15. 結晶工学

12a-PB4 - 1〜27

• 1LiInO2の低温窒化によるInN結晶の合成と評価山梨大 ^○三浦　章，武井貴弘，熊田伸弘
• 2ピット誘発バッファ層を使った4インチ自立GaN基板の作製東北大学際センター¹，エー・イー・テック^{2 ○}佐藤忠重¹，岡野真也¹，後藤武生¹，八百隆文¹，瀬戸利津²，佐藤　明²，後藤秀樹²
• 3電流制御型液相成長法を用いた大気圧下でのGaN成長名城大理工 神林大介，^○杉浦高志，風間正志，岡崎佑馬，冨田将史，高倉宏幸，成塚重弥，丸山隆浩
• 4AlSiN層を用いた昇華法成長AlNの剥離徳島大工¹，ウシオ電機^{2 ○}林浩太郎¹，中内　潤¹，西野克志¹，月原政志²
• 5アルミナを原料に用いたバルクAlN結晶成長の温度依存性東北大多元研 ^○加藤三香子，大塚　誠，福山博之
• 6溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長名大院工¹，デンソー^{2 ○}松原弘明¹，水野恒平¹，竹内幸久¹，原田俊太¹，木藤泰男²，奥野英一²，宇治原徹¹
• 7InN のMOVPE 成長におけるジメチルヒドラジンの熱分解とアダクト形成の質量分析東大新領域 ^○クァントゥ ティユ，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 8MOVPE法InN成長のためのNH₃分解におけるPt触媒温度(RT〜1000℃)効果福井大¹，CREST-JST^{2 ○}杉田憲一¹，廣長大造¹，三原章宏¹，橋本明弘¹，山本あき勇^1,2
• 9多色発光InGaN/GaN多重量子井戸LEDに向けたGaN選択MOVPEの開発東大院工 ^○神谷達也，百瀬　健，杉山正和，霜垣幸浩
• 10InGaN中間層を用いたSi(111)基板上GaN成長の反り低減名工大 ^○小田龍平，渡邉　新，江川孝志
• 11InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討埼玉大院 ^○（M2）増田　篤，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 12RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響埼玉大院理工 ^○（M1）五十嵐健，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 13RF-MBE法によるグラファイト基板上GaNナノワイヤの成長名大院工 ^○（M2）中川慎太，田畑拓也，本田善央，山口雅史，天野　浩
• 14集積化GaN系発光素子のための超薄膜InNを挿入した弱導波路発光層の検討工学院大¹，東京高専^{2 ○（M1）}多次見大樹¹，林　才人¹，杉浦洋平¹，尾沼猛儀^1,2，本田　徹¹
• 15加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプ結晶の光学利得名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}久志本真希¹，谷川智之¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野　浩^1,2
• 16InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響豊田高専¹，山口大院理工²，名古屋大院工^{3 ○}室谷英彰¹，安藤浩哉¹，塚本武彦¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，田畑拓也³，本田善央³，山口雅史³，天野　浩³
• 17a 面AlN の低温での発光及び励起スペクトル福井大工¹，福井大遠赤セ²，阪大産研³，名大工⁴ 池松竜一¹，^○福井一俊¹，岩井浩紀¹，尾崎恭介¹，成瀬進哉¹，山本晃司²，江村修一³，天野　浩⁴
• 18Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction物質・材料研究機構¹，高輝度光科学研究センター²，カレル大³，立命館大⁴，ソウル大⁵，工学院大^{6 ○}楊　安麗¹，山下良之¹，小畠雅明¹，松下智裕²，吉川英樹¹，PišPis Igor³，山口智広^4,6，坂田修身¹，名西やすし^4,5，小林啓介¹
• 19InGaN厚膜の欠陥準位評価中部大¹，兵庫県立大²，物材機構^{3 ○}中野由崇¹，新部正人²，Mickael Lozac'h³，Liwen Sang³，角谷正友³
• 20ラマン不活性B₁(high)振動モードによるIn_xGa_1-xN混晶の結晶性評価福井大院工¹，京都工繊^{2 ○}兒玉賢治¹，播磨　弘²，金　廷坤²，清水浩司¹，橋本明弘¹
• 21マイクロビームX線回折によるm面InGaN/GaNのミスフィット転位密度分布の観察東北大金研¹，CREST²，JASRI^{3 ○}花田　貴^1,2，正直花奈子¹，島田貴章¹，Jung Hun Choi¹，今井康彦³，木村　滋³，坂田修身³，劉　玉懐¹，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 22第一原理計算によりGaAsNの電子構造に関する対する原子配置の影響に関する研究埼玉大院理工 ^○坂本　圭，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 23GaNと格子整合するSc_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算関東学院大工¹，東北大多元研²，住友化学³，早大理工学術院^{4 ○}島田和宏¹，秩父重英²，秦　雅彦³，高田朋幸³，佐沢洋幸³，宗田孝之⁴
• 24AlN(0001)表面上でのAlおよびN原子の挙動に関する量子論的アプローチ三重大院工 ^○秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳，宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政
• 25ラマン散乱分光法による中間組成域InGaNの結晶性評価における成長方法の影響福井大院工¹，京都工繊^{2 ○}廣長大造¹，兒玉賢治¹，播磨　弘²，橋本明弘¹
• 26ウルツ鉱構造InGaNにおけるオージェ再結合の解析東芝研究開発センター ^○波多腰玄一，布上真也
• 27サブ波長回折格子による直線偏光UV-LEDの理論的解析徳島大ATS¹，徳島大STS^{2 ○}高島祐介¹，原口雅宣^1,2，直井美貴^1,2

