合同セッション

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9月12日　会場：PB8
ポスターセッション
ポスター掲示時間13:30〜15:30

12p-PB8 - 1〜23

  • 1溶液成長法によるZnOナノ構造の低温成長と形状制御愛媛大院理工1，愛媛大工2，香川高専3 ○（M1）村上聡宏1，北峯誠之2，篠原悠彰2，寺迫智昭1，矢木正和3，白方　祥1
  • 2ゾル・ゲルディップ法による ZnO/MgZnO 積層構造の作成石巻専修大理工 櫻井貴雄，黄川田晃大，○安田　隆
  • 3電着法を用いたm面ZnO基板上への酸化亜鉛成長和歌山大システム工 ○妻神光輝，田中一郎，宇野和行
  • 4ウェットプロセスを用いてスパッタ膜上に成膜した2層構造TiO2薄膜の評価龍谷大院理工1，兵庫工技セ2 ○金森　翼1，吉岡秀樹2，山本伸一1
  • 5TiO2シード層を用いたSnO2薄膜の導電性評価龍谷大院理工1，兵庫工技セ2 ○景山　豪1，吉岡秀樹2，山本伸一1
  • 6分子軌道計算を用いたSnO2系透明導電膜の成長メカニズムの解明宮崎大工 ○小嶋　稔，吉野賢二
  • 7基板からの格子歪によるNb:SnO2薄膜のキャリア生成の増強神奈川科学技術アカデミー1，CREST2，中部大3，東大理4 ○中尾祥一郎1,2，山田直臣3，廣瀬　靖1,2,4，長谷川哲也1,2,4
  • 8NbドープTiO2/GaドープZnO積層膜の電気抵抗率の不安定性島大総理工 ○一柳成治，舩木修平，山田容士
  • 9Al不連続薄膜上に成膜したZnO薄膜の特性評価龍谷大院理工1，兵庫工技セ2 ○平野貴大1，吉岡秀樹2，山本伸一1
  • 10r面サファイア基板上へのZnO薄膜の大気圧CVD成長と熱処理効果愛媛大院理工1，愛媛大工2，香川高専3 ○小倉佳典1，寺迫智昭1，藤本翔平1，宮田　晃2，矢木正和3，白方　祥1
  • 11大気圧CVD法SnO2ナノワイヤーの形状及びフォトルミネッセンス特性の成長時間依存性愛媛大院理工1，愛媛大工2 ○倉重利規1，丸井秀之2，寺迫智昭1，白方　祥1
  • 12大気圧CVD法により成長した無添加CdO薄膜の成長形態及び電気的特性愛媛大院理工1，愛媛大工2 ○大前　謙1，寺迫智昭1，正木　誠2，宮田　晃2，白方　祥1
  • 13大気圧CVD法で作製した無添加及びGa添加ZnO薄膜における キャリア輸送特性 -イオンプレーティング法薄膜との比較-愛媛大院理工1，愛媛大工2，高知工科大3 ○藤本翔平1，嶋田忠史2，寺迫智昭1，宮田　晃2，宋　華平3，牧野久雄3，山本哲也3，白方　祥1
  • 14MBE成長したN doped ZnO薄膜の精密評価 〜 高抵抗ZnO:Nの挙動 〜鳥取大院工 ○政本卓也，前島隆之，野田佳佑，加藤晃司，夏目　龍，松尾拓朗，廣江伸哉，秋山章雅，行衛孝明，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止
  • 15ナノプローブ・カソードルミネッセンス装置の開発と圧電性ナノ材料の応力印加その場評価への応用物材機構1，筑波大2，ハンガリー科学アカデミー3 ○（P）渡辺健太郎1,2，János Volk3，呉　承俊1，長田貴弘1，若山　裕1，関口隆史1,2
  • 16a-IGZO薄膜における物理特性の成膜ガス圧力依存性コベルコ科研1，神戸大院工2，神戸製鋼所3 ○安野　聡1,2，喜多　隆2，高橋　真1，日野　綾3，森田晋也3，林　和志3，釘宮敏洋3
  • 17酸化物半導体の電気的、光学的特性評価(II)-IGZO薄膜表面および界面近傍の電子状態-神戸製鋼所 電子技術研究所 ○岸　智弥，日野　綾，森田晋也，小坂修司，林　和志，釘宮敏洋
  • 18ｱﾓﾙﾌｧｽ酸化物半導体a-IGZO TFTの定電流ｽﾄﾚｽ試験東工大応セラ研1，東工大フロンティア研2 ○堂免　恵1，安部勝美1，神谷利夫1，細野秀雄1,2
  • 19ZnOへのショットキー接触の作製と評価名工大機能工学 神取祐治，○安部功二
  • 20RS-MBE法によるZnO薄膜の成膜とPt/ZnOショットキーフォトダイオードの作製岩手県工技センタ1，イーエムシー半導体2，東北大工3，岩手大4 ○遠藤治之1，大橋律男2，Mohamed Belmoubarik3，阿部貴志1，高橋　強1，野崎友大3，佐橋政司3，柏葉安兵衛4
  • 21ZnOランダムレーザー発振特性の温度依存性群馬大院工 ○中村俊博，Kurniawan Firdaus，安達定雄
  • 22高濃度Ga添加ZnO薄膜のＣＯガス検出特性高知高専1，高知工科大総研2 ○岸本誠一1，隈元千恵子1，牧野久雄2，宋　華平2，山本哲也2
  • 23ZnO/ZnMgO量子井戸のシュタルク効果による光変調動作の検証鳥取大工 ○安田圭佑，山口拓也，佐藤耕輔，本山達也，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9月13日　9:00〜18:15　　会場：H7

