15. 結晶工学

11a-J - 1〜11

• 1放物線ポテンシャルを持つAlGaAs量子井戸のMBE成長愛媛大院 ^○藤木章雄，下村　哲
• 2AlGaAs/AlAsタイプII量子井戸のMBE成長とAlAs膜厚依存性愛媛大院理工¹，科技振^{2 ○}神野泰輔¹，谷　勇気¹，福澤　董²，白方　祥¹，近藤久雄¹，下村　哲¹
• 3球状ディンプル研磨した(411)A基板上のGaAs/AlGaAs量子井戸のMBE成長愛媛大院理工 ^○滝口雅博，下村　哲
• 4正弦波形と台形波形組成構造をもつ量子細線面発光レーザ用AlGaAs分布型ブラッグ反射器のMBE成長愛媛大院理工 ^○三島義史，下村　哲，梶谷昌司
• 5Growth temperature dependence of PL spectra from quantum wells grown on GaAs (631)A substrates by MBE愛媛大¹，SLP大²，CINVESTAV-IPN³ David Vazquez-Cortes¹，Victor-Hernadez Mendez-Garcia²，Maximo Lopez-Lopez³，^○下村　哲¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6周期空間反転GaAs/AlGaAs導波路のMBE再成長における異方性拡散効果の温度依存性東大工 ^○吉田成輝，花嶋香織，松下智紀，近藤高志
• 7(100)GaAs基板上のGaAsBi/GaAs量子井戸のMBE成長愛媛大院理工 ^○名原　優，建部崇政，田中佐武郎，下村　哲
• 8(411)A面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸のMBE成長愛媛大院理工 ^○建部崇政，名原　優，田中佐武郎，下村　哲
• 9MOMBE成長によるGaAs基板上SnドープInGaPのn型ドーピング制御NTTフォトニクス研¹，大阪市大^{2 ○}満原　学¹，渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝²
• 10MOCVD法により成長したGaSb結晶表面の平坦化NTTフォトニクス研¹，東大^{2 ○}横山春喜¹，川村宗範¹，星　拓也¹，杉山弘樹¹，竹中　充²，高木信一²
• 11MEE成長によるCuGaSe2のドーピング特性早大理工¹，早大材料技術研究所^{2 ○}Sathiabama Thiru^1,2，佐藤友博^1,2，藤田実樹^1,2，堀越佳治^1,2
•  昼食　12:00〜13:30

11p-J - 1〜16

• 1(001)GaAs基板上分子線エピタキシーGaAs選択成長におけるグラフェンマスクの可能性検討名城大理工 ^○白井優也，廣田雄二郎，伊覇広夢，岩月剛徳，加藤浩直，山本菜緒，成塚重弥，丸山隆浩
• 2X線マイクロ回折法によるSi(111)上InGaAsの成長メカニズム解析東大院工¹，東大先端研²，高輝度光科学研究センター^{3 ○}渡邉翔大¹，藤本　悠²，渡辺健太郎²，肥後昭男²，今井康彦³，木村　滋³，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 3InGaAs/InAs composite channel HEMT構造のMOVPE成長NTTフォトニクス研 ^○杉山弘樹，星　拓也，横山春喜，松崎秀昭
• 4InP基板上のGaAs/AlGaAs ミラー成長日本電信電話NTTフォトニクス研 ^○大礒義孝，伊賀龍三，神徳正樹
• 5(775)B InP基板上にMBE成長したInGaAs層の光学的特性のIn組成依存性愛媛大院理工 ^○西松佑真，宮田哲弥，下村　哲
• 6InP基板上へのtype-II InAs/GaSb超格子の成長住友電工¹，大阪府大^{2 ○}三浦広平^1,2，猪口康博¹，河村裕一²
• 7MBE法によるInP(110)基板上InGaAs/InAlAs量子井戸の結晶成長奈良先端大 ^○安田祐介，黄　晋二，河口仁司
• 8MOCVD成長CドープInGaAsSbの固相組成と原料供給比の相関NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}星　拓也¹，杉山弘樹¹，横山春喜¹，栗島賢二¹，井田　実¹，舘野功太²
•  休憩　15:30〜15:45
• 9GaAs(001) 面上窒素δドープ層形成過程のRHEED解析(2)阪大院工 ^○西本徳久，角谷健吾，石川史太郎
• 10GaAsへの窒素デルタドープ層導入による超格子構造の作製と評価（２）阪大院工¹，超高圧電子顕微鏡センター^{2 ○}角谷健吾¹，森藤正人¹，大島義文²，石川史太郎¹
• 11AlAs中のN等電子中心物材機構 ^○定　昌史，間野高明，黒田　隆，佐久間芳樹，迫田和彰
• 12Ge基板上InGaAsN/GaAs太陽電池セルの作製と評価東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}上杉謙次郎¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹
• 13原子状水素援用MBEによる2次元GaAsナノディスクアレイのGaAs/AlGaAsキャップ層再成長東大先端研¹，東北大流体研²，東北大WPI-AIMR³，JST-CREST^{4 ○}海津利行^1,4，田村洋典^2,4，五十嵐誠^2,4，胡　衛国^2,4，寒川誠二^2,3,4，岡田至崇^1,4
• 14単層InAs/GaAs 量子ドット構造のDLTS評価東大先端研¹，東大院工^{2 ○（M2）}中野廣一^1,2，海津利行¹，星井拓也^1,2，岡田至崇^1,2
• 15GaAs微細構造上に選択成長したInAsナノ構造の特性早大理工¹，早大材料技術研²，NTT物性研^{3 ○（D）}Marlene Zander^1,2，西永慈郎^1,2，後藤秀樹³，堀越佳治^1,2
• 16MBE法を用いた(100) GaAsナノストライプ加工基板上の InAs SKドット成長のストライプ方位、幅依存性の検討早大¹，GCS研究機構^{2 ○（M2）}芹澤洋明¹，松島裕一²，宇高勝之¹

