13. 半導体A（シリコン）

11a-PB1 - 1〜18

• 1TiN-capがW/high-k絶縁膜/In_0.53Ga_0.47Asの熱安定性に及ぼす効果東京都市大工¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研^{3 ○（M1）}笠原　大¹，岡田葉月¹，沼尻侑也¹，角嶋邦之²，岩井　洋³，野平博司¹
• 2Effect of initial Al2O3 ALD treatment on La2O3/InGaAs MIS characteristics産総研GNC ^○Wipakorn Jevasuwan，前田辰郎，安田哲二
• 3ECRプラズマ法によりGe基板上に低温形成したGeO₂およびGeN_x中間層の界面特性の比較諏訪東京理科大¹，山梨大²，弘前大^{3 ○}関　渓太¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，泉　康平³，岡本　浩³，小野俊郎³，福田幸夫¹
• 4低温形成GeN_x/Ge構造のPDA処理による特性改善と熱安定性諏訪東京理科大¹，弘前大²，山梨大^{3 ○}王谷洋平¹，石崎博基¹，岩崎拓郎²，泉　康平²，岡本　浩²，小野俊郎²，佐藤哲也³，福田幸夫¹
• 5ECRプラズマ法形成GeN_x/Ge界面の低温コンダクタンス法による界面準位密度分布評価弘前大¹，諏訪東理大^{2 ○}岩崎拓郎¹，照井悠惟¹，小野俊郎¹，王谷洋平²，福田幸夫²，岡本　浩¹
• 6DLTS 法によるECR プラズマ法GeN_x/Ge の界面近傍トラップに対する熱処理効果の評価弘前大¹，諏訪東理大^{2 ○}成田英史¹，佐藤真哉¹，岩崎拓郎¹，小野俊郎¹，王谷洋平²，福田幸夫²，岡本　浩¹
• 7マイクロ波リモートプラズマを用いた原子層堆積法によるGe基板上へのAl2O3薄膜の直接形成諏訪東京理科大¹，山梨大² 花田毅広¹，梁池昴生¹，関　渓太¹，滝澤　蓮¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，^○福田幸夫¹
• 8High-k/GeO₂界面におけるダイポール層の実験的確認東大工¹，JST-CREST^{2 ○}永田光大¹，岩井貴雅¹，田畑俊行^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 9プラズマ酸化とALD により形成した高移動度HfAlO/GeO_x/Ge p-MISFET産総研GNC ^○上牟田雄一，池田圭司，小田　穣，守山佳彦，手塚　勉
• 10原子層堆積法とマイクロ波リモートプラズマポスト酸化法との組合せによるSi基板上へのHfO₂薄膜の形成諏訪東京理科大¹，山梨大^{2 ○}梁池昂生¹，関　渓太¹，滝澤　蓮¹，花田毅広¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，山本千綾²，山中淳二²，佐藤哲也²，福田幸夫¹
• 11ECRスパッタ法により形成したHfN絶縁膜の信頼性に関する検討東工大 ^○韓　ヒ成，大見俊一郎
• 12La-silicateのメタル電極を通した赤外吸収の熱処理温度依存性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}関　拓也¹，角嶋邦之²，アハメト パールハット¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 13(100)面及び(110)面Si基板上への直接接合La-silicate/Si構造の形成とnMOSFET特性の評価東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}川那子高暢¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 1430 kV STEMによるMOS界面の高コントラスト観察の検討日立ハイテク ^○生頼義久，砂押毅志，伊藤寛征，小柏　剛，揚村寿英，今野　充
• 15絶縁膜中へのH₂O・HBr分子の透過及び拡散障壁三菱電機　波光電 ^○奥　友希，志賀俊彦，戸塚正裕，竹見政義
• 16シリコーンオイル酸化Si薄膜堆積におけるシャワーヘッド構造の影響北陸先端大 ^○辻埜太一，谷口勇太，堀田　將
• 17高温下でのSiO₂膜の劣化評価筑波大数物 ^○（M1）滝ヶ浦佑介，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 18紫外光照射を行ったシリコン窒化膜の電気伝導機構の検討東海大院¹，東海大工^{2 ○（M1）}ナウシャド シャクール¹，鈴木亜嵐²，石川貢吉¹，小林清輝^{1, 2}