13a-H7 - 1〜11

  • 1結晶性IGZOとアモルファスIGZOにおける酸素欠損の生成半導体エネルギー研究所 ○高橋正弘，中島　基，廣橋拓也，津吹将志，山崎舜平
  • 2IGZO TFTにおける組成比と光負バイアス劣化半導体エネルギー研究所 ○中島　基，石山貴久，廣橋拓也，津吹将志，早川昌彦，高橋正弘，山崎舜平
  • 3二次元光電子分光によるIGZO/SiO2界面の解析奈良先端大 ○上岡義弘，前島尚行，松井文彦，山崎はるか，浦川　哲，堀田昌宏，石河泰明，大門　寛，浦岡行治
  • 4IGZO薄膜を用いたMOSダイオードによるトラップ準位の研究神戸製鋼所電子技術研1，コベルコ科研エレクトロニクス事業部2 ○日野　綾1，小坂修司1，安野　聡2，岸　智弥1，森田晋也1，林　和志1，釘宮敏洋1
  • 5ゲート絶縁膜中元素がアモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの信頼性に与える影響奈良先端大1，日新電機2 ○山崎はるか1，上岡義弘1，石河泰明1，藤原将喜2，高橋英治2，安東靖典2，浦岡行治1
  • 6アモルファス酸化物半導体超格子をチャネルとする薄膜トランジスタ東工大応セラ研1，東工大フロンティア研2 ○安部勝美1，野村研二2，神谷利夫1，細野秀雄1,2
  •  休憩　10:30〜10:45
  • 7カソードルミネッセンス法によるAl2xGa2-2xO3薄膜の発光特性評価東工大院理工1，JST-ALCA2 ○向井　章1，大島孝仁1，大友　明1,2
  • 8酸化ガリウムのCLスペクトルの温度依存性東京高専1，工学院大2，情通機構3，JST さきがけ4，タムラ製作所5，光波6 ○尾沼猛儀1,2，藤岡秀平2，山口智広2，東脇正高3,4，佐々木公平3,5，増井建和6，本田　徹2
  • 9遷移金属をドープしたβ-Ga2O3の光学特性千歳科学技術大 ○中澤　央，安川　大，若井宏文，小田久哉，山中明生
  • 10alpha-Fe2O3バッファ層を用いたalpha-(InFe)2O3薄膜の作製京大院工 ○赤岩和明，鈴木規央，金子健太郎，藤田静雄
  • 11Snドープα-(GaFe)2O3薄膜の磁気特性評価京大院工 ○（DC）金子健太郎，赤岩和明，藤田静雄
  •  昼食　12:00〜13:30

