15. 結晶工学

13a-J - 1〜11

• 1放電プラズマ焼結装置におけるバルク単結晶の成型現象京都大院工¹，村田製作所²，京大院エネルギー科学^{3 ○}酒井　道¹，八戸　啓²，森下浩平³，藤井高志²，中嶋一雄³，三浦清貴¹，平尾一之¹
• 2Minority carrier lifetime of heavily Ge codoped p-type CZ-SiRIE Shizuoka Univ¹，IMR, Tohoku Univ.²，Tokyo Inst. Tech.^{3 ○}Arivanandhan Mukannan¹，Gotoh Raira²，Fujiwara Kozo²，Uda Satoshi²，Hayakawa Yasuhiro¹，Konagai Makoto³
• 3EXAFS 法によるSi 結晶中のBi δ ドーピング層形成過程の研究2:埋め込みBi 原子細線構造中の Bi-Si 隣接局所構造物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³，東大院新領域^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，矢代　航⁴，日塔光一¹，坂田修身¹，三木一司^1,2
• 4n-GeへのSbデルタドーピングにおけるSi添加の効果都市大総研¹，九大院シス情^{2 ○}竹内嘉寛¹，澤野憲太郎¹，星　祐介¹，浜屋宏平²，宮尾正信²，丸泉琢也¹，白木靖寛¹
• 5Si基板上に直接成長させたGeのDLTS測定(II)NIMS¹，MIT²，東大工^{3 ○}河野健一郎¹，Hsin-Chiao Luan²，和田一実³，Lionel C. Kimerling²
•  休憩　10:15〜10:30
• 6SiO₂およびSiN_xマスクを用いた超高真空化学気相成長法でのGe選択成長東大院工 ^○水野泰孝，石川靖彦，和田一実
• 7CMPによるGe表面の平坦化と歪みGOI (111) 基板の作製都市大総研¹，九大院シス情^{2 ○}遠藤冴己¹，星　裕介¹，久保智史¹，澤野憲太郎¹，浜屋宏平²，宮尾正信²，白木靖寛¹
• 8選択的イオン注入法により歪み制御したSiGe疑似基板上への一軸歪みSiGeチャネル形成東京都市大¹，東北大²，山梨大^{3 ○}荘司雄太郎¹，永倉　壮¹，星　裕介²，澤野憲太郎¹，宇佐美徳隆²，中川清和³，白木靖寛¹
• 9微細構造Si_1-xGe_xに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性明大理工¹，産総研GNC²，学振特別研究員DC^{3 ○}小瀬村大亮¹，富田基裕^1,3，臼田宏治²，手塚　勉²，小椋厚志¹
• 10高NA、油浸ラマン分光によるメサ分離ひずみSGOI層の異方性ひずみ評価産総研 GNC¹，明大理工^{2 ○}臼田宏治¹，小瀬村太亮²，富田基裕²，小椋厚志²，手塚　勉¹
• 11伸張歪みSi/SiGe/Si(110)薄膜構造の形成とpMOSFETの特性評価山梨大クリスタル研¹，東北大金研²，東京都市大総研^{3 ○}三井翔平¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，澤野憲太郎³，白木靖寛³
•  昼食　12:00〜13:30

13p-J - 1〜13

• 1溶融エピタキシャル成長で形成したGOI結晶性の膜厚依存性九大・院システム情報 松村　亮，^○知北大典，東條友樹，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
• 2SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御 -Si濃度分布に与える冷却速度効果-九大･院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}松村　亮¹，東條友樹¹，横山裕之¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 3大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長九大・院システム情報¹，学振^{2 ○}加藤立奨¹，黒澤昌志^1,2，松村　亮¹，東條友樹¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 4横方向液相成長により作製したGOI構造のキャリア移動度評価阪大院工 ^○鈴木雄一朗，西川弘晃，荻原伸平，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 5Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御筑波大院・数理物質¹，九大院・システム情報²，物材研³，産総研⁴，東北大・金研⁵，JST-CREST^{6 ○}都甲　薫¹，黒澤昌志²，深田直樹³，齋藤徳之⁴，吉澤徳子⁴，宇佐美徳隆^5,6，宮尾正信²，末益　崇^1,6
• 6a-Ge, a-SiGeへの高輝度軟X線照射における光子エネルギーの効果兵庫県立大院工¹，兵庫県立大高度研²，九大院シス情報^{3 ○（M1）}丸山裕樹¹，木野翔太¹，部家　彰¹，松尾直人¹，天野　壮²，宮本修治²，神田一浩²，望月孝晏²，都甲　薫³，佐道泰造³，宮尾正信³
• 7Ge単結晶中の格子欠陥への熱処理雰囲気および他元素導入の影響名大院工 ^○福留誉司，竹内和歌奈，田岡紀之，坂下満男，中塚　理，財満鎭明
•  休憩　15:15〜15:30
• 8原子層制御分子線エピタキシーによる金属上への単結晶Ge薄膜の成長九大・院システム情報 ^○山田晋也，谷川昂平，宮尾正信，浜屋宏平
• 9固相成長法によるGeSnの形成九大・院システム情報 ^○木下侑紀，東條友樹，佐道泰造，宮尾正信
• 10Ge_1-x-ySi_xSn_y混晶薄膜のエピタキシャル成長および物性評価名古屋大院工 ^○山羽　隆，中塚　理，竹内和歌奈，田岡紀之，財満鎭明
• 11Ge(110)基板上Ge_1−xSn_xエピタキシャル層の転位および歪構造名大院工 ^○浅野孝典，田岡紀之，中塚　理，財満鎭明
• 12Ge(001)微細パターニング基板上への局所Ge_1−xSn_xヘテロエピタキシャル成長名大院工¹，産総研GNC^{2 ○}池　進一¹，志村洋介¹，守山佳彦²，手塚　勉²，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 13高Sn組成Ge_1-xSn_x層へのin situ Sbドーピング名大院工 ^○保崎航也，中村茉里香，志村洋介，竹内和歌奈，田岡紀之，中塚　理，財満鎭明