12p-H9 - 1〜22

• 1電着法によるGaN膜の作製と物性評価中部大¹，山寿セラミックス^{2 ○}鈴木崇也¹，高橋　誠¹，大木戸貞夫¹，後藤英雄¹，田橋正浩¹，脇田紘一¹，梶谷尚史²，倉知雅人²
• 2サファイア基板上への高品質N極性GaN薄膜成長東大院工¹，東大生研²，JST-CREST^{3 ○}上野耕平¹，岸川英司²，井上　茂²，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3
• 3Si(110)基板上GaN薄膜の極性制御東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}近藤尭之¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 4MOVPE法を用いたGaN両極性同時成長プロセスの開発静大院工¹，静大工²，物質・材料研究機構^{3 ○}藤田陽平¹，高野　泰²，井上　翼²，角谷正友³，福家俊郎²，中野貴之²
• 5Nucleus and Spiral Growth of N-face GaN (000-1) Obtained by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase EpitaxyNTT物性研 ^○林　家弘，赤坂哲也，山本秀樹
• 6(0001)および(000＼overline{1})面GaN上へMOVPE成長したInGaNの結晶品質比較東北大金研¹，CREST^{2 ○}谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 7MOVPE法によるInGaN薄膜成長におけるIn取り込み量の面方位依存性九大院工¹，九大応力研^{2 ○（DC）}屋山　巴¹，寒川義裕^{1, 2}，柿本浩一^{1, 2}
•  休憩　14:15〜14:30
• 8｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化メカニズム山口大院理工¹，トクヤマ^{2 ○}岡田成仁¹，上野元久¹，内田健充¹，古家大士^2,1，山根啓輔¹，只友一行¹
• 9半極性(20-21)，(20-2-1)GaN基板上へのMOVPE法による選択成長三重大¹，三菱化学²，三菱化学科学技術研究センター^{3 ○}神野大樹¹，Bei Ma¹，三宅秀人¹，平松和政¹，江夏悠貴²，長尾　哲³
• 10Thick and Crack-free AlN Films by NH₃ Nitridation of Sapphire Substrate京大工 ^○Ryan Banal，赤司陽介，松田和久，林　佑樹，船戸　充，川上養一
• 11Role of Growth Spirals in AlGaN Quantum Wells京大工 ^○Ryan Banal，赤司陽介，松田和久，林　佑樹，船戸　充，川上養一
• 12AlGaN/AlN多層膜を用いたSi基板上のGaN成長の歪みの評価東理大院基礎工¹，産総研^{2 ○}若林成彰^1,2，坂本達哉^1,2，高梨良文¹，清水三聡²，沈　旭強²，井手利英²
• 13反応性スパッタリング法によるAlN中間層を用いたSi基板上GaN成長名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}山田貴也¹，谷川智之¹，本田善央¹，山口雅史¹，天野　浩^1,2
• 14GaN熱分解の異方性制御とair/AlGaN垂直微小共振器への応用東大生産研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}陶　仁春¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
•  休憩　16:15〜16:30
• 15AlxCyによるAlXGa1-xN中への拡散徳島大院ATS¹，ソウルオプトデバイス²，徳島大院STS^{3 ○}金　度亨¹，李　熙燮²，山住和也¹，直井美貴^1,3，酒井士郎^1,3
• 16AlCによるAlGaNへのp型ドーピングソウルオプトデバイス¹，徳島大^{2 ○}李ヒソブ¹，金　度亨²，山住和也²，酒井士郎²
• 17ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討名城大理工¹，名大赤崎記念研究センター^{2 ○}安田俊輝¹，矢木康太¹，鈴木智行¹，中嶋　翼¹，渡邉雅大¹，竹内哲也¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇²
• 18低速陽電子ビームを用いたIn_xGa_1-xN混晶の空孔型欠陥の検出筑波大数理¹，産総研ナノシステム²，北京大物理³，物材機構^{4 ○}渡邊智仁¹，上殿明良¹，石橋章司²，X. Q. Wang³，S. T. Liu³，G. Chen³，L. W. Sang⁴，角谷正友⁴，B. Shen³
• 19InAlNのMOVPE成長における留意点: Gaの混入NTT PH研¹，NTT物性研^{2 ○}廣木正伸^1,2，小田康裕¹，渡邉則之¹，前田就彦¹，横山春喜¹，熊倉一英²，山本秀樹²
• 20半極性面GaN中のすべり面による転位の発生山口大院理工 ^○石川　明，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
• 21GaInN/GaNヘテロ接合におけるミスフィット転位の観察名城大・理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○}松原大幸¹，飯田大輔¹，杉山　徹¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，梅田慎也¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2
• 22放射状ストライプPSS上に成長させたGaN層の表面粗さと転位密度の評価名大院工¹，豊田合成^{2 ○（D）}奥野浩司^1,2，小塩高英²，柴田直樹²，天野　浩¹

