17. ナノカーボン

13a-C2 - 4〜11

•  1〜3　9:00〜9:45（17.3 新機能探索・基礎物性評価）
• 4インクジェット法を用いた完全塗布型オールカーボンフレキシブルトランジスタ早大先進¹，東北大理²，首都大理工³，東大工^{4 ○}松崎怜樹¹，蓬田陽平²，犬飼良太¹，柳　和宏³，岩佐義宏⁴，竹延大志¹
• 5高速転写・フレキソ印刷技術を用いた高移動度カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製名大工¹，バンドー化学^{2 ○}樋口健太郎¹，中嶋勇太²，外村卓也²，武居正史²，岸本　茂¹，水谷　孝¹，畑　克彦²，大野雄高¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6単一(6,5)カイラリティ単層カーボンナノチューブ厚膜におけるイオンゲルトランジスタ首都大理工¹，早大先進²，産総研/CREST^{3 ○（M1）}工藤　光¹，野房勇希²，河合英輝¹，片浦弘道³，竹延大志²，柳　和宏¹
• 7高純度半導体カーボンナノチューブを用いた高周波FETの特性評価名大工¹，名大理^{2 ○}稲垣正己¹，畑　謙佑¹，塩沢一成²，宮田耕充²，大野雄高¹，岸本　茂¹，篠原久典²，水谷　孝¹
• 8単層カーボンナノチューブトランジスタの圧縮・引張特性早大先進¹，東北大理²，首都大理工³，東大工⁴，PRESTO^{5 ○}野房勇希¹，濱畑裕紀¹，蓬田陽平²，柳　和宏³，岩佐義宏⁴，竹延大志^1,5
• 9軸方向引張歪みを加えたCNTトンネル電界効果トランジスタの特性解析神戸大院工 ^○中野貴史，小川真人，相馬聡文
• 10プラズマCVDによる原子置換単層カーボンナノチューブの創製及び電気特性評価東北大院工 ^○村越幸史，加藤俊顕，安久津誠，畠山力三，金子俊郎
• 11単層カーボンナノチューブ膜への連続的電子ドーピング早大先進¹，首都大理工^{2 ○（M1）}清水　諒¹，松崎怜樹¹，柳　和宏²，竹延大志¹
•  昼食　12:00〜13:30

13p-C2 - 1〜20

• 1Pd,Ti被膜ドーピングによるCNTFETの伝導型制御名大工¹，名大VBL^{2 ○（PC）}石井　聡^1,2，玉置聖人¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 2CNT/SiC界面の電流挙動早大¹，名大^{2 ○}渋谷　恵¹，稲葉優文¹，大原一慶¹，落合拓海¹，増田佳穂²，平岩　篤¹，楠美智子²，川原田洋¹
• 3カーボンナノチューブを用いたPtナノ粒子の融点計測阪大院工 ^○恵美健央，黒田圭介，平原佳織，中山喜萬
• 4カーボンナノチューブ電界電子放出源の劣化機構阪大院工 ^○恵美健央，黒田圭介，平原佳織，中山喜萬
• 5フレキシブルMoS₂薄膜トランジスタ早大先進¹，東北大理²，Academia Sinica³，東大院工^{4 ○}蒲　　江¹，蓬田陽平²，Keng-Ku Liu³，Lain-Jong Li³，岩佐義宏⁴，竹延大志¹
• 6合成MoS₂単結晶を用いた電界効果トランジスタの作製と評価埼玉大院理工 ^○田端祐輔，上野啓司
• 7CVDグラフェンにおける電界効果移動度のグレインサイズ依存性産総研GNC¹，産総研ICAN²，産総研NRI^{3 ○}八木克典¹，山田綾香¹，林賢二郎¹，原田直樹¹，塚原雅宏²，小川真一³，佐藤信太郎¹，横山直樹¹
• 8グラフェン/SiC/SiバックゲートFET特性とSiC層厚の関係東北大・通研¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}江藤隆紀¹，鷹林　将^1,2，三本菅正太¹，猪俣州哉¹，吹留博一^1,2，末光眞希^1,2，末光哲也^1,2，尾辻泰一^1,2
• 9ヘリウムイオン照射されたグラフェンシートの室温における電流のゲート変調産総研GNC¹，産総研ICAN²，産総研NRI³，物材機構WPI-MANA^{4 ○}中払　周¹，飯島智彦²，小川真一³，鈴木真吾¹，宮崎久生⁴，黎　松林⁴，塚越一仁⁴，佐藤信太郎¹，横山直樹¹
• 10GNRFETにおけるリーク電流・移動度トレードオフの量子伝導計算産総研¹，CEMES-CNRS & MANA Satellite^{2 ○}伊藤正勝¹，佐藤信太郎¹，横山直樹¹，Christian Joachim²
•  休憩　16:00〜16:15
• 111次元局所歪みを導入したグラフェンの電気伝導筑波大物理¹，筑波大学際物質セ^{2 ○}友利ひかり^1,2，軽部大雅^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2
• 12第一原理シミュレーションによるグラフェン Dual-Double Gate トランジスタの特性評価富士通研 ^○大淵真理
• 13酸化物保護膜を用いたCVDグラフェン転写法とその有用性の検証産総研GNC ^○山口淳一，林賢二郎，佐藤信太郎，横山直樹
• 14酸化グラフェンデバイスの性能支配要因解析阪大院工¹，阪大産研^{2 ○}根岸良太¹，倉本一輝¹，大野恭秀²，前橋謙三²，松本和彦²，小林慶裕¹
• 15グラフェン電界効果トランジスタを用いた抗原の高感度検出阪大産研 ^○岡本翔伍，生田　昂，Zaifuddin Sakinah，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 16グラフェンメゾスコピック構造における磁場を用いた単一ディラック電子制御物材機構¹，群馬大工^{2 ○}森山悟士¹，守田佳史²，渡辺英一郎¹，津谷大樹¹
• 17グラフェン／銀ナノワイヤー積層透明導電フィルム東芝研究開発センター ^○内藤勝之，吉永典裕，堤　栄史，赤坂芳浩
• 18スパッタアモルファスカーボンの熱処理により成膜した多層グラフェン配線の電流耐性産総研/GNC ^○佐藤元伸，高橋　慎，中野美尚，二瓶瑞久，横山直樹
• 19横方向グラフェンと縦方向高密度グラフェン構造[DVHG]の熱伝導および電気伝導評価産総研 ^○村上　智，川端章夫，二瓶瑞久，横山直樹
• 20グラフェン含有カーボン微粒子から作製したEDLC用電極中部大¹，パルスプラズマ技研^{2 ○（M2）}加藤公敏¹，松島真央¹，野田三喜男²，内田秀雄¹