13p-H7 - 1〜18

  • 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
    MgxZn1-xO/ZnO系高移動度二次元電子に関する研究の進展    東大院新領域1，理研ASI-CERG&CMRG2，東大院工3 ○ジョセフ フォルソン1，デニス マリエンコ2，小塚裕介3，塚崎　敦3，川崎雅司2,3
  • 2酸化モリブデン薄膜の分子線エピタキシャル成長大阪工大ナノ材研センタ ○（M2）藤本龍吾，和田涼太，小池一歩，佐々誠彦，矢野満明
  • 3Indium系酸化物薄膜の金属絶縁体転移九大院理1，情通機構2，出光先進研3 ○日高和也1，江崎翔平1，牧瀬圭正2，山田和正1，浅野貴行1，篠崎文重1，笘井重和3，矢野公規3，中村浩昭3
  • 4ZnO単結晶の電子線入射角度依存カソードルミネセンス測定東京高専1，工学院大2 ○尾沼猛儀1,2，山口智広2，本田　徹2
  • 5酸化ガリウム／酸化すず-コア／シェルベルトの湿度センシング特性物質・材料研究機構MANA ○櫻井　亮，劉　可為，青野正和
  • 6光音響イメージングデバイスに向けたZnO薄膜の成長と評価東北大院工 ○（M2）松尾拓哉，鷲尾勝由
  • 7スパッタ成長したZnO単結晶層のアニーリング効果東京電機大工 ○重野宏豊，田沼秀隆，濱田夕慎，高橋昌幸，篠田宏之，六倉信喜
  • 8スパッタ法によりa面Al2O3基板上に成長したZnO単結晶層のアニーリング効果東京電機大 ○浜田夕慎，高橋昌幸，重野宏豊，田沼秀隆，篠田宏之，六倉信喜
  • 9スパッタエピキシー法によるZnMgO単結晶層の成長東京電機大 ○高橋昌幸，浜田夕慎，重野宏豊，田沼秀隆，篠田宏之，六倉信貴
  •  休憩　15:45〜16:00
  • 10ハライド気相成長法によるm面ZnOバルク基板上へのホモエピタキシャルZnOの成長東京農工大院工 ○伊佐雄太，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 11新対向ターゲット式スパッタ法による単結晶ZnO薄膜のエピタキシャル成長大阪工大ナノ材研センタ1，FTSコーポレーション2 ○（M2）田辺慎太朗1，向井和哉1，小池一歩1，前元利彦1，佐々誠彦1，矢野満明1，門倉貞夫2，中光　豊2
  • 12ミストCVD 法を用いたM 面酸化亜鉛薄膜の形成熊本大1，熊本県産業技術センター2，くまもと有機薄膜技術高度化支援センター3 ○（M2）中村昭平1，白石　大1，山本真也1，中　良弘1,3，永岡昭二2,3，中村有水1,3
  • 13ZnO基板およびMgZnO薄膜のバンドギャップの評価岩手大1，岩手県工業技術センター2，仙台高専3 ○阿部貴美1，中川　玲1，千葉鉄也1，中川美智子1，高橋修三1，千葉茂樹1，遠藤治之2，目黒和幸2，柏葉安宏3，大坊真洋1，新倉郁生1，柏葉安兵衛1，藤原民也1，長田　洋1
  • 14PARE法により作製したZnO/MgxZn1-xOへテロ接合の諸特性岩手大1，仙台高専2 ○中川　玲1，阿部貴美1，千葉鉄也1，中川美智子1，高橋修三1，千葉茂樹1，柏葉安宏2，小島　勉1，青田克己1，新倉郁生1，柏葉安兵衛1，藤原民也1，長田　洋1
  • 15Electrical characterization of Schottky contacts to n-MgxZn1-xO filmsShizuoka Univ. ○（P）Sanjay Mohanta，Atsushi Nakamura，Jiro Temmyo
  • 16ZnO ナノロッドのナノ秒レーザーアニール効果とその応用九大シス情1，九大シス情研究院2 ○（M2）下垣哲也1，大藤太平1，鉄山紀弘1，石田雄貴1，岡崎功太1，東畠三洋2，中村大輔2，浅野種正2，岡田龍雄2
  • 17ZnOナノロッド/Cu2Oヘテロp-n接合の作製中部大工 ○山口孝弘，山下祐輝，河村益徳，二宮善彦，佐藤　厚，山田直臣
  • 18酸化亜鉛ナノ粒子による塗布型紫外線発光ダイオード島根大総合理工1，島根大プロ研2 ○藤田恭久1，Wan Mohd Hafizuddin bin Wan Mansor1，橋本英樹2

