14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

11a-F1 - 1〜11

• 12次元Siナノディスクアレイにおけるミニバンド形成と電気伝導性の向上東北大流体研¹，東京大先端研²，東北大WPI-AIMR³，JST-CREST^{4 ○}モハマド エルマン ファウジ^1,4，五十嵐誠^1,4，胡　衛国^1,4，海津利行^2,4，岡田至崇^2,4，寒川誠二^1,3,4
• 2Electronic structure and electrical conductivity in realistic 2D silicon nanodisk array東北大流体研¹，JST-CREST²，東北大WPI-AIMR^{3 ○}胡　衛国^1,2，五十嵐誠^1,2，モハマド エルマン ファウジ^1,2，寒川誠二^1,2,3
• 3均一・高密度・３次元Siナノディスクの作製とその電気・光学特性東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，JST-CREST^{3 ○}五十嵐誠^1,3，胡　衛国^1,3，ラフマン モハマド^1,3，寒川誠二^1,2,3
• 4バイオテンプレートにより作製したSiナノディスクの発光起源北大院情報科学¹，東北大流体研²，JST-CREST^{3 ○}木場隆之^1,3，水島佳也¹，村山明宏^1,3，五十嵐誠^2,3，寒川誠二^2,3
• 5Au微細構造を複合させた高密度Siナノディスクにおける発光特性北大院情報科学¹，東北大流体研²，仙台高専³，北大電子研⁴，JST-CREST^{5 ○（M2）}李　　昊¹，中治光童¹，木場隆之^1,5，五十嵐誠²，寒川誠二^2,5，佐久間実緒³，上野貢生⁴，三澤弘明⁴，村山明宏^1,5
• 6バイオテンプレート極限加工によるGaAsナノディスクの作製と発光特性東北大流体研¹，JST-CREST²，東京大先端研³，北大院情報科学⁴，奈良先端大⁵，東北大WPI-AIMR^{6 ○}田村洋典^1,2，五十嵐誠^1,2，セドリック トーマス^1,2，モハマド エルマン ファウジ^1,2，胡ウェイグォ^1,2，塚本里加子^1,2，海津利行^2,3，星井拓也^2,3，木場隆之^2,4，山下一郎^2,5，岡田至崇^2,3，村山明宏^2,4，寒川誠二^1,2,6
•  休憩　10:30〜10:45
• 7Upconverted photocurrent for efficient intermediate state solar cells through Auger process in InAs quantum structures京大化研¹，JST-CREST²，豊田工大^{3 ○（P）}David Tex^1,2，神谷　格³，金光義彦^1,2
• 8Ge/Si量子ドットにおけるキャリア取り出し効率の照射光強度依存性京大化研¹，JSTさきがけ²，東北大金研^{3 ○}太野垣健^1,2，宇佐美徳隆³，藩　伍根³，星　裕介³，大井万史¹，金光義彦¹
• 9In_0.8Ga_0.2As/AlAs/AlAs_0.56Sb_0.44結合量子井戸のスピン緩和時間の温度依存性早大先進理工¹，産総研^{2 ○}山口　亮¹，牛頭信一郎²，物集照夫²，小柳慶継¹，上村光典¹，竹内　淳¹
• 10pnpn構造GaAsにおけるスピン緩和静岡大若手グローバル¹，甲南大院自然^{2 ○}伊藤　哲¹，菅田　悠²，谷垣昇吾²，市田正夫²，安藤弘明²
• 11単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測早大先進理工¹，電通大電子^{2 ○}上村光典¹，太田　潤²，山口　亮¹，山口浩一²，竹内　淳¹
•  昼食　12:00〜13:30

11p-F1 - 1〜14

• 1歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性徳島大院フロンティア ^○北田貴弘，上山日向，森田　健，井須俊郎
• 2通信波長帯多重積層InAs量子ドット中のスピン緩和徳島大院¹，情通機構^{2 ○}森田　健¹，北田貴弘¹，赤羽浩一²，井須俊郎¹
• 3ITO基板上の単一CdSe/ZnS量子ドット発光特性の電場依存性北大電子研 ^○（M1）長尾優樹，斉　　君，千葉孝志，藤原英樹，笹木敬司
• 4単一量子ドット内荷電/中性励起子からの直線偏光発光ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構¹，生産技術研究所²，NECスマエネ研^{3 ○}Edmund Harbord¹，太田泰友¹，白根昌之³，五十嵐悠一³，熊谷直人¹，大河内俊介¹，岩本　敏^1,2，萬　伸一^1,3，荒川泰彦^1,2
• 5共鳴パルス励起を用いたナノビーム導波路中I n A s / G a A s量子ドットにおけるラビ振動の観測東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}Alexandre Enderlin¹，太田泰友¹，大田竜一¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 6dc-SQUIDによる自己形成InAs量子ドット中の光励起電子スピン検出に向けた研究2東理大¹，筑波大²，物材機構ナノ融合³，東大生産研⁴，物材機構MANA⁵，JST-CREST^{6 ○}佐久間大輔¹，石黒亮輔¹，柴田祐輔²，野村晋太郎²，渡辺英一郎³，大里啓孝³，津谷大樹³，柴田憲治^4,6，平川一彦^4,6，高柳英明^1,5
• 7GaSb/GaAs量子ドットを埋め込んだp型FETによる光検出の可能性豊田工業大 ^○片岡政人，大森雅登，榊　裕之
•  休憩　15:15〜15:30
• 8Possibility of Emission Energy Control of Individual Quantum Dots using Volume Expansion of Phase Change Material慶大院理工 ^○Binti Humam Nurrul Syafawati，高橋基紀，津守伸宏，斎木敏治
• 9InP(001)基板上多重積層量子ダッシュキャビティの共振モード制御情通機構 ^○赤羽浩一，山本直克
• 10核磁場を利用したInAs量子リングのg因子評価北大院工 ^○（M1）穂積貴人，鍛治怜奈，足立　智
• 11単一自己集合量子ドットにおける核磁場揺らぎの評価北大院工¹，北大電子研^{2 ○}鍜治怜奈¹，足立　智¹，笹倉弘理²，武藤俊一¹
• 12量子ドットでの電子・正孔-核スピン結合系のダイナミクス北大院工 ^○鍜治怜奈，足立　智，武藤俊一
• 13光子統計評価における２次自己相関関数の一般化北大電子研¹，日本学術振興会^{2 ○}熊野英和¹，中島秀朗^1,2，末宗幾夫¹
• 14量子ドット横電場印加における角度制御型電極構造の作製と光学評価北大電子研¹，学振特別研究員DC^{2 ○}小田島聡¹，中島秀朗^1,2，末宗幾夫¹