12p-H10 - 1〜23

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  Mg共添加GaN:Euによる赤色域での高効率発光豊技大¹，浜松ホトニクス^{2 ○}関口寛人¹，大谷龍輝¹，高木康文²，岡田　浩¹，若原昭浩¹
• 2NH₃-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御豊橋技科大¹，浜ホト^{2 ○}大谷龍輝¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田　浩¹，若原昭浩¹
• 3GaNナノコラム上高In組成InGaN活性層の発光特性に対する構造効果上智理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}兼松右侑¹，岸野克己^1,2，柏木直人¹
• 4N極性GaN基板上InGaN/GaNナノ結晶の成長メカニズム上智理工¹，上智ナノテク^{2 ○}竹内愛規¹，岸野克巳^1,2
• 5InGaN系ナノコラム側面へのALD-Al₂O₃成膜効果上智大理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}板橋尚生¹，Vadivelu Ramesh¹，岸野克巳^1,2
• 6InGaN系橙色発光ナノコラム光学特性上智大理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}井川雄介¹，ラメシュ バディヴェル¹，岸野克己^1,2
• 7中性子検出半導体に向けたBGaN の結晶成長と評価静岡大電子工学研¹，静岡大^{2 ○}渥美勝浩¹，金子　寿²，西岡孝浩¹，井上　翼²，三村秀典¹，青木　徹¹，中野貴之²
•  休憩　14:15〜14:30
• 8緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定京大院工¹，住友電工^{2 ○}金田昭男¹，金　潤碩¹，船戸　充¹，川上養一¹，塩谷陽平²，京野孝史²，上野昌紀²，中村孝夫²
• 9半極性 (11-22)InGaN/GaN 量子井戸における励起子ダイナミクス京大 ^○尾崎拓也，西中淳一，船戸　充，川上養一
• 10半極性(-1-12-2)GaN基板上に成長したInGaN低次元構造の光学特性京大院工 ^○（D）西中淳一，船戸　充，川上養一
• 11InGaN量子井戸構造における非輻射再結合レートのIn組成比依存性山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}山内雅貴¹，光井一弥¹，平生英之¹，倉井　聡¹，工藤広光²，岡川広明²，山田陽一¹
• 12Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode京大¹，日亜化学工業^{2 ○}YOON SEOK KIM¹，AKIO KANETA¹，MITSURU FUNATO¹，YOICHI KAWAKAMI¹，TAKASHI MIYOSHI²，SHIN-ICHI NAGAHAMA²
• 13逆バイアス印加によるGaInN/GaN導波路の吸収増強メカニズムソニー先端マテ研 ^○宮嶋孝夫，河野俊介，渡邊秀輝，幸田倫太郎，倉本　大，池田昌夫
• 14ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定東北大多元研 ^○羽豆耕治，加賀谷宗仁，秩父重英
• 15Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells京大工 ^○Ryan Banal，船戸　充，川上養一
•  休憩　16:30〜16:45
• 16六角形状GaNマイクロディスクにおける擬ウィスパリングギャラリーモードによる光励起レーザ発振の検証静岡大電子工¹，山梨大院医工²，上智大理工^{3 ○}光野徹也¹，酒井　優²，岸野克巳³，原　和彦¹
• 17位置制御GaNナノワイヤ量子ドットにおけるRabi振動の観測東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}Mark HOLMES¹，加古　敏¹，Kihyun Choi¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2
• 18高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性京大院工 ^○大音隆男，Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 19高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるPLスペクトルの励起強度依存性京大院工 ^○岩田佳也，ライアン バナル，船戸　充，川上養一
• 20AlGaN混晶薄膜における励起子分子間の非弾性散乱山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}古谷佑二郎¹，中尾文哉¹，倉井　聡¹，三宅秀人²，平松和政²，山田陽一¹
• 21表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価東北大 ^○古澤健太郎，石川陽一，田代公則，羽豆耕治，秩父重英
• 22m面GaN基板上にNH₃-MBE成長したAl_0.25Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価 -GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-東北大多元研¹，三菱化学^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，古澤健太郎¹，長尾　哲²，藤戸健史²
• 23六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価東北大多元研¹，静岡大電子研^{2 ○}石川陽一¹，田代公則¹，羽豆耕治¹，古澤健太郎¹，小南裕子²，原　和彦²，秩父重英¹

