13. 半導体A（シリコン）

13p-PB8 - 1〜4

• 1第一原理計算によるシクロペンタシランの構造および開環反応の解析北陸先端科学技術大学院大¹，JST ERATO 下田ナノ液体プロセスプロジェクト^{2 ○}TIEN LAM PHAM^1,2，大塚信雄¹，下田達也^1,2，HIEUCHI DAM^1,2
• 2浅いpn接合における空乏層領域の電子状態と有効質量筑波大数物 ^○本多周太，植田暁子，佐野伸行
• 3極薄シリコン平板およびナノワイヤにおける非弾性音響フォノン散乱阪大工¹，JST CREST^{2 ○}森　伸也^1,2
• 4不純物ドーピングされたULSI素子に生ずる転位の数値的評価北見工大¹，キャノンセミコン²，東京都市大³ 佐藤満弘¹，大橋鉄也¹，^○及川　亨¹，村上　学²，丸泉琢也³

14a-F7 - 1〜11

• 1シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送に与える同位体の影響立命館大総研¹，立命館大理工²，JST, CREST^{3 ○（P）}服部淳一^1,3，宇野重康^2,3
• 2酸化膜に覆われたナノワイヤ型Si結晶のフォノン分散関係早大理工¹，早大ナノ機構²，JST-CREST^{3 ○}富田将典^1,3，図師知文^1,2,3，渡邉孝信^1,2,3
• 3表面状態の違いによるシリコンナノワイヤ中の熱輸送現象への影響京大院工 ^○三枝琢己，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 4分子動力学法による立体構造シリコン中の熱輸送シミュレーション早大理工¹，筑波大²，JST-CREST^{3 ○}図師知文¹，大毛利健治^2,3，山田啓作^2,3，渡邉孝信^1,3
• 5摂動法に基づいた電気伝導状態の電子構造計算手法京都大工 ^○（DC）池田裕治，瀬波大土，立花明知
•  休憩　10:15〜10:30
• 6Siナノワイヤ及びInAsナノワイヤMOSFETのワイヤ方向依存性能の比較神戸大工¹，JST CREST^{2 ○}下井田健太¹，山田吉宏¹，土屋英昭^1,2，小川真人¹
• 7シリコンナノワイヤFETにおけるイオン化不純物散乱筑波大数物¹，チューリッヒ工科大^{2 ○}植田暁子¹，Mathieu Luisier²，本多周太¹，佐野伸行¹
• 8GAA NWチャネルにおける酸化膜中単一トラップ電荷の影響調査：EMC/MDシミュレーションによる解析早大理工¹，阪大院工²，筑波大³，JST-CREST^{4 ○}神岡武文^1,4，今井裕也¹，鎌倉良成^2,4，大毛利健治^3,4，白石賢二^3,4，丹羽正昭^3,4，山田啓作^3,4，渡邉孝信^1,4
• 9ナノサイズの金属/半導体界面における鏡像効果早大理工 ^○川村祐士，鹿浜康寛，神岡武文，渡邉孝信
• 10モンテカルロ・デバイス・シミュレーションにおけるコンタクト境界条件の考察筑波大電物¹，東大院工²，東大先端研^{3 ○}芝宮　徹¹，吉田勝尚^2,3，植田暁子¹，本多周太¹，佐野伸行¹
• 11非対称チャネルにおけるキャリア輸送のEMC/MDシミュレーション(II)早大理工¹，阪大院工²，筑波大³，JST-CREST^{4 ○}今井裕也¹，神岡武文^1,4，鎌倉良成^2,4，大毛利健治^3,4，白石賢二^3,4，丹羽正昭^3,4，山田啓作^3,4，渡邉孝信^1,4
•  昼食　12:00〜13:00

14p-F7 - 1〜5

• 1薄膜ボディ InGaAs-OI TFET におけるサブスレショルド特性の改善手法の検討東大院工 ^○野口宗隆，竹中　充，高木信一
• 2ナノスケールメモリセルにおけるホットキャリア効果のシミュレーション解析筑波大電物¹，東大電子^{2 ○}徐　丞完¹，吉田勝尚²，本多周太¹，植田暁子¹，佐野伸行¹
• 3円筒形GAA-MOSFET弾道・準弾道輸送の解析コンパクトモデルにおける複数サブバンドの導入名大院工¹，立命大院工²，JST CREST^{3 ○}程　　賀^1,3，宇野重康^2,3，沼田達宏^1,3，中里和郎¹
• 4弾道輸送に基づくGAA-MOSFETの過渡解析モデル名大院工¹，立命館大院工²，阪大³，科学技術振興機構, CREST^{4 ○（DC）}沼田達宏^1,4，宇野重康^2,4，鎌倉良成^3,4，森　伸也^3,4，中里和郎¹
• 5リソグラフィパターンを考慮したSRAM のMixed Mode Simulation産総研 ^○福田浩一，門田和也，大内真一，昌原明植