12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

12a-H2 - 1〜10

• 1単層カーボンナノチューブ複合体を用いた高性能TFT東レ尖端素材¹，東レ²，慶熙大³ Geun Snag Cho¹，^○村瀬清一郎²，池田真衣子²，真多淳二²，塚本　遵²，Sung Hoon Kim³，Jin Jang³
• 2P3HTナノファイバーを用いた高配向有機トランジスタの作製と評価名工大 ^○加藤幸伸，林　靖彦，物種壱政，横井俊佑，種村眞幸
• 3μギャップ電極配向フタロシアニン薄膜FETの異方的電気特性東工大 多田大介，小松知貴，竹添秀男，^○石川　謙
• 4ペンタセン・五酸化バナジウム共蒸着層を挿入した有機電界効果トランジスタの特性評価新潟大¹，長岡高専^{2 ○（M1）}薄葉　俊¹，皆川正寛²，馬場　暁¹，新保一成¹，加藤景三¹，金子双男¹
• 5パリレン-C絶縁膜を用いた有機トランジスタの逆バイアスストレス効果山形大院理工¹，山形大ROEL^{2 ○}福田憲二郎^1,2，鈴木達也^1,2，小林拓磨^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2
• 6新しい高移動度有機半導体材料としての縮環フラン化合物東大院理¹，JSTさきがけ²，阪大産研^{3 ○}辻　勇人^1,2，三津井親彦^1,3，添田淳史³，三輪一元³，竹谷純一³，中村栄一¹
• 7液晶性有機半導体8TNAT8を用いた塗布型有機FETの作製奥野製薬工業¹，産総研関西^{2 ○}木本正臣¹，物部浩達²，清水　洋²
• 8ナフトジチオフェン系半導体ポリマーにおけるアルキル置換位置の影響広大院工¹，住友化学²，JASRI^{3 ○}宝珍善伸¹，加々良剛志¹，樫木友也²，小金澤智之³，尾坂　格¹，瀧宮和男¹
• 9アルキル置換V字型含チオフェン縮環パイ共役系分子を用いた高性能塗布型有機トランジスタ：構造とデバイス相関阪大産研¹，JNC石油化学²，リガク^{3 ○}岡本敏宏¹，三津井親彦¹，山岸正和¹，松下武司²，広瀬有里¹，中原勝正¹，添田淳史¹，佐藤寛泰³，山野昭人³，植村隆文¹，竹谷純一¹
• 10V字型縮環パイ共役系分子の電荷移動機構に関する理論的研究JNC石油化学¹，阪大産研²，リガク^{3 ○}松下武司¹，岡本敏宏²，三津井親彦²，佐藤寛泰³，山野昭人³，竹谷純一²
•  昼食　11:30〜13:00