12a-J - 1〜11

• 1ファンデルワールスエピタキシャル法による単層グラフェン上へのInAsナノワイヤ成長北大情報科学研究科 ^○福井孝志，ヨンジュン ホン
• 2MOVPE選択成長法によるシリコン上のGaAs/InGaP コア・マルチシェルナノワイヤ成長北大院情報科学、量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，吉村正利¹，中井栄治¹，遠藤隆人¹，池尻圭太郎¹，石坂文哉¹，福井孝志¹
• 3InGaPナノワイヤのMOVPE選択成長と組成評価北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}石坂文哉¹，池尻圭太朗¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 4波長1.3μｍ帯径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成富士通研¹，東大ナノ量子^{2 ○}河口研一¹，中田義昭¹，江川　満¹，山本剛之¹，荒川泰彦²
• 5Ga pre-deposition 法を用いたシリコン基板上 GaAs ナノワイヤにおける成長モード制御東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}權　晋寛¹，渡邉克之²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 6Si(111)基板上GaAsNナノワイヤのMBE成長阪大院工¹，名大院工^{2 ○}荒木義朗¹，石川史太郎¹，山口雅史²
•  休憩　10:30〜10:45
• 7単一GaAsナノワイヤ中に埋め込まれた積層InGaAs量子ドットの均一性制御東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}舘林　潤¹，太田泰友¹，石田悟己^1,2，西岡政雄²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 8MBE によるInGaP 上GaAs/In(Ga)As 量子ドットの作製産総研 ^○菅谷武芳，大島隆治，松原浩司，仁木　栄
• 9(113)B GaAs基板上に作製した歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドット徳島大¹，日亜化学^{2 ○}加藤　翔¹，安長千徳¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 10キャップ層による歪制御における量子ドットサイズの依存性豊田工大 ^○下村憲一，David Tex，神谷　格
• 11最小スペクトル線幅を有する低温1.3μm帯単一InAs/GaAs量子ドットの成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（M2）}井草亮介¹，渡邉克之²，都木宏之¹，熊谷直人¹，大河内俊介²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
•  昼食　12:00〜13:30

12p-J - 1〜7

• 1ナノホールGaAs歪緩和埋込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光電通大　先進理工 ^○河本憲幸，高橋佑太，山口浩一
• 2GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性電通大 先進理工 ^○エデス サプトラ，佐野琢哉，山口浩一
• 3高密度GaAs量子ドットにおける面内キャリア移動の観測物材機構 ^○定　昌史，間野高明，黒田　隆，佐久間芳樹，迫田和彰
• 4Vertical coupling of GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Droplet EpitaxyNational Institute of Materials Science¹，Univ. of Tsukuba^{2 ○}Martin Elborg^1,2，Yuanzhao Yao^1,2，Takeshi Noda¹，Takaaki Mano¹，Masafumi Jo¹，Yoshiki Sakuma¹，Kazuaki Sakoda^1,2
• 5InフラックスによるInAs/GaAs量子ドットの積層方向の制御神戸大院工¹，阪大超高圧電子顕微鏡セ^{2 ○}別所侑亮¹，原田幸弘¹，喜多　隆¹，田口英次²，保田英洋²
• 6InAs供給量を制御した近接積層InAs/GaAs量子ドットの発光特性神戸大院工 ^○高橋章浩，池内佑一郎，上田竜也，原田幸弘，喜多　隆
• 7SiダイレクトドーピングによるInAs量子ドットのフェルミ準位の変化神戸大院工 ^○長谷川隆一，井上知也，原田幸弘，喜多　隆

