15. 結晶工学

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• 12段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製東京都市大¹，九大²，JST さきがけ³，山梨大^{4 ○}久保智史¹，星　裕介¹，澤野憲太郎¹，浜屋宏平^2,3，宮尾正信²，有元圭介⁴，山中淳二⁴，中川圭介⁴，白木靖寛¹
• 2Ge/Siエピタキシャル成長を利用した薄膜歪GOI(111)構造の形成東京都市大総研¹，九大院シス情²，JSTさきがけ^{3 ○}星　裕介¹，澤野憲太郎¹，浜屋宏平^2,3，宮尾正信²，白木靖寛¹
• 3スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の平坦化機構東京農工大　院工¹，情報通信研究機構^{2 ○}花房宏明¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，須田良幸¹
• 4Si基板上に直接成長させたGeのRBS測定物材機構量子ビームU¹，東大マテリアル工学^{2 ○}河野健一郎¹，朴　成鳳²，石川靖彦²，和田一実²
• 5シリコン(001)上へのマンガンシリサイド細線構造の形成物材機構¹，筑波大²，ジュネーブ大^{3 ○}三木一司^1,2，H. J. Liu^1,2，J.H.G. Owen³，Ch. Renner³
• 6溶融GOI層の非直線成長とひずみ発生九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}加藤立奨¹，黒澤昌志^1,2，横山裕之¹，東條友樹¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 7SiGeミキシング誘起溶融成長法による網目状GOI層のコヒーレント成長九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}東條友樹¹，横山裕之¹，加藤立奨¹，黒澤昌志^1,2，都甲　薫¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 8溶融SiGeの偏析成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}松村　亮¹，東條友樹¹，横山裕之¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 9貼り合わせGeOI基板における界面近傍欠陥密度の熱処理依存性阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，コバレントシリコン³ 山阪司祐人¹，^○中村芳明^1,2，南　圭祐¹，吉武　修¹，吉川　純¹，泉妻宏治³，酒井　朗¹
• 10横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価阪大院工 ^○鈴木雄一朗，荻原伸平，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 11固相拡散法を用いて形成したSi_1-xGe_x on Insulator基板上への歪Ge層成長名古屋大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}山羽　隆¹，志村洋介^1,2，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 12Ge(110)基板上へのGe_1−xSn_xヘテロエピタキシャル層成長名大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}浅野孝典¹，志村洋介^1,2，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 13Sn添加および水素熱処理がGeエピタキシャル層中の欠陥に与える影響名古屋大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}足立正樹¹，志村洋介^1,2，中塚　理¹，財満鎭明¹