12p-H2 - 1〜19

• 1W字型構造を有する含カルコゲン元素縮環パイ共役系分子を用いた高性能有機単結晶トランジスタ阪大産研¹，JNC石油化学²，リガク^{3 ○}三津井親彦¹，岡本敏宏¹，山岸正和¹，松下武司²，三輪一元¹，中原勝正¹，添田淳史¹，佐藤寛泰³，山野昭人³，植村隆文¹，竹谷純一¹
• 2真空蒸着法と塗布結晶化法で作成した高性能C10-DNTTトランジスタ阪大産研¹，デンソー²，広大院工³，日本化薬^{4 ○}Wei Ou-Yang¹，植村隆文¹，広瀬友里¹，大西真司²，加藤哲弥²，片山雅之²，姜　明辰³，瀧宮和男³，桑原博一⁴，濱田雅裕⁴，竹谷純一¹
• 3（チオフェン／フェニレン）コオリゴマー材料のトランジスタ特性早大先進¹，京都工繊大²，東大工^{3 ○}今川雅貴¹，田中美奈子¹，山雄健史²，堀田　収²，岩佐義宏³，竹延大志¹
• 4トップゲート型有機トランジスタのキャリア輸送特性に対するゲート絶縁膜ダイポールの影響大阪府大院工¹，RIMED²，帝人 融合技研^{3 ○（M2）}高木謙一郎¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，串田　尚³，内藤裕義^1,2
• 5銅電極を用いたボトムコンタクト型有機TFTの特性改善山形大院理工¹，山形大工²，山形大ROEL^{3 ○（M1）}宇津野裕弥¹，佐藤　翼²，奥　慎也^1,3，水上　誠^1,3，福田憲二郎^1,3，熊木大介^1,3，時任静士^1,3
• 6自己組織化傾斜構造を用いたトップゲート型有機トランジスタの特性評価阪大院工¹，東京応化工業^{2 ○}松葉翔大¹，梶井博武¹，中西佑太¹，田村弘毅²，大森　裕¹
• 7原子状水素を用いたペンタセン膜のエッチング兵庫県大工 ^○（M2）堀内智康，部家　彰，松尾直人
• 8塗布型電極の密着性改善による有機TFTの曲げ耐久性の向上山形大ROEL¹，サンアロー^{2 ○}関根智仁¹，池田英昭²，小坂井暁史²，清水雅弘¹，福田憲二郎¹，熊木大介¹，時任静士¹
• 9インクジェット銀電極を用いたフレキシブル有機トランジスタの実現山形大院理工¹，山形大ROEL^{2 ○}福田憲二郎^1,2，引地健太^1,2，竹田泰典^1,2，南木　創^1,2，小林拓磨^1,2，関根智仁^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2
•  休憩　15:15〜15:30
• 10有限要素法によるフレキシブルシートデバイスの曲げ耐性評価千葉大院工電気電子¹，千葉大院工機械^{2 ○}酒井正俊¹，渡辺知規²，海野周太²，井上敦夫¹，岡本樹宜¹，山崎陽太¹，工藤一浩¹，胡　　寧²
• 11集合構造がキャリアの吸収スペクトルに与える影響：DNTTとC10-DNTTの比較京大院理¹，阪大産研²，広島大院工³，日本化薬^{4 ○}宮田潔志¹，石野雄太¹，渡邊一也¹，三輪一元²，植村隆文²，姜　明辰³，瀧宮和男³，桑原博一⁴，濱田雅裕⁴，竹谷純一²，松本吉泰¹
• 12ビスアゾメチン色素薄膜を用いたトランジスタの光応答と表面電位イメージング横国大¹，理研²，住友化学^{3 ○}横田裕基^1,2，石塚亜弥^1,2，Jean-Charles Ribierre²，田中利彦³，内山真伸²，松本真哉¹，青山哲也²
• 13チエノキノイド薄膜トランジスタにおけるリバーシブルp-n変換と分子パッキング構造理研¹，横国大²，Ewha Womans Univ.^{3 ○}青山哲也¹，橋爪大輔¹，石塚亜弥^1,2，松本真哉^1,2，武藤豪志¹，高石和人¹，村中厚哉¹，内山真伸¹，Jean-Charles Ribierre^1,3
• 14イオンゲルを用いたルブレン単結晶電気二重層トランジスタの電子スピン共鳴によるミクロ評価筑波大院数物¹，東北大院理²，早大院先進³，JST　さきがけ⁴，東大院工^{5 ○}高橋優貴¹，辻　大毅¹，蓬田陽平²，竹延大志^3,4，岩佐義宏⁵，丸本一弘^1,4
• 15イオンゲルを用いた半導体カーボンナノチューブ薄膜電気二重層トランジスタの電子スピン共鳴によるミクロ評価筑波大院数物¹，早大先進²，首都大理工³，JSTさきがけ^{4 ○}松本大佑¹，辻　大毅¹，野房勇希²，蓬田陽平²，柳　和宏³，竹延大志^2,4，丸本一弘^1,4
• 16DNTTをベースとしたMISキャパシタの交流アドミッタンスＮＴＴ基礎研¹，東大工²，ERATO-JST^{3 ○}林　稔晶¹，武　直矢²，村木康二¹，関谷　毅^2,3，染谷隆夫^2,3
• 17TTF系有機トランジスタの温度特性とトラップ状態解析東工大院理工 ^○秋山雄斗，森　健彦
• 18ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光：キャリア状態に対するゲート誘電体効果富士電機¹，産総研^{2 ○}金井直之¹，堤　潤也²，松井弘之²，山田寿一²，長谷川達生²
• 19有機半導体におけるキャリア伝導の空間異方性・エネルギー依存性〜波束ダイナミクスによるアプローチ〜筑波大数物¹，阪大産研^{2 ○（PC）}石井宏幸¹，植村隆文²，竹谷純一²，小林伸彦¹