12p-PB11 - 1〜23

• 1InPナノワイヤアレイの剥離とフレキシブル素子への応用北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}遠藤隆人¹，中井栄治¹，吉村正利¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 2111A面上へのSAMOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長北大 ^○柳瀬祥吾，小橋義典，池尻圭太郎，原真二郎，本久順一
• 3InPナノワイヤの双方向成長機構北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}池尻圭太郎¹，石坂文哉¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 42段階MOVPE選択成長による極微細・位置制御InGaAsナノワイヤの形成北大院情報科学¹，北大量集センター^{2 ○}小橋義典¹，崎田晋哉^1,2，原真二郎^1,2，本久順一¹
• 5半導体ナノワイヤの結晶構造におけるドーピング効果に関する理論的検討三重大院工 ^○秋山　亨，山下智樹，中村浩次，伊藤智徳
• 6Si基板上無触媒GaAsナノワイヤにおける双晶発生確率名大院工 ^○山口雅史，白　知鉉，天野　浩
• 7Au微粒子を用いたGaAs(111)B基板上InAsナノワイヤのV/III比依存性上智大理工 ^○村上　新，船山裕晃，下村和彦，和保孝夫
• 8In-flush法による1ミクロン帯発光InAs-QDの発光強度改善和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構^{3 ○}日野雄司¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本善正³
• 9STMBEを利用したInAs量子ドット作製後アニール温度効果その場観察阿南高専 ^○東條孝志，塚本史郎
• 10位置制御InAs量子ドットの形状に及ぼす核形成過程の影響東大生産研¹，東大ナノ量子情報エレクトロニクス²，CREST-JST^{3 ○（P）}Kyu Man Cha¹，柴田憲治¹，平川一彦^1,2,3
• 11GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長物材機構¹，豊田工大^{2 ○}川津琢也¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊　裕之^1,2
• 12液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドット形状の液滴サイズ依存性物材機構 ^○間野高明，黒田　隆，定　昌史，野田武司，佐久間芳樹，迫田和彰
• 13ファーストキャップ層厚変化によるInAs/InPダブルキャップ量子ドットの長波長発光上智大理工 ^○岩根優人，三枝知充，吉田圭佑，山内雅之，吉川翔平，下村和彦
• 14自己形成InGaAsN/GaP量子ドットの成長豊橋技科大¹，EIIRIS^{2 ○}浦上法之¹，深見太志¹，関口寛人¹，岡田　浩^2,1，若原昭浩¹
• 15フラーレン添加GaAs薄膜の光学的特性早大高等研¹，JSTさきがけ²，早大理工^{3 ○}西永慈郎^1,2，堀越佳治³
• 16MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長埼玉大理工¹，東大新領域²，東北大金研^{3 ○（D）}金　日国¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，尾鍋研太郎²，片山竜二³，矢口裕之¹
• 17直接貼付InP/SiO2-Si基板上におけるMOVPE結晶成長表面の面粗さ測定上智大理工 ^○松本恵一，牧野辰則，喜村勝矢，下村和彦
• 18InGaAs/AlAs/InAlAs 結合量子井戸の分子線エピタキシ成長と評価産総研 ^○牛頭信一郎，物集照夫，鍬塚治彦，石川　浩
• 19歪み印加GaNAsを用いて作製した超高Ｑ値を有する機械振動子NTT物性基礎科学研究所¹，NTTフォトニクス研究所^{2 ○}小野満恒二¹，満原　学²，山口浩司¹
• 20窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}高宮健吾¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³，片山竜二⁴，矢口裕之¹
• 21GaAs:N中の発光エネルギーが揃った発光中心から単一光子の発生筑波大¹，物質･材料研究機構^{2 ○}張　　遼¹，池沢道男¹，森　達哉¹，梅原晋太郎¹，佐久間芳樹²，迫田和彰²，舛本泰章¹
• 22原子層エピタキシー法を用いたGaAsN成長におけるN原料供給時間の検討宮崎大IRO¹，宮崎大工^{2 ○}鈴木秀俊¹，原口智宏²，山内俊浩¹，貞任　萌²，尾関雅志²，前田幸治²，碇　哲雄²
• 23GaAsN中のN-H欠陥形成に対する各原料の寄与豊田工大 ^○池田和磨，和田　卓，稲垣　充，小島信晃，大下祥雄，山口真史