14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

11a-PA5 - 1〜15

• 1結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を用いた新しいDRAM半導体エネルギー研究所 ^○大貫達也，熱海知昭，長塚修平，井上広樹，斉藤利彦，家田義紀，岡崎　豊，磯部敦生，塩野入豊，加藤　清，奥田　高，小山　潤，山崎舜平
• 255 nm 幅エミッタInP HBT および電流密度とエミッタ幅の関係東工大電子物理 田中啓史，^○宮本恭幸
• 3III-V DG-MOSFET の駆動電流に及ぼすソース/ドレイン形状の影響 に関する理論的解析東理大院基礎工 ^○（M2）長谷川慶，西田明央，原　紳介，藤代博記
• 4InGaAs系HEMTにおけるT型ゲート形状の静電場解析東北大通研 ^○吉田智洋，佐藤　昭，尾辻泰一，末光哲也
• 5InGaAsチャネルMOSFETのEOT削減による伝達コンダクタンス向上東工大院理工 ^○佐賀井健，米内義晴，宮本恭幸
• 6半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化東工大院理工 ^○柏野壮志，平井　準，池田俊介，藤松基彦，宮本恭幸
• 7ダイヤモンド絶縁性基板上への高耐圧ダイヤモンド縦型ショットキーダイオードの作製産総研 ^○永瀬成範，梅澤　仁，鹿田真一
• 8GaN-HEMTノーマリーオフ化のためのしきい値電圧制御に関する研究東工大院理工¹，三菱電機^{2 ○（B）}大澤一斗¹，富岡　寛¹，金澤　徹¹，宮本恭幸¹，大石敏之²
• 9AlGaN/GaN MISゲートHEMT形成におけるH₂アニールの効果東北大通研¹，東北大金研^{2 ○（M1）}小林健悟¹，吉田智洋¹，尾辻泰一¹，片山竜二²，松岡隆志²，末光哲也¹
• 10Gate-control efficiency in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure characterized by capacitance-frequency-temperature mappingJAIST ^○Hong-An Shih，Tuan Quy Nguyen，Masahiro Kudo，Toshi-kazu Suzuki
• 11金属ゲートイオン注入GaN MISFET法政大理工¹，國立中央大学^{2 ○（M1C）}小川弘貴¹，田口真也¹，野本一貴¹，中村　徹¹，辛　祐明²
• 12イオン注入T型ゲートHEMTにおける高周波特性のソース-ゲート間距離依存性法政大 ^○（M1C）青柳拓也，外崎　翔，片寄秀雄，野本一貴，中村　徹
• 13透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下でのEL発光観察名工大院 ^○成田知隆，間瀬　駿，分島彰男，江川孝志
• 14La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN-HEMTの電気特性の膜厚依存性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}陳　江寧¹，常石佳奈¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 15非極性AlGaN/GaN HFETのAlGaNバリアのAlNモル分率およびSi濃度依存性名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念館^{3 ○}水野正隆¹，磯部康裕¹，池田和弥¹，石黒真未¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3

12a-F2 - 1〜12

• 1格子整合p⁺-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsバックワードダイオード富士通¹，富士通研^{2 ○}高橋　剛^1,2，佐藤　優^1.2，中舎安宏^1.2，原　直紀^1.2
• 2Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究東工大院理工 ^○加藤　淳，米内義晴，金澤　徹，宮本恭幸
• 3GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETにおけるサブスレッショルドスロープの改善東工大院理工 ^○藤松基彦，宮本恭幸
• 4２次元電子ガスのセルフコンシステント解析を考慮したInGaAs/歪みInAs/InGaAsチャネルHEMTのモンテカルロ計算（２）情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}遠藤　聡^1,2，渡邊一世¹，三村高志^1,2
• 5伝導帯の非放物線性を考慮した歪InAs-HEMT 中における二次元電子ガスのエネルギー状態の理論解析東京理大基礎工材料 ^○西尾　結，山口　聡，山崎陽一，渡邉　亮，丹下貴博，飯田　努，高梨良文
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Si基板上GaN系HEMTにおける紫外光照射時の過渡電流評価名工大院 ^○常家卓也，分島彰男，江川孝志
• 7AlGaN/GaN HEMTの光応答：多波長照射効果豊田工大¹，豊田中研²，トヨタ自動車³ 村山裕明¹，^○秋山芳広¹，丹羽亮介¹，坂下大樹¹，加地　徹²，杉本雅裕³，榊　裕之¹
• 8AlGaN/GaN HFETにおけるサイドゲート効果の観測徳島大STS研 ^○木尾勇介，井川裕介，敖　金平，大野泰夫
• 9AlGaN/GaN HEMTにおける界面凹凸散乱豊田工大¹，物材機構²，豊田中研³，トヨタ自動車^{4 ○（M2）}丹羽亮介¹，秋山芳広¹，村山裕明¹，坂下大樹¹，川津琢也²，加地　徹³，杉本雅裕⁴，榊　裕之^1,2
• 10AlInN/GaN ヘテロ構造のアニールの影響名工大院 ^○森健太郎，渡邉　新，江川孝志
• 11Al₂O₃/AlGaN/GaN HEMTの電気特性とMOS界面準位の評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}堀　祐臣¹，橋詰　保^1,2
• 12AlGaN/GaNヘテロ構造に形成したMOS界面の評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}馬　万程¹，堀　祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰　保^1,2
•  昼食　12:15〜13:45