13a-H9 - 1〜11

• 1電界効果MOCVDによるInNの結晶成長(III)東海大総合理工 ^○太田優一，犬島　喬
• 2プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜へのSi基板窒化が及ぼす長波長域PL発光・電気的特性への影響大阪工大 ^○淀　徳男，原田義之
• 3YSZ基板上への酸窒化インジウム混晶薄膜の作製東大生研¹，東大工²，東大院工³，JST-CREST^{4 ○}小林　篤¹，伊藤剛輝²，太田実雄¹，尾嶋正治³，藤岡　洋^1,4
• 4YSZ(111)基板上に作製したInN薄膜の特性東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}大久保佳奈¹，大関正彬¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
• 5高速エピタキシャル成長させたInN薄膜の特性評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}大関正彬¹，大久保佳奈¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治²，藤岡　洋^1,3
•  休憩　10:15〜10:30
• 6RF-MBE法薄膜InN成長における結晶性と電気的特性の膜厚依存性立命館大¹，マサチューセッツ工科大²，ソウル国立大^{3 ○}阪口順一¹，荒木　努¹，藤嶌辰也²，Matioli Elison²，Palacios Tomás²，名西やすし^1,3
• 7２段階原料生成機構を有する新規HVPE法によるInNの高速成長の検討東京農工大 ^○今井亮太，山本　翔，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 8InNのキャリア再結合過程における局所的電子-格子ダイナミクスの影響千葉大院工¹，千葉大SMART²，北京大^{3 ○}今井大地¹，石谷善博¹，王　新強³，草部一秀²，吉川明彦²
• 9Step-free界面を有するInN/GaN単一量子井戸からの紫色狭線発光NTT物性基礎研 ^○赤坂哲也，後藤秀樹，小林康之，山本秀樹
• 10硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価物材機構¹，SPring-8物材機構²，立命館大³，工学院大⁴，ソウル大^{5 ○}井村将隆¹，津田俊輔¹，長田貴弘¹，小出康夫¹，Yang Anli²，山下良之²，吉川英樹²，小林啓介²，名西やすし^3,5，山口智広^3,4，金子昌充³，上松　尚³，荒木　努³
• 11Mott転移近傍の電子濃度をもつInNの電子状態東海大工 ^○犬島　喬
•  昼食　12:00〜13:00

13p-H9 - 1〜18

• 1GaN結晶フラックス成長における熱対流攪拌効果阪大院工 ^○原田陽司，伊賀仁志，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 2GaN結晶の大口径化に向けたNaフラックス法結合成長阪大院工 ^○今西正幸，染野辰也，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，森　勇介
• 3第一原理計算によるC添加Na-Ga融液の構造解析三重大院工¹，阪大院工^{2 ○}河村貴宏^1,2，山田祐嗣²，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出　完²，吉村政志²，森川良忠²
• 4Naフラックス製GaN自立基板上へのGa2Oを用いたGaN気相成長阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス^{2 ○}滝野淳一¹，隅　智亮¹，卜　　渊¹，北本　啓¹，今出　完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森　勇介¹
