 浅葉 亮1,鈴木昭典1,沈 用球2,Mamedov Nazim3,Bayramov Ayaz3,Huseynov Emil3,脇田和樹1
  • 13表面に金属ナノ構造を持つInGaN薄膜の光学特性北大院情報科学1,JST-CREST2,仙台高専3,北大電子研4 中治光童1,木場隆之1,2,村山明宏1,2,佐久間実緒3,横田幸恵4,上野貢生4,三澤弘明4
  • 14YVO4:Bi3+,Yb3+の蛍光特性評価と液相合成によるナノサイズ化の検討慶大理工 ○(M1)磯 由樹,磯部徹彦
  • 15ソルボサーマル法を用いて作製したInPナノ蛍光体含有シリカ薄膜埼玉大理工 秋山真之介,船木那由太,福田武司,本多善太郎,鎌田憲彦

14.5 光物性・発光デバイス

9月1日 会場:第2-P11
ポスターセッション
ポスター掲示時間15:30〜17:30

1p-P11 - 1〜28

  • 1Sm添加TiO2薄膜のPL特性と局所構造解析II東理大理(ADL)1,東洋大理工2,日本原子力研究開発機構3 櫻井淳平1,大槻卓也1,原子 進1,小室修二2,平尾法恵3,趙 新為1
  • 2Sm 添加TiO2 薄膜のEL 特性II東京理科大1,東洋大2,日本原子力研究開発機構3 大槻卓也1,櫻井淳平1,原子 進1,小室修二2,平尾法恵3,趙 新為1
  • 3Sm3+添加ガラス蛍光体の発光特性-母体ガラスの効果-名大院工 大島弘嗣,渕 真悟,竹田美和
  • 4CaGa2S4:Mn2+赤色発光の希土類元素添濃度依存性[II]日大1,東京理科大2 鈴木昭宏1,日高千晴1,滝沢武男1,野村重孝2
  • 5CaGa2S4中のMn2+置換サイトの低温ESR測定日大文理1,東京理科大2 北嶋一徹1,滝沢武男1,日高千晴1,野村重孝2
  • 6Si基板上へスパッタ成膜したZnO:Eu膜の発光特性(2)NTT MI研 赤沢方省,篠島弘幸
  • 7CaGa2S4:EuのEu発光への希土類元素共添加の効果日大文理 日高千晴,滝沢武男
  • 8Eu,N共添加ZnOにおけるEu3+発光への窒素添加効果阪大院工 Bin Kamarudin Muhammad Hakim,寺井慶和,辻 尭宏,藤原康文
  • 9Eu添加ZnOにおける不純物共添加効果の検証阪大院工 辻 尭宏,寺井慶和,ビン カマルディン ムハマド ハキム,藤原康文
  • 10Mg, Eu共添加GaNにおけるEu発光の温度依存性阪大院工 李 東建,西川 敦,古川直樹,若松龍太,寺井慶和,藤原康文
  • 11Eu添加GaNにおけるEu発光の温度消光特性阪大院工 古川直樹,西川 敦,李 東建,若松龍太,寺井慶和,藤原康文
  • 12SrGa2S4:Eu2+における電子正孔多重生成の閾値エネルギー測定山形大 鈴木雄三
  • 13Si(111)基板上に成長したEr2O3の対称性の異なる格子位置に存在するEr+3イオンのエネルギーレベルと相互作用NTT物性基礎研 尾身博雄,俵 毅彦
  • 14希土類元素Erを用いた波長変換材料の検討筑波大 ○(M2)弓波亮介,羅 顕佳,秋本克洋,櫻井岳暁
  • 15Er2SiO5結晶の構造・誘電率の第一原理計算電通大院 先進理工 萩原 敦,中村 淳
  • 16RAS法で作製したErxY2-xSiO5結晶薄膜の評価電通大先進理工1,シンクロン2 ○(M1)品川達紀1,菅原卓哉2,姜 友松2,木村忠正1,一色秀夫1
  • 17ErxY2-xSiO5微結晶薄膜中の非発光遷移抑制についての検討電通大先進理工 中島崇之,木村忠正,一色秀夫
  • 18Eu添加AlxGa1-xNにおけるEu発光特性のAl組成依存性阪大院工 川ばた昂佑,西川 敦,李 東建,寺井康和,藤原康文
  • 19ナローバンド深紫外蛍光体AlGdNエピタキシャル薄膜の成長温度依存性神戸大院工1,ユメックス2,兵庫工技セ3 來山真也1,岩橋進哉1,中村順也1,喜多 隆1,千木慶隆2,西本哲朗2,田中寛之2,小林幹弘2,石原嗣生3,泉 宏和3
  • 20ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN薄膜の電子線励起による発光特性神戸大院工1,ユメックス2,兵庫工技セ3 岩橋進哉1,岸 直央1,來山真也1,喜多 隆1,千木慶隆2,西本哲朗2,田中寛之2,小林幹弘2,石原嗣生3,泉 宏和3
  • 21GaN化合物とNH3を原料に用いたMBE法によるGaN薄膜の作製と希土類添加の検討愛媛大工 木村優介,井上貴満,中平康一,弓達新治,宮田 晃,白方 祥
  • 22GaN化合物とNH3を原料に用いたMBE法によるGaN薄膜への希土類添加とRHEED観察愛媛大工 井上貴満,木村優介,中平康一,弓達新治,宮田 晃,白方 祥
  • 23層状TlGaSe2における光学遷移の温度特性阪府大院工1,千葉工大工2,アゼル科学アカデミー3 伊東良晃1,沈 用球1,脇田和樹2,Nazim Mamedov3
  • 24Raman Scattering in TlInS2千葉工大1,大府大院工2,アゼルバイジャン物理研3 Raul Paucar1,原田和樹1,松本陵矢1,脇田和樹1,沈 用球2,Nazim Mamedov3
  • 25TlInSe2の体積膨張によるバンド構造と誘電率の変化千葉工大1,大阪府立大院工2,吉林大3,アゼルバイジャン物理研4 今井 慧1,粟生仁志2,王 現銀1,3,脇田和樹1,沈 用球2,Hamidov Sadig4,Mamedov Nazim4
  • 26結晶構造によるAgInS2のフォトルミネセンス強度のマッピング千葉工大1,ナイキスト2,大府大院工3,宮崎大4 宮本生人1,ラウール パウカル1,脇田和樹1,本庄一裕2,沈 用球3,徳田剛大4,吉野賢二4
  • 27共焦点顕微システムを用いたCuInS2の励起子発光千葉工大工1,大府大院工2 ○(M1)堀川祐輔1,脇田和樹1,沈 用球2
  • 28TlInSe2の巨大形状変化と光音響効果千葉工大1,大府大院工2,アゼルバイジャン物理研3 荒木祥人1,浅葉 亮1,脇田和樹1,朝日隆志2,沈 用球2,Nazim Mamedov3