13a-H2 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  インクジェット印刷法による高性能C₆₀薄膜トランジスタ東大ナノ量子機構¹，東大生研²，神戸大院工^{3 ○}康　宇建^1,2，北村雅季^1,3，荒川泰彦^1,2
• 2PTCDI-C13ナノ結晶塗布有機トランジスタのおける表面処理の効果信州大・繊維¹，大日精化工業²，愛媛大・工³，JST・さきがけ^{4 ○}宮澤　惇¹，小熊尚実²，平田直毅²，全　現九³，市川　結^1,4
• 3銀ナノインクを用いたポリフルオレン系ポリマーを用いた有機発光トランジスタの作製阪大院工 ^○大森　裕，寺島大樹，楠本悠介，梶井博武
• 4インクジェット法で形成した銀ナノ粒子電極を有する短チャネル有機TFTのコンタクト抵抗山形大院理工¹，山形大ROEL^{2 ○}小林　悠¹，竹田泰典¹，菅野　亮¹，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2
• 5グラフェン塗布型電極を有する高移動度TFTの作製と評価東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}小槻賢志¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 6高撥水性基板上における有機半導体の簡易成膜プロセス開発IV： ポリマー薄膜の加温成膜と結晶性向上産総研 ^○井川光弘，松井弘之，峯廻洋美，堤　潤也，山田寿一，長谷川達生
• 7自己組織化単分子膜を用いた単分子膜モットFETの開発理研¹，分子研²，JSTさきがけ^{3 ○}須田理行¹，山本浩史^1,2,3，加藤礼三¹
• 8P3HTを用いた塗布積層型縦型メタルベース有機トランジスタ山形院理工¹，有機エレクトロニクス研究センター^{2 ○}梅津公平¹，秋庭涼太郎¹，中山健一^1,2，城戸淳二^1,2
• 9高移動度ボトムコンタクト型アルキルDNTT薄膜トランジスタ神戸大工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}北村雅季^1,2，田中　翼¹，康　宇建^2,3，荒川泰彦^2,3
• 10スプリットゲート構造を有する高速動作塗布型OFET阪大産研¹，大阪府立産技研²，デンソー³，トッパン・フォームズ⁴，日本化薬⁵，広大院工^{6 ○}植村隆文¹，宇野真由美^1,2，三宅謙次郎¹，三津井親彦¹，岡本敏宏¹，大西真司³，豊田章人³，松本孝典⁴，濱田雅裕⁵，瀧宮和男⁶，河染　満⁴，桑原博一⁵，加藤哲弥³，片山雅之³，竹谷純一¹
• 11塗布型電極を用いた有機トランジスタの作製と集積回路応用山形大院理工¹，山形大工²，山形大ROEL^{3 ○（M1）}竹田泰典^1,3，吉村悠大^2,3，福田憲二郎^1,3，熊木大介^1.3，時任静士^1,3