• 5r面サファイア加工基板を用いた大面積自立{11-22}GaNの作製山口大院理工 ^○古家大士，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
•  休憩　14:15〜14:30
• 6ハイドライド気相成長法によるGaNの選択横方向成長山口大院理工 ^○（M1）上野元久，石川　明，古家大士，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
• 7X線マイクロ回折によるFACELO成長GaN膜の結晶性評価阪大院基礎工¹，PRESTO-JST²，三重大院工³，JASRI/SPring-8⁴ 中村邦彦¹，原田進司¹，Khan Dinh¹，吉川　純¹，^○竹内正太郎¹，中村芳明^1,2，三宅秀人³，平松和政³，今井康彦⁴，木村　滋⁴，坂田修身⁴，酒井　朗¹
• 8Study of local strain in a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/α-Al₂O₃ template by X-ray microdiffractionOsaka Univ.¹，PRESTO, JST²，Mie Univ.³，JASRI/SPring-8^{4 ○}Khan Dinh¹，Shotaro Takeuchi¹，Jun Kikkawa¹，Yoshiaki Nakamura^{1, 2}，Akira Sakai¹，Hideto Miyake³，Kazumasa Hiramatsu³，Yasuhiko Imai⁴，Shigeru Kimura⁴
• 9カソードルミネッセンスによるGaN厚膜の成長評価物質・材料研究機構¹，筑波大数理² 李　　雄^1,2，渡辺健太郎^1,2，熊谷和博¹，^○関口隆史^1,2
• 10Pt触媒を用いたGaN基板平坦化加工とステップテラス構造の評価阪大¹，荏原製作所^{2 ○}定國　峻¹，村田順二¹，佐野泰久¹，八木圭太²，松山智至¹，浅野博弥¹，山内和人¹
• 11SiC上ヘテロステップフローによる6H,4H-GaNの成長と評価九大¹，京大²，福井大^{3 ○}高木勝也¹，石山裕策¹，西中淳一²，船戸　充²，川上養一²，橋本明弘³，田中　悟¹
• 126H-SiC(0001)基板上AlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長可能な平均GaNモル分率の拡大京大院工 ^○金子光顕，菊地諒介，奥村宏典，木本恒暢，須田　淳
•  休憩　16:15〜16:30
• 13薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi(110)基板上のGaNの歪制御産総研 ^○沈　旭強，高橋言緒，植竹哲平，坂村祐一，井手利英，清水三聡
• 14RF-MBE法によるGaNの選択成長北大院情報科学 ^○小野寺彩，山本礼奈，本久順一
• 15アンモニアベースMOMBEによるa面GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに与える原料供給方向の影響名城大理工 ^○内山翔太，林　家弘，鈴木陽平，丸山隆浩，成塚重弥
• 16過剰Ga条件下におけるGaNのMBE成長シミュレーションの開発三重大院工¹，九大応力研^{2 ○}三木貴文¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一²
• 17RF-MBE法によるTiO₂(001)基板上への立方晶GaNの成長埼大理工 ^○折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 18AlGaN/GaGdN 多重量子井戸構造形成による GaGdN 自然超格子の制御阪大産研 ^○東晃太朗，佐野壮太，森　貴仁，長谷川繁彦，朝日　一