12p-F2 - 1〜16

• 1リセスゲート促進障壁層構造AlGaN/GaN E-mode HFETの高低温特性NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}前田就彦¹，廣木正伸¹，佐々木智²，原田裕一²
• 2AlGaN/GaN MIS HEMTの高温特性福井大 ^○（D）畑野舞子，谷口裕哉，徳田博邦，葛原正明
• 3AlGaN/GaN HEMTの低周波におけるパラメータ解析名工大 ^○（M1）山田隆司，成田知隆，分島彰男，江川孝志
• 4単結晶β-Ga₂O₃基板を用いたβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードタムラ製作所¹，情通機構²，JSTさきがけ³，光波^{4 ○}佐々木公平^1,2，東脇正高^2,3，倉又朗人¹，増井建和⁴，山腰茂伸¹
• 5ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの解析（２）芝浦工大システム工 ^○塙　秀之，小野寺啓，堀尾和重
• 6AlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化に関するモンテカルロ解析福井大院 ^○（DC）児玉和樹，徳田博邦，葛原正明
• 7傾斜 Field-Plate 構造 AlGaN/GaN HEMT の 遅延時間の発生メカニズムに関する理論的検討東理大院基礎工 ^○（M1）戸島拓也，原　和也，原　紳介，藤代博記
• 8GaN HEMTデバイスシミュレーション〜AlGaN組成比依存性〜東理大院 ^○加藤靖昌，佐野雅敏
•  休憩　15:45〜16:00
• 9GaN-HEMTスイッチングの容量依存性東芝セミコンダクター＆amp;ストレージ社 ^○齋藤　渉，齋藤泰伸，藤本英俊，吉岡　啓，大野哲也，仲　敏行，杉山　亨
• 10高耐圧AlGaN channel HEMTの高周波特性三菱電機先端総研 ^○南條拓真，今井章文，鈴木洋介，岡崎拓行，吹田宗義，阿部雄次，柳生栄治，大路　浩
• 114H-SiC基板上T 型ゲートイオン注入GaN-HEMT のRF特性法政大理工 ^○（M2）外崎　翔，片寄秀雄，青柳拓也，野本一貴，中村　徹
• 12GaNデバイスにおけるゲート・ファースト・プロセスの検討徳島大院STS研 ^○白石孝之，李　柳暗，岸　明徳，敖　金平，大野泰夫
• 13AlGaN/GaN HEMTのAlNスペーサ層厚依存性(III)情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤　聡^1,2，三村高志^1,2
• 14メサ型GaN p-nダイオード電流-電圧特性に対する表面再結合の影響日立中研¹，法政大マイクロナノテクノロジー研²，法政大理工³，日立電線^{4 ○}望月和浩¹，野本一貴²，畠山義智³，片寄秀雄³，三島友義⁴，金田直樹⁴，土屋忠厳⁴，寺野昭久¹，石垣隆士¹，土屋朋信¹，土屋龍太¹，中村　徹^2,3
• 15低オン抵抗GaN p-nダイオードにおけるフォトンリサイクリング効果の傍証法政大¹，日立電線²，日立中研³，ノートルダム大^{4 ○（M2）}石田祐也¹，三島友義²，望月和浩³，野本一貴⁴，金田直樹²，土屋忠厳²，畠山義智¹，中村　徹¹
• 16自立GaN基板上の耐圧3kV pn接合ダイオード法政大¹，日立中研²，日立電線^{3 ○}畠山義智¹，野本一貴¹，寺野昭久²，金田直樹³，土屋忠厳³，三島友義³，中村　徹¹