13p-PB2 - 1〜32

• 1Improved Performance Of Top Contact Pentacene Based Organic Thin Film Transistor With bilayer Metal Oxide/Au Electrodes富山大 ^○（D）Waqas Alam Mir，王　照圭，中　茂樹，岡田裕之
• 2DNTT及びC₁₀-DNTT多結晶薄膜有機トランジスタの接触抵抗トッパン・フォームズ¹，阪大産研²，広大院工³，日本化薬^{4 ○}松本孝典¹，植村隆文²，三津井親彦²，山岸正和²，三宅謙次郎²，河染　満¹，姜　明辰³，瀧宮和男³，桑原博一⁴，濱田雅裕⁴，岡本敏宏²，竹谷純一²
• 3可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（3）：グラフェンソース・ドレイン電極の利用埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}坂本　舞¹，菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 4グラフェン電極を用いた有機/無機ハイブリッドCMOS回路の塗布形成埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○（DC）}菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 5絶縁層界面の化学修飾によるアンバイポーラ型有機トランジスタの発現東工大院理工 ^○東野寿樹，森　健彦
• 6SrTiO3を絶縁膜に用いた低電圧駆動有機CMOSインバータ山梨大院医工 ^○望月雄太，花形裕紀，奥崎秀典
• 7ウェットプロセスを用いたフレキシブル有機トランジスタ山梨大院医工 ^○湯本建法，池田雅史，奥崎秀典
• 8ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いたペンタセン薄膜トランジスタ和歌山大システム工 ^○芝尾秀人，河村眞人，中原佳夫，坂本英文，宇野和行，木村恵一，田中一郎
• 9極薄酸化インジウム層を有するn型トランジスタ京大院工 ^○山岸裕史，野田　啓，山田啓文
• 10ナフタレン部位で結合したナフトジチオフェンを主鎖に有するポリマーの合成とOFET特性広島大院工 ^○小松晃樹，尾坂　格，瀧宮和男
• 11ビスベンゾチエノナフトジチオフェンの合成とFETへの応用広島大院工 ^○森　崇充，西村　健，土井伊織，宮碕栄吾，尾坂　格，瀧宮和男
• 12ナフタレンテトラカルボキシジイミド(NTCDI)へのシクロアルキル基の導入効果東工大院理工 ^○（M2）柿沼友行，芦沢　実，松本英俊，森　健彦
• 13トップゲート型C₈-BTBT FETの埋め込み電極による半導体層の薄膜化大阪府大院¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大³，日本化薬⁴，九大OPERA^{5 ○}木村　友¹，望月文雄¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明^4,5，内藤裕義^1,2
• 14イオン液体表面における熱変換型DNTTの結晶成長とそのトランジスタ特性阪大産研¹，帝人^{2 ○}添田淳史¹，岡本敏宏¹，濱口　梓²，池田吉紀²，竹谷純一¹
• 15DPh-DNTTを用いた低電圧駆動有機トランジスタの熱安定性東大工¹，マックスプランク²，広大³，日本化薬⁴，JST, ERATO^{5 ○}横田知之¹，栗原一徳¹，徳原健富¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，関谷　毅^1,5，染谷隆夫^1,5
• 16有機TFTのデバイス構造に依存した大気中での特性変化の解析山形大ROEL ^○熊木大介，越田聖大，福田憲二郎，時任静士
• 17ボトムコンタクト型DNTT薄膜トランジスタの大気安定性神戸大工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}田中　翼¹，北村雅季^1,2，康　宇建^2,3，荒川泰彦^2,3
• 18トランスファー積分と再配向エネルギーによるアンバイポーラ有機材料の評価東工大院理工 ^○（DC）小島広孝，森　健彦
• 19孤立ポリチオフェンナノファイバーのキャリア移動度の温度依存性農工大院BASE ^○村沢義寛，太田　豊，下村武史
• 20プリンタブル半導体としてのMoS₂の特性評価北大総化院¹，北大院工^{2 ○}橋本　遊¹，柳瀬　隆²，長浜太郎²，島田敏宏²
• 21TMTTFを用いた有機トランジスタ東工大院理工 ^○田村純香，角屋智史，森　健彦
• 22導電性ポリマーを有するOFETの作製およびデバイスパラメータ抽出京大院工 ^○高垣俊介，野田　啓，山田啓文
• 23銀ナノインクのパルス光焼結と有機トランジスタ用電極への適用産総研電子光技術¹，昭和電工^{2 ○}近松真之¹，西原佳彦¹，阿澄玲子¹，内田　博²，篠崎研二²
• 24有機発光トランジスタの発光時における電界分布の解析東工大院理工¹，檀国大^{2 ○}益子泰裕¹，田口　大¹，林　銀珠²，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 25有機半導体（テトラセン）の評価東京農工大・工 ^○湯口貴彦，岩崎好孝，上野智雄
• 26Variable temperature characteristics of n-channel organic transistors using DMDCNQI東工大院理工 ^○Joungmin Cho，秋山雄斗，角屋智史，森　健彦
• 27Memory effects in silver nanoparticles pentacene transistors: controllable shifts in threshold voltage.東工大¹，スロバキア工大^{2 ○}李　建権¹，マーティン ワイス²，田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 28ペンタセンFET素子における過渡的なキャリア輸送とトラップ準位の評価東工大院理工¹，北航大物理^{2 ○}間中孝彰¹，竹尾淳司¹，岩本光正¹，柳　　飛²
• 29縦型メタルベース有機トランジスタのベース電極構造と加熱効果山形大院理工¹，有機エレクトロニクス研究センター^{2 ○}上野陽平¹，城戸淳二^1,2，中山健一^1,2
• 30三次元構造を利用した高出力フレキシブルポリマーTFT阪大産研¹，阪府産技研²，広大院工^{3 ○}中山健吾¹，宇野真由美^1,2，尾坂　格³，瀧宮和男³，竹谷純一¹
• 31パリレン絶縁膜を用いた有機トランジスタの閾値電圧制御東大工¹，JST-ERATO^{2 ○}徳原健富¹，横田知之¹，武　直矢¹，Martin Kaltenbrunner^1,2，松久直司¹，関谷　毅^1,2，染谷隆夫^1,2
• 32ナノインプリント法による有機単結晶の微細加工早大先進¹，東北大理²，京都工繊大³，東大工^{4 ○}丸山建一¹，澤部宏輔²，今川雅貴¹，高橋　亘¹，山雄健史³，堀田　収³，岩佐義宏⁴，竹延大志¹