13a-H10 - 1〜11

• 1窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定京大院・工 ^○（DC）石井良太，金田昭男，船戸　充，川上養一
• 2マクロなステップ構造を有するAlN上へのAlGaN/AlN量子構造の作製京大院・工 ^○林　佑樹，Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 3AlGaN/AlNにおける下地AlN転位密度依存性名城大理工¹，名大²，名古屋大学赤崎記念研究センター^{3 ○}井手公康¹，松原由布子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 4UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長東京電機大工 ^○二階堂真也，羽鳥貴善，飯島成規，比留間翔太，笹原駿介，増田貴則，篠田宏之，六倉信喜
• 5極薄Al中間層を用いたAl極性AlN膜成長東北大多元研 ^○（DC）熊田智行，大塚　誠，福山博之
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Ga-Al液相成長法を用いたAlN成長における酸素分圧の影響東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}高杉茉里¹，安達正芳¹，杉山正史²，田中明和²，福山博之¹
• 7Ga-Alフラックス法を用いた窒化a面サファイア基板上への高品質AlN成長東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○（P）}安達正芳¹，杉山正史²，田中明和²，福山博之¹
• 8水素・窒素混合雰囲気下の高温熱処理によるサファイア表面上AlNウィスカーの形成メカニズム東京農工大 ^○花形祥子，国崎　敦，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 9バルクPVT基板上HVPE成長によるAlN自立基板の作製東京農工大院工¹，トクヤマ²，Hexa Tech Inc.³，NCSU^{4 ○}坂巻龍之介¹，久保田有紀²，永島　徹^1,2，木下　亨²，Rafael Dalmau³，Raoul Schlesser³，Baxter Moody³，Jinqiao Xie³，村上　尚¹，熊谷義直¹，纐纈明伯¹，Zlatko Sitar^3,4
• 10HVPE成長フリースタンディングAlN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価弘前大院理工¹，ジェー・エー・ウーラム・ジャパン²，東京農工大院工³，トクヤマ⁴，Hexa Tech, Inc.⁵，North Carolina State Univ.^{6 ○}岡本　浩¹，佐藤崇信²，堤　浩一²，鈴木道夫²，熊谷義直³，久保田有紀⁴，永島　徹^3,4，木下　亨⁴，Rafael Dalmau⁵，Raoul Schlesser⁵，Baxter Moody⁵，Jinqiao Xie⁵，村上　尚³，纐纈明伯³，Zlatko Sitar^5,6
• 11PVT基板上に成長したCドープHVPE法AlN厚膜の光学特性と構造特性トクヤマ¹，東京農工大院工²，HexaTech Inc.³，North Carolina State Univ.^{4 ○}永島　徹^1,2，久保田有紀¹，木下　亨¹，Raoul Schlesser³，Baxter Moody³，Jinqiao Xie³，村上　尚²，熊谷義直²，纐纈明伯²，Zlatko Sitar^3,4

