| 9. 応用物性 | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 9.1 誘電材料・誘電体 | C413:3017:45 | PB39:3011:30 | ||||||
| 9.2 微粒子・粉体 | C89:0010:45 | |||||||
| 9.3 ナノエレクトロニクス | C89:0012:00 | C813:3015:30 | ||||||
| PA516:0018:00 | ||||||||
| 9.4 熱電変換 | PA616:0018:00 | C813:3019:00 | ||||||
| 9.5 新機能材料・新物性 | PA716:0018:00 | C89:0011:15 | ||||||
| 10. スピントロニクス・マグネティクス | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等） | H615:0018:00 | H69:0011:45 | ||||||
| PA113:3015:30 | ||||||||
| 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術 | PA213:3015:30 | H69:0012:15 | H613:1517:00 | |||||
| 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 | PA313:3015:30 | H813:1519:00 | ||||||
| 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス | PA413:3015:30 | H69:0012:00 | H612:4515:00 | |||||
| 11. 超伝導 | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 11.1 基礎物性 | A19:0012:00 | A113:3018:15 | A19:0012:00 | PA113:3015:30 | ||||
| 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 | A29:0012:00 | A213:3018:00 | PA213:3015:30 | |||||
| 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 | A19:0011:30 | A113:0018:00 | PA313:3015:30 | |||||
| 11.4 アナログ応用および関連技術 | PA413:3015:30 | A29:0012:15 | A213:3015:00 | |||||
| A216:0017:45 | ||||||||
| 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 | A29:0012:15 | PA513:3015:30 | ||||||
| 12. 有機分子・バイオエレクトロニクス | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 12.1 作製技術 | PB49:3011:30 | H313:3017:30 | H39:0012:00 | H313:0015:00 | ||||
| 12.2 評価・基礎物性 | H19:0012:30 | H113:3018:00 | PB29:3011:30 | |||||
| 12.3 電子機能材料・デバイス | PB416:0018:00 | H49:0012:00 | H413:0014:00 | |||||
| 12.4 光機能材料・デバイス | PB59:3011:30 | H213:3017:15 | ||||||
| 12.5 液晶 | A113:3014:30 | |||||||
| PB516:0018:00 | 12.6 高分子・ソフトマテリアル | PB616:0018:00 | H29:0011:15 | |||||
| 12.7 生物・医用工学・バイオチップ | H39:0012:00 | H313:3018:45 | H39:0012:00 | PB113:3015:30 | ||||
| 12.8 有機EL | H39:0012:00 | H313:3017:00 | PB39:3011:30 | |||||
| 12.9 有機トランジスタ | H29:0011:30 | H213:0018:00 | H29:0011:45 | PB213:3015:30 | ||||
| 12.10 ナノバイオテクノロジー | H49:3011:30 | H413:0017:30 | H49:0012:15 | PB313:3015:30 | ||||
| 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 | PB113:3015:30 | H19:0012:00 | H113:3019:00 | H19:0012:00 | H113:3019:00 | H19:0011:45 | H112:4514:15 | |
| 12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 | PB69:3011:30 | H413:0018:00 | ||||||
| 13. 半導体A（シリコン） | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 13.1 基礎物性・評価 | F59:0012:00 | F513:3018:30 | ||||||
| 13.2 半導体表面 | F89:0012:15 | |||||||
| 13.3 絶縁膜技術 | PB19:3011:30 | F49:0012:15 | F413:3018:45 | |||||
| 13.4 配線技術 | PB716:0018:00 | F59:0011:45 | ||||||
| 13.5 Siプロセス技術 | PB29:3011:30 | F513:3017:45 | F59:0012:00 | F513:3015:45 | ||||
| 13.6 Siデバイス／集積化技術 | PB1016:0018:00 | F49:0012:00 | F413:3018:30 | F49:0012:00 | F413:0014:30 | |||
| 13.7 シミュレーション | PB816:0018:00 | F79:0012:00 | F713:0014:15 | |||||
| 14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 14.1 探索的材料物性 | F213:0015:15 | F29:0011:45 | F213:0015:00 | |||||
| PA1016:0018:00 | ||||||||
| 14.2 超薄膜・量子ナノ構造 | F19:0012:00 | F113:3017:15 | F19:3012:00 | PA113:3015:30 | ||||
| 14.3 プロセス技術・界面制御 | PA49:3011:30 | F213:3017:30 | ||||||
| 14.4 超高速・機能デバイス | PA59:3011:30 | F29:0012:15 | F213:4518:00 | |||||
| 14.5 光物性・発光デバイス | PA49:3011:30 | F112:4518:00 | F19:0012:00 | F113:3018:00 | F19:0011:45 | |||
| 14.6 化合物太陽電池 | H89:1512:15 | H813:3018:15 | H89:0010:45 | |||||
| H811:0011:32 | ||||||||
| 15. 結晶工学 | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 15.1 バルク結晶成長 | PB916:0018:00 | H99:0012:30 | ||||||
| 15.2 II-VI族結晶 | PB19:3011:30 | H812:3014:45 | ||||||
| 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 | J9:0012:00 | J13:3017:45 | J9:0012:00 | J13:3015:15 | ||||
| PB1116:0018:00 | ||||||||
| 15.4 III-V族窒化物結晶 | PB49:3011:30 | H912:3018:30 | H99:0012:00 | H913:0018:00 | H109:0012:00 | H1013:0015:00 | ||
| H1012:3018:45 | H109:0012:00 | |||||||
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶 | J9:0012:00 | J13:3017:00 | ||||||
| 15.6 IV族系化合物 | PB213:3015:30 | H79:0012:00 | H713:1518:15 | |||||
| 15.7 エピタキシーの基礎 | J9:0012:00 | |||||||
| 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥 | F39:0012:15 | |||||||
| 16. 非晶質・微結晶 | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 16.1 基礎物性・評価 | F79:0012:00 | F713:3019:00 | PB1016:0018:00 | |||||
| 16.2 プロセス技術・デバイス | PB1116:0018:00 | F69:0012:00 | F613:0014:45 | |||||
| 16.3 シリコン系太陽電池 | F69:0012:00 | F613:3018:00 | F610:3012:00 | F613:3015:30 | ||||
| PB1216:0018:00 | ||||||||
| 17. ナノカーボン | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 17 ナノカーボン | C213:3014:54 | |||||||
| 17.1 成長技術 | C19:0012:00 | C19:0012:00 | C113:3019:00 | C19:0012:00 | ||||
| 17.2 構造制御・プロセス | E313:3018:45 | |||||||
| 17.3 新機能探索・基礎物性評価 | C29:0012:00 | C213:3018:40 | C29:009:45 | |||||
| 17.4 デバイス応用 | C29:4512:00 | C213:3018:45 | C29:0012:00 | |||||
| 合同セッション | 9月11日（火） | 9月12日（水） | 9月13日（木） | 9月14日（金） | ||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | PB813:3015:30 | H79:0012:00 | H713:3018:15 | H79:0011:30 | H713:0014:45 | |||
| 合同セッションL（MEMS，NEMSの基礎と応用：異種機能集積化） | PA59:3011:30 | F79:0012:00 | F713:3016:30 | |||||