14a-C2 - 1〜11

• 1半導体単層カーボンナノチューブを用いた超高感度ガスセンサー阪大院工¹，新コスモス電機^{2 ○（M1）}鈴木雄登¹，野本龍一¹，板橋健太¹，田畑博史¹，片山光浩¹，上田　剛²，嶋嵜僚太郎²，丹上博雅²，堀内雅司²
• 2金属酸化物修飾単層カーボンナノチューブによる極微量酸素分子の高感度センシング阪大院工¹，大陽日酸²，新コスモス電機^{3 ○}松下八土史¹，福田洋志¹，鈴木雄登¹，板橋健太¹，田畑博史¹，片山光浩¹，菊池　勉²，佐藤哲也²，上村隆裕²，上田　剛³，嶋嵜僚太郎³，丹上博雅³，堀内雅司³
• 3カーボンナノチューブ薄膜トランジスタを用いた圧力センシングTASC¹，NEC²，東大工^{3 ○}二瓶史行¹，遠藤浩幸²，沼田秀昭¹，井原和紀¹，関谷　毅³，染谷隆夫³
• 4High-k絶縁膜積層型カーボンナノチューブメモリ阪大産研¹，CREST-JST^{2 ○}藤井雄介¹，清家康平¹，上村崇史^1,2，大野恭秀^1,2，前橋兼三^1,2，井上恒一^1,2，松本和彦^1,2
• 5グリッド配線によるCNT透明導電膜の低抵抗化名大工¹，東大工^{2 ○}深谷徳宏¹，片岡佑介²，金　東榮²，岸本　茂¹，水谷　孝¹，野田　優²，大野雄高¹
• 6n型半導体単層カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の作製および特性評価法大院工¹，法大生命科^{2 ○}庄司真雄¹，関根亮典¹，伊藤寿之²，緒方啓典^1,2
•  休憩　10:30〜10:45
• 7塗工型色素増感太陽電池のためのカーボンナノチューブ塗料の開発横国大院工 ^○辻　雅也，杉山誠一，大矢剛嗣
• 8単層カーボンナノチューブを対極に用いた色素増感太陽電池の評価東大工 ^○千足昇平，山中俊平，木下英典，エリック エイナルソン，丸山茂夫
• 9ドライスピニング法で紡績したMWCNT紡績糸の電気伝導特性静大院工¹，静大電研^{2 ○}萩坂文登¹，榎本将規¹，中野貴之¹，三村秀典²，井上　翼¹
• 10CNT間クロスリンク技術によるCNT構造体の機械特性向上静大院工¹，静大電研^{2 ○}中村和通¹，宮坂悠太¹，中野貴之¹，三村秀典²，井上　翼¹
• 11カーボンナノチューブ･バンプを用いたマイクロストリップ線路インダクタ(I) 高周波解析慶大院理工¹，富士通研^{2 ○}中村光貴¹，岩井大介²，粟野祐二¹