14a-H10 - 1〜11

• 1NH₃/H₂雰囲気中熱分解によるGaN垂直ナノ加工技術の開発東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，陶　仁春²，荒川泰彦^1,2
• 2GaNの選択的熱分解によって作製したAlGaN二次元フォトニック結晶ナノ共振器東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，加古　敏²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 3薄膜転写による高Q値(>6300)AlNナノビーム共振器の作製東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，田辺克明¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 4位置制御単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの光子相関測定東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}ギヒョン チェ¹，加古　敏¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
• 5フォトニック結晶を用いたAlGaN系深紫外LEDの高効率化理研¹，JST-CREST²，丸文³，東芝機械⁴，産総研^{5 ○（PC）}藤川紗千恵^1,2，平山秀樹^1,2，鹿嶋行雄³，西原浩巳⁴，田代貴晴⁴，大川貴史⁴，尹　成圓⁵，高木秀樹⁵
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ITOとSiO₂/AlN誘電体多層膜を組み合わせた電極による350nm紫外LEDの高効率化名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念館^{3 ○}中嶋　翼¹，竹田健一郎¹，新里紘史¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 7高出力・大面積マイクロプラズマ励起AlGaN深紫外発光素子の開発立命館大 ^○黒瀬範子，青柳克信
• 8窒化ガリウム表面における汚染粒子除去洗浄の検討住友電工¹，東北大^{2 ○}辻　幸洋^1,2，中村健一^1,2，眞壁勇夫¹，中田　健¹，勝山　造¹，寺本章伸²，白井泰雪²，須川成利²，大見忠弘²
• 9窒化物半導体を用いた高感度なHFET型光センサー名城大・理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○}石黒真未¹，池田和弥¹，水野正隆¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2
• 10極薄AlN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上物質材料研究機構　 ^○（P）Liwen SANG，廖　梅勇，池田直樹，小出康夫，角谷正友
• 11窒化物半導体太陽電池の集光特性における電極構造の最適化名城大理工¹，名古屋大院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}森美貴子¹，山本翔太¹，近藤真一郎¹，中尾達郎¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
•  昼食　12:00〜13:00

14p-H10 - 1〜8

• 1量子分子動力学法によるCl₂プラズマガスを用いたGaNのエッチングシミュレーション東北大院工 ^○（M1）柳谷一行，伊藤　寿，桑原卓哉，石川岳志，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 2InGaN系ナノコラム側面へのALD-Al2O3成膜効果上智大電気電子工 ^○尾崎泰一朗，板橋尚生，池田恭一，山野晃司，岸野克己
• 3EL characteristics of red emitting nanocolumns grown by rf-MBE上智大理工¹，上智ナノテク研究センター^{2 ○}Ramesh Vadivelu^1,2，岸野克巳^1,2，井川雄介^1,2
• 4Mgドープ中間層を用いた二波長発光ダイオードにおける電流注入依存性量の検討名城大理工¹，名大・赤崎記念研究センター^{2 ○}松井健城¹，山下浩司¹，加賀　充¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇^1,2
• 5緩和した半極性面 {11-22} InGaN上へのLEDの作製山口大院理工 ^○内田健充，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
• 6III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED名城大・理工¹，名大・赤崎記念館^{2 ○}森田隆敏¹，加賀　充¹，桑野侑香¹，松井健城¹，竹内哲也¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇^1,2
• 7100チャンネル10μm径マイクロLEDアレイの作製名城大理工¹，名古屋大学赤崎記念研究センター^{2 ○}渡邉雅大¹，山下浩司¹，加賀　充¹，鈴木智行¹，森田隆敏¹，竹内哲也¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇^1,2
• 8GaN系デバイスの機械的転写のための剥離層としての層状窒化ホウ素NTT物性基礎研 ^○小林康之，熊倉一英，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