12a-F1 - 1〜9

• 1i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル層構造における超高速光応答の観測兵庫県大院物質理¹，滋賀県大工²，住友化学筑波研³，阪市大院工^{4 ○}長谷川尊之¹，高木芳弘¹，竹内日出雄²，山田　永³，秦　雅彦³，中山正昭⁴
• 2波長変換機能を実現するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の 四光波混合信号の時間分解測定徳島大 ^○安長千徳，上山日向，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
• 3GaAs/Air多層膜共振器を用いた面型非線形光学デバイス徳島大¹，日亜化学^{2 ○}小松秀士¹，張　ミン¹，中川義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 4パラメトリックに誘起される機械共振器間のコヒーレント振動NTT物性基礎研 ^○岡本　創，Adrien Gourgout，Imran Mahboob，小野満恒二，山口浩司
• 5結合メンブレン電気機械振動子NTT物性研 ^○畑中大樹，イムラン マブーブ，小野満恒二，山口浩司
•  休憩　10:45〜11:00
• 6Low Growth Temperature of Ge NWs for Electron Device Application東工大 ^○（D）Marolop Simanullang，野口智弘，Akhmadi Surawijaya，宇佐美浩一，小寺哲夫，河野行雄，小田俊理
• 7金属アシスト化学エッチングを用いたシリコンナノワイヤの作製慶大理工¹，CREST-JST^{2 ○}山田道洋^1,2，伊藤公平^1,2
• 8フェリチンを用いたシリコン基板上におけるサブ10nm金ナノ粒子の高密度配置慶大理工¹，奈良先端大²，東北大流体研³，JST-CREST^{4 ○（M2）}磯田大河^1,4，伊藤公平^1,4，山下一郎^2,4，寒川誠二^3,4
• 9CdF₂/CaF₂/Si構造における積層化によるCaF2絶縁性劣化現象東工大 ^○林　優士，高橋　剛，高橋慶太，筒井一生

12p-PA1 - 1〜14

• 1自己触媒ＶＬＳ法によるInAsP/InAs/InAsPヘテロ構造ナノワイヤの結晶成長NTT物性基礎研 ^○章　国強，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣
• 2微小な金粒子を用いたInAsP/InPナノワイヤ成長NTT物性基礎研 ^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，寒川哲臣
• 3δドープ InP/InAs/InPコアシェルナノワイヤトランジスタの作製と評価北大¹，CNRS^{2 ○}崔　志欣¹，Fauzia Jabeen²，Jean-Christophe Harmand²，陽　完治¹
• 4量子ドットを用いた良好なもつれ光子発生のための励起子分子生成NTT物性基礎研 ^○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣
• 5ヘテロダイン検出フォトンエコー法を用いた歪補償量子ドット集合体への光コヒーレンスの転写・再生慶應大理工¹，情報通信研究機構^{2 ○}鈴木一将¹，赤羽浩一²，山本直克²，早瀬潤子¹
• 6量子井戸での残留電子による核スピン偏極の形成と検出北大院工 黒澤雅博，^○Liping Yan，鍜治怜奈，足立　智
• 7モンテカルロ法を用いたInAs薄膜における光励起キャリアのシミュレーション阪大工¹，JST CREST^{2 ○}中村健志¹，森　伸也^1,2
• 8InAs-Si量子細線トンネリングFETのシミュレーションによるデバイス特性解析日本アイ・ビー・エム ^○中村　肇
• 9Au₁₀クラスターの電子輸送特性関西大システム理工 ^○小川智矢，深谷一樹，清水智弘，新宮原正三，齊藤　正，稲田　貢
• 10DMFに保護された金ナノクラスターの磁気特性関西大システム理工¹，東大物性研²，関西大化学生命³，秋田大工学資源^{4 ○}吉原義浩¹，松尾　晶²，川崎英也³，山本良之⁴，金道浩一²，齊藤　正¹，稲田　貢¹
• 11分光エリプソメトリによるCdSナノ粒子の誘電率スペクトル評価阪府大院工¹，阪市大院工²，千葉工大工^{3 ○（M2）}北野敦資¹，沈　用球¹，谷口太一²，金　大貴²，脇田和樹³
• 12Si/CaF₂量子カスケードレーザ構造からの室温近赤外EL発光東工大院総理工 ^○越智達也，渡辺正裕
• 13金属CoSi₂上に形成したSi/CaF₂/CdF₂共鳴トンネル量子井戸構造の抵抗スイッチング特性東工大院総理工 ^○傳田純也，瓜生和也，渡辺正裕
• 14共鳴トンネル素子の高安定化に向けたSi上CdF₂層の高温成長東工大総理工 ^○高橋慶太，秋山雄俊，難波　覚，林　優士，筒井一生