14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

11a-PA4 - 1〜5

• 1AlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性と欠陥準位の相関中部大総工研¹，物材機構²，パウデック^{3 ○}中野由崇¹，色川芳宏²，住田行常³，八木修一³，河合弘治³
• 2MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価愛知工大¹，福井大^{2 ○}本田銀熙¹，徳田　豊¹，塩島謙次²
• 3第一原理計算によるGaN表面エッチング現象初期過程の解明阪大院工 ^○大上まり，稲垣耕司，山内和人，森川良忠
• 4基板加熱を施したITO薄膜の構造と電気特性東海大工¹，アーステック^{2 ○}高橋良輔¹，小島啓安²，本城貴充¹，久慈俊郎¹
• 5低Mgドープp-GaNショットキー接触の順方向I-V特性の解析福井大院工¹，日立電線^{2 ○}青木俊周¹，金田直樹²，三島友義²，塩島謙次¹

11p-F2 - 1〜15

• 1GaN上にALD成膜したAl₂O₃の電気的特性の成膜温度依存性名工大 ^○（M2）岩田康宏，ジョセフ フリーズマン，久保俊晴，江川孝志
• 2n型GaN表面へのNi電解めっき膜形成における表面前処理の最適化(2)首都大 理工 ^○（M1）北澤弘毅，小山皓洋，中村成志，奥村次徳
• 3電気化学プロセスによるAlGaNの表面制御北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}東石直樹¹，橋詰　保^1,2
• 4InAlN表面に対する弗化水酸化処理の効果北大量子集積センター ^○中野拓真，赤澤正道
• 5MCTS法によるMOCVD n-GaNの正孔トラップの解析愛知工大¹，豊田中研^{2 ○}松村俊哉¹，柴田龍成¹，本田銀熙¹，徳田　豊¹，上田博之²，成田哲生²，上杉　勉²，加地　徹²
• 6p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(2) --高温ICTSによる評価--福井大院工¹，日立電線²，ノートルダム大^{3 ○}高橋利文¹，金田直樹²，三島友義²，野本一貴³，塩島謙次¹
• 7ICPエッチGaN表面に形成したMOS構造の界面制御北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○（M2）}金　聖植¹，堀　祐臣¹，橋詰　保^1,2
• 8AlGaN/GaNヘテロ構造中のプラズマ照射誘起欠陥に対する熱処理の影響首都大理工 ^○瀧本拓真，竹下浩司，中村成志，奥村次徳
•  休憩　15:30〜15:45
• 9自立基板上GaNエピ層に形成したショットキー接合の評価北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}中野　智¹，橋詰　保^1,2
• 10再成長により作製したInAlN/GaN HEMTの特性NTT PH研¹，NTT物性研^{2 ○}廣木正伸^1,2，渡邉則之¹，前田就彦¹，横山春喜¹，熊倉一英²，山本秀樹²
• 11熱処理後の4H-SiC表面の導電性法政大院¹，法政大イオンビーム工学研^{2 ○（M1C）}杉町　徹¹，松井　章¹，西村智朗²，中村　徹¹
• 12ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製北大量集セ ^○神保亮平，今井雄大，谷田部然治，佐藤威友
• 13InP/InGaAlAs選択エッチングによる半導体コーン構造の金属埋め込み表面平坦性改善北大電子研¹，日本学術振興会²，情報研究機構^{3 ○}浅野智也¹，中島秀朗^1,2，赤羽浩一³，佐々木雅英³，末宗幾夫¹
• 14GaAs系半導体の誘電体ロッド型フォトニック結晶作製技術の検討阪大院工 ^○後藤洋昭，森藤正人，石川史太郎
• 15フォトニック結晶半導体レーザ作製を目指した電流狭窄構造の作製と評価阪大院工 ^○山内翔太，渡辺章王，石川史太郎，近藤正彦