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9月14日　9:00〜14:45　　会場：H7

14a-H7 - 1〜9

  • 1湿式法によるAlドープZnO薄膜の作製及び特性評価山形大院理工 ○（M2）津田貴大，金子大貴，金井塚勝彦，坂本政臣，栗原正人
  • 2ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法による不純物添加酸化亜鉛薄膜の低抵抗化宮崎大工1，東ソーファインケム2 ○小嶋　稔1，井手亜貴子1，神谷なお美1，長野文子1，吉野賢二1，竹元裕仁2，豊田浩司2，稲葉孝一郎2，羽賀健一2，徳留功一2
  • 3スピンスプレー法により作製した酸化亜鉛膜への紫外光照射処理による低抵抗化信大工1，物材研2，東工大応セラ3 ○我田　元1，大石修治1，大橋直樹2，勝又健一3，岡田　清3，松下伸広3，手嶋勝弥1
  • 4TiO2-NbO2固溶体シード層を用いてスパッタ成膜したTa:SnO2透明導電膜中部大工1，KAST2，東大理3 ○服部祐樹1，淺野哲広1，中尾祥一郎2, 3，二宮善彦1，佐藤　厚1，長谷川哲也2, 3，山田直臣1
  • 5パルスレーザー蒸着法で成膜したAg添加NiO膜の諸特性龍谷大 ○榊間　博，山本貢一，辰巳　渡，山添誠司，和田隆博
  •  休憩　10:15〜10:30
  • 6加熱基板上に作製された鉄添加省インジウム組成ITOスパッタ薄膜の光・電気特性東北大 多元研1，東北大 NICHe2 ○大塚　誠1,2，Sergiienko Ruslan2，中村　崇1,2
  • 7TNO透明導電膜の導入と界面抵抗の低減による色素増感太陽電池の高効率化静岡大工1，神奈川技術アカデミー2，東北大3，東大4 竹村秀一郎1，村本亮祐1，関根裕介1，岡崎壮平2，坂井延寿2，山田直臣2，一杉太郎3，長谷川哲也4，○奥谷昌之1
  • 8FTO 透明導電膜のヘイズ率制御による色素増感太陽電池の高効率化静岡大工 村上　遼，高野貴文，岩城　涼，村本亮祐，○奥谷昌之
  • 9常圧沸騰水中でのSnO薄膜の酸化東大生研 ○野瀬健二，鈴木彩衣，神子公男，光田好孝
  •  昼食　11:30〜13:00

14p-H7 - 1〜7

  • 1r.f.重畳DCマグネトロンスパッタZnO系薄膜の表面テクスチャ構造形成とr.f.供給電力との関係金沢工大 OEDS R&D センター ○藤田　強，野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
  • 2スパッタ成膜ZnO系透明導電膜の各種特性に及ぼす熱処理の影響と不純物添加量との関係金沢工大 OEDS R&Dセンター ○野本淳一，藤田　強，宮田俊弘，南　内嗣
  • 3ZnO、GZO透明導電膜の実時間劣化と回復NTT MI研 ○赤沢方省
  • 4Effects of indium co-doping and oxygen gas flow rates on humidity resistance of 100-nm-thick Ga-doped ZnO films高知工科大総研1，高知高専機械2 ○宋　華平1，牧野久雄1，岸本誠一1,2，山本哲也1
  • 5Al:ZnOの低温エピタキシャル成長中部大工 ○清水　航，二宮善彦，佐藤　厚，山田直臣
  • 6H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて堆積したZnO/a-Al2O3の電気伝導特性の解析長岡技科大1，新潟大2，静岡大3 ○永冨瑛智1，山口直也1，清水英彦2，梅本宏信3，加藤孝弘1，安井寛治1
  • 7触媒反応生成H2Oを用いて堆積したガラス基板上ZnO膜へのCVD低温バッファ層による効果長岡技大工1，長岡高専2 ○小柳貴寛1，竹沢和樹1，片桐裕則2，神保和夫2，加藤孝弘1，安井寛治1