12a-F4 - 1〜12

• 1単一高誘電率ナノシートの絶縁特性東大理¹，JST-CREST²，KAST³，物材機構^{4 ○}小川大輔^1,2，福村知昭^1,2,3，長田　実^2,4，佐々木高義^2,4，長谷川哲也^1,2,3
• 2Si・Geへの元素添加によるSi-及びGe/high-k界面修飾の予測物質・材料研究機構 ^○吉武道子，柳生進二郎，知京豊裕
• 3HfO₂/Si構造における界面層作成手法の検討東京農工大工 ^○飯田恭朗，岩崎好孝，上野智雄
• 4Si上およびGe上HfO₂作成におけるSiN界面層導入の検討農工大工 ^○立川晋平，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄
• 5高圧重水熱処理によるAl₂O₃ゲート誘電膜の改質奈良先端科学技術大学院大¹，JST-CREST^{2 ○}吉嗣晃治¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2
• 6ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とその特性高知工大 システム工学¹，高知工大ナノ研^{2 ○（B）}内田貴之¹，川原村敏幸²，古田　守²，眞田　克¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7High-k絶縁膜中の欠陥成長 - 正孔注入によるHfSiO₄中でのV_Oの分散と秩序化 -東芝研開セ ^○中崎　靖，平野　泉，加藤弘一，三谷祐一郎
• 8High-k/SiO₂スタック構造におけるHigh-k層の酸素拡散がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響物材機構¹，芝浦工大^{2 ○}生田目俊秀¹，木村将之²，山田博之²，大井暁彦¹，大石知司²，知京豊裕¹
• 9HfO₂膜の結晶化による電気的特性変化筑波大 ^○門馬久典，宮本雄太，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 10酸化・還元アニールによる多結晶HfO₂の2次元リーク電流分布変化筑波大数理物質科学研究科¹，産総研^{2 ○（M2）}下田恭平¹，蓮沼　隆¹，山部紀久夫¹，右田真司²
• 11EOT が1 nm以下となる場合にW2C電極がLa-silicate/Si界面特性に及ぼす影響東工大フロンティア¹，東工大総理工²，寧波大信息学院^{3 ○}細田修平¹，Tuokedaerhan Kamale¹，譚　瑞琴³，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 12ALDによるLa2O3ゲート絶縁膜のMOSFETの作成東工大フロンティア研究機構¹，東工大総合理工^{2 ○}趙　　洋²，岩井　洋²，服部健雄¹，名取研二¹，西山　彰²，杉井信之²，高岡好則²，Ahmat Parhat¹，角嶋邦之²
•  昼食　12:15〜13:30

12p-F4 - 1〜20

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  直接接合La-silicate/Si界面構造を用いたEOT=0.62nmのnMOSFET東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}川那子高暢¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 2分子動力学法によるＧｅナノワイヤのストレス分布解析早大理工¹，早大ナノ機構^{2 ○}青木直成¹，栗山　亮¹，富田将典¹，図師智文¹，渡邉孝信^1,2
• 3テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成名大 ^○吉田鉄兵，加藤公彦，柴山茂久，坂下満男，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚　理，財満鎭明
• 4Geの低温高圧酸化における酸化レートの異常東京大工¹，JST-CREST^{2 ○（B）}岡村康平¹，李　忠賢^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 5低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いた高品質GeO₂/Ge界面の形成東北大流体研¹，東北大μSIC²，東大院工³，東北大WPI-AIMR^{4 ○}和田章良^1,2，Rui Zhang³，高木信一³，寒川誠二^1,4
• 6良質なGeO₂絶縁膜の作成と評価農工大工 ^○山口まりな，中谷友哉，岩崎好孝，上野智雄
• 7ECR窒化によって作成したGeN_x/Ge界面の評価農工大工 ^○黒柳洋真，中谷友哉，上野智雄，岩崎好孝
• 8ゲート金属の還元性に基づくPr酸化膜/Ge界面反応制御名大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}加藤公彦^1,2，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 9窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfN_x/半導体MIS構造の研究横国大工¹，産総研^{2 ○（M1）}三浦　脩¹，田中正俊¹，前田辰郎²，安田哲二²
• 10金属/Ge接合に及ぼす絶縁膜の挿入効果と実効電荷中性点の見かけ上のシフト東大工¹，JST-CREST^{2 ○}中村俊允¹，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 110.7 nm超薄EOT HfO₂/Al₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs東大院工¹，名大院工^{2 ○（D）}張　　睿¹，林　汝静¹，黄　博勤¹，田岡紀之^1,2，竹中　充¹，高木信一¹
•  休憩　16:15〜16:30
• 12GaSb基板表面の自然酸化膜除去東大工¹，NTTフォトニクス研^{2 ○（PC）}横山正史¹，横山春喜²，竹中　充¹，高木信一¹
• 13TiN/W構造をゲート電極に用いたLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As界面特性の改善東工大フロンティア研¹，東工大院総理工^{2 ○}大嶺　洋¹，鈴木佑哉¹，Zade Darius¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，服部武雄¹，名取研二¹，岩井　洋¹
• 14微小角入射X線回折による熱酸化およびラジカル酸化SiO₂薄膜中の結晶様構造の評価明大理工¹，学振特別研究員²，高輝度光科学研究センター³，東北大未来研^{4 ○（D）}永田晃基^1,2，山口拓也¹，小椋厚志¹，小金澤智之³，廣澤一郎³，諏訪智之⁴，寺本章伸⁴，服部健雄⁴，大見忠弘⁴
• 15XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の評価東京都市大工¹，早大²，宇宙研^{3 ○（M1）}梅田啓介^1,3，岡田啓太郎^2,3，小林大輔³，野平博司¹，廣瀬和之³
• 16量子分子動力学シミュレーションを用いたCF_xラジカルによるシリコン酸化膜SiO₂のエッチングプロセス解析東北大院工¹，東北大流体研^{2 ○（M2）}伊藤　寿¹，桑原卓哉¹，石川岳志¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，島崎智実¹，寒川誠二²，久保百司¹
• 17Poly-Si電極ドーパントPのゲート酸化膜への影響フェニテック　セミコンダクター ^○Masashi Minami，森貞智文，木坂方直
• 18Si酸化薄膜とディール・グローブ則フェニテック セミコンダクター ^○Masashi Minami，森貞智文，木坂方直
• 19Kr/O₂プラズマ酸化法におけるSiO₂膜作成と評価農工大 ^○若林雅祥，岩崎好孝，上野智雄
• 20シリコン源を用いた硝酸酸化(NAOS)法によるSiO₂/Si構造の低温創製阪大 ^○今村健太郎，松本健俊，小林　光