
10. スピントロニクス・マグネティクス
11p-H6 - 1〜11
- 1Co(111)/α-Cr2O3(0001)界面での垂直磁気異方性阪大院工 ○白土 優,武智雄一郎,河原信一,及川博人,中谷亮一
- 2Pt(111)/Co(111)/α-Cr2O3(0001)垂直交換バイアス薄膜における界面非補償Crスピンの検出とバーティカルシフト阪大院工1,高輝度光科学研究センター/SPring-82,阪大超高圧電子顕微鏡センター3 ○白土 優1,納富隼人1,及川博人1,中村哲也2,鈴木基寛2,藤田敏章1,荒河一渡3,武智雄一郎1,森博太郎3,木下豊彦2,山本雅彦1,中谷亮一1
- 3Co(111)/a-Cr2O3薄膜における垂直交換バイアスのパルス強磁場による等温反転阪大工1,JASRI/SPring-82,東北大金研3,東北大工4 ○若津康平1,白土 優1,中村哲也2,及川博人1,前納 覚1,鳴海康雄3,田添 昂3,三俣千春4,木下豊彦2,野尻浩之3,中谷亮一1
- 4GaAs(110)基板上のFe及びFePtの成長奈良先端大 ○阿野浩一郎,黄 晋二,河口仁司
- 5高品質フルホイスラー合金Co2FeSi1-xAlxの形成と仕事関数制御東工大院像情報1,東大院電気系2,科学機構CREST3 佐藤充浩1,○(M1)冨永琢郎1,川目 悠1,中根了昌2,菅原 聡1,3
- 休憩 16:15〜16:30
- 6半導体上への垂直磁化膜の作製と評価北大 ○(M1)平木隆浩,小西敬太,石倉丈継,陽 完治
- 7鉄/金属窒化物(炭化物)界面磁気異方性の第一原理計算東北大CSIS1,東北大通研2 ○(PC)辻川雅人1,三浦良雄2,1,白井正文2,1
- 8垂直磁化Mn-Al-Ge合金薄膜の構造と磁気特性東北大WPI-AIMR ○水上成美,窪田崇秀,宮崎照宣
- 9Temperature dependence of spin-dependent tunneling resistances of fully epitaxial Co2MnSi-based magnetic tunnel junctions北大院情報科学研究科 ○(DC)劉 宏喜,本田佑輔,松田健一,植村哲也,山本眞史
- 10スピネル系トンネルバリアの相変化物材機構1,筑波大数理物質2 ○三谷誠司1,2,具 正祐1,2,介川裕章1
- 11LiZnAsを母体とする磁性半導体の計算機マテリアルデザイン阪大基礎工 ○佐藤和則,Vu Nguyen Dang,藤井 将,福島鉄也,吉田 博
11p-PA1 - 1〜7
- 1積層構造FeZnOスパッタ膜の局所構造解析産総研1,法大2,島根大3,立命館大4 ○安本正人1,坂本 勲2,木下量介2,中山 浩2,小池正記1,本多茂男3,片山真祥4,稲田康宏4
- 2熱処理したZnOFe/ZnO膜の構造及び磁気特性法政大1,産総研2,島根大3 ○中山 浩1,坂本 勲1,木下量介1,安本正人2,小池正記2,本多茂男3
- 3がん温熱療法用Fe3O4ナノ粒子の最適合成条件の検討と物性評価(III)中部大1,名市大院・医学研究科2 ○與語勇輝1,高橋 誠1,田橋正浩1,堤内 要1,小林 猛1,河合憲康2
- 4Post-deposition annealing efffect on exchange bias in BiFeO3/CoFe bilayers東北大工1,中国科学院2 YU Tian1,2,○(P)永沼 博1,Han Xiu-Feng2,安藤康夫1
- 5二元化合物CrTe薄膜のMBE成長条件による結晶構造・磁気特性の変化筑波大院数理物質1,物質・材料研2 ○山脇和真1,関田直也1,西尾陽太郎1,金澤 研1,黒田眞司1,三留正則2,坂東義雄2
- 6菱面体構造を有するBiFeO3/CoFe二層膜の作製およびその磁気特性東北大院工 ○向山広記,永沼 博,大兼幹彦,安藤康夫
- 7分子層制御したCo3O4/Fe3O4人工格子の作製筑波大 ○村上 拓,新関智彦,柳原英人,喜多英治
12a-H6 - 1〜10
- 1ホイスラー合金 / NbN接合の作製と電気的特性名大院工 ○吉原健彦,深谷直人,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文
- 2Co2MnSi/MgO/NbN接合を用いたホイスラー合金Co2MnSiのスピン偏極率評価北大院情報科学 ○松田健一,篠木崇帆,植村哲也,山本眞史
- 3強磁性ホイスラー合金Co2FeSiのRu置換による金属絶縁体転移青学大理工1,KFT2 ○遠藤邦昭1,大西智弘1,野呂良彦2,水崎壮一郎1,永田勇二郎1
- 4ハーフホイスラーLaPtBi薄膜の配向制御名古屋大院工1,名大エコトピア研2 ○杉本望実1,新美陽平1,宮脇哲也1,深谷直人1,吉原健彦1,田中信夫2,浅野秀文1
- 5磁気コンプトンプロファイルによる強磁性体中のスピン偏極した遍歴電子状態の評価青学理工1,KFT2,JASRI3 ○水崎壮一郎1,大西智弘1,遠藤邦昭1,野呂良彦2,伊藤真義3,櫻井吉晴3,永田勇二郎1
- 休憩 10:15〜10:30
- 6MBE法により作製した(Co, Fe)4Nエピタキシャル膜の磁気特性評価筑波大数理 ○佐内辰徳,伊藤啓太,都甲 薫,末益 崇
- 7パルスレーザー堆積法によるNiAs型(Fe1-xCrx)Seの薄膜成長と磁気物性東大工1,阪大理2 ○(B)宋 貴斌1,松井裕章1,赤井久純2,田畑 仁1
- 8異なるバッファー層を用いてガラス基板上に作製したY3-XBiXFe5O12膜の評価長岡技科大1,神戸高専2 ○吉田和彦1,小林 司1,池原成拓2,西 敬生2,石橋隆幸1
- 9組成制御ナノシード自己集合法による微小Feドット-LaSrFeO4ナノ構造の作製阪大産研 ○岡田浩一,田中秀和
- 10カイラル磁性体におけるカイラルソリトン格子大阪府立大 ナノ科学・材料研究センター1,大阪府立大工 マテリアル2,青山学院大理工 物理3,広島大理 化学4,放送大5 ○戸川欣彦1,小山 司2,森 茂生2,高阪勇輔3,秋光 純3,西原禎文4,井上克也4,岸根順一郎5