16. 非晶質・微結晶

13p-PB11 - 1

• 1Al基板に窒化炭素膜を液相合成する際の電圧印加極性の影響東海大院総合理工¹，東海大産業工²，東海大³，東海大開発工^{4 ○}東　幹晃¹，清田英夫²，黒須楯生³，千葉雅史⁴

14a-F6 - 1〜11

• 1Ge:Sb/a-Siポテンシャル障壁構造による赤外線センサ用薄膜の電気特性東理大理工 ^○山田雄太，木下潤一，古川昭雄
• 2MgZnO系ポテンシャル障壁構造を用いた赤外線ボロメータ用薄膜材料の検討II東理大理工 ^○中村優平，木下潤一，古川昭雄
• 3Geウェーハを用いたNa内包II型Geクラスレートの合成岐大工 ^○杉山智哉，大橋史隆，服部真嗣，岩井義樹，今井承一，姫野呂人，小倉拓也，伴　隆幸，久米徹二，野々村修一
• 4II型SiGe合金クラスレートの作製条件の探索岐阜大工 ^○大橋良崇，今井承一，小倉拓也，林　和秀，一瀬広信，大橋史隆，伴　隆幸，久米徹二，野々村修一
• 5電子スピン共鳴法によるNa内包II型Siクラスレートの物性評価岐大院工 ^○後藤康兵，姫野呂人，砂場昭吾，大橋史隆，伴　隆幸，久米徹二，山家光男，野々村修一
• 6ホスフィンの加熱ワイヤ上での分解過程における材質依存静岡大工¹，JST CREST^{2 ○}梅本宏信^1,2
•  休憩　10:30〜10:45
• 7FLAによる大粒径poly-Si膜形成と結晶化におけるドーパント拡散北陸先端大¹，JSTさきがけ²，ニューサウスウェールズ大^{3 ○}大平圭介^1,2，Sergey Varlamov³
• 8Al誘起固相成長法の薄膜多結晶Si太陽電池応用に向けた研究東工大¹，産総研^{2 ○（DC）}竹内正芳¹，近藤道雄^1,2
• 9固相成長により結晶Si上に成長させた結晶Ge薄膜における非晶質前駆体の影響東海大院工¹，東海大工^{2 ○}金井みくり¹，山口智明¹，磯村雅夫²
• 10近赤外半導体レーザ光照射による転写 Si 膜の電気特性及び欠陥密度評価広大院 先端研 ^○酒池耕平，小林義崇，中村将吾，林　将平，赤澤宗樹，池田弥央，花房宏明，東清一郎
• 11近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのa-Si膜の転写と結晶成長制御(II)広大院先端研 ^○中村将吾，酒池耕平，小林義崇，林　将平，花房宏明，東清一郎
•  昼食　12:00〜13:00

14p-F6 - 1〜7

• 1HWCVD法により堆積したSiCN膜のエッチピット密度測定法による評価九州工大 ^○（M2）屋部憲孝
• 2反応性スパッタ法により作製したIn_xGa_1-xN薄膜の 高品質化に向けた作製条件の検討岐大院工 ^○（M2）加藤好徳，片山竜一，鈴木俊正，伊藤貴司，野々村修一
• 3反応性スパッタ法を用いたアモルファスシリコン系ワイドバンドギャップ薄膜作製に関する検討東海大（院） ^○野澤　慎，鈴木亮祐，磯村雅夫
• 4a-SiO:H薄膜の成長過程: 1. SiH₄/CO₂プラズマ中の気相反応過程阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}木下翔太¹，小渡晃平¹，三坂修己¹，傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 5a-SiO:H薄膜の成長過程:2.膜の構造解析による表面反応過程診断阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}三坂修己¹，谷田昌弘¹，柿本真之介¹，金　賢洙¹，木下翔太¹，傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 6アモルファスSiO:H薄膜の成長過程:３.膜成長モデルとプロセス制御阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}傍島　靖^1,2，木下翔太¹，三坂修己¹，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 7p型a-SiO:Hの薄膜シリコン太陽電池への適応性阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}前田貴紀¹，木谷彬彦¹，木下翔太¹，傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2