14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

12a-H8 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  InGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池におけるバックグラウンドドーピングの影響東大工¹，東大先端研^{2 ○}藤井宏昌¹，王　云鵬²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭²
• 2光閉じ込め構造を用いた高効率量子井戸太陽電池の作製東大工¹，東大先端研^{2 ○}金ボラム¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭²
• 3チャープDBRを用いたInGaAs/GaAs多重量子井戸セルにおける光吸収増大東大先端研¹，東大院工^{2 ○}HASSANET SODABANLU¹，馬　少駿²，王　雲鵬¹，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭²
• 4トンネル援用InGaAs/GaAsP多重量子井戸によるキャリア脱出の促進東大院工¹，東大先端研^{2 ○（D）}馬　少駿¹，ハッサネット ソダーバンル²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 5X電子伝導を用いたAl_0.52In_0.48P/Ga_0.51In_0.49P超格子太陽電池早大高等研¹，NTT物性基礎研²，早大理工³，早大材研⁴，JST-CREST^{5 ○}河原塚篤^1,3,4,5，小野満恒二²，堀越佳治^3,4,5
• 6表面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合せ構造の特性評価大阪市立大¹，日本電信電話NTTフォトニクス研^{2 ○}梁　剣波¹，宮崎達也¹，西田将太¹，森本雅史¹，重川直輝¹，渡邉則之²
•  休憩　10:45〜11:00
• 7光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強神戸大院工 ^○原田幸弘，前田剛志，喜多　隆
• 8面内超高密度InAs量子ドットシートを用いた中間バンド型太陽電池の作製評価電通大 先進理工 ^○塩川美雪，江口陽亮，坂本克好，山口浩一
• 9原子配置乱れが量子ドット太陽電池の中間バンドに与える影響阪大工¹，JST CREST^{2 ○}高橋浩樹¹，森　伸也^1,2
• 10中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(VI)東大院工¹，東大先端研²，筑波大^{3 ○}吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³
• 11中間バンド型太陽電池に向けた３次元量子ドット超格子構造における光吸収特性の理論解析シャープ ^○吉川弘文，小谷晃央，葛本恭崇，和泉　真，友村好隆
•  昼食　12:15〜13:30

12p-H8 - 1〜18

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  InP/AlInPナノワイヤアレイ太陽電池の改善と結晶解析北大院情報科学¹，北大量集センター²，JST さきがけ^{3 ○}吉村正利^1,2，中井栄治^1,2，冨岡克広^1,2,3，福井孝志^1,2
• 2InGaP/GaAsコアマルチシェルナノワイヤアレイ太陽電池北大情報科学研究科及び量子集積センター¹，JST-さきがけ^{2 ○}中井栄治¹，吉村正利¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 3ZnTeO中間バンド型太陽電池の作製と特性評価佐賀大院工¹，JSTさきがけ²，LBNL^{3 ○}田中　徹^1,2，長尾康弘¹，宮原雅宜¹，斉藤勝彦¹，郭　其新¹，西尾光弘¹，Yu Kin. M.³，Walukiewicz Wladek³
• 4直接吸着法を用いたCu-In-Se量子ドット増感太陽電池の作製アルバック ^○北田典央，長久保準基，村上裕彦
• 5リン化法による ZnSnP2 成膜におけるリン蒸気圧および基板の影響京大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}野瀬嘉太郎^1,2，中塚　滋¹，宇田哲也¹
• 6ナノ構造制御によるカルコパイライト型太陽電池材料の計算機マテリアルデザイン阪大基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}佐藤和則^{1, 2}，谷　義政¹，吉田　博¹
•  休憩　15:00〜15:15
• 7第一原理計算によるCuInSe₂および関連太陽電池材料の吸収係数の評価龍谷大理工 ^○（PC）前田　毅，和田隆博
• 8第一原理計算によるCuInSe₂中のCuおよびInの拡散の評価龍谷大理工 ^○（D）中村哲士，前田　毅，和田隆博
• 9Cu₂Sn(S,Se)₃の合成と印刷/高圧焼結法による薄膜作製龍谷大 ^○（M1）野村　岳，前田　毅，和田隆博
• 10ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS₂薄膜の硫化過程の検討東理大 総研/理工¹，東北大 多元研^{2 ○}加山慶樹¹，庄司竜輝¹，秩父重英²，杉山　睦¹
• 11超臨界流体を用いたセレン化によるCIS薄膜の作製とその評価東北大 多元研 ^○笘居高明，矢中美紀，本間　格
• 12CIGS中に形成されたCu_2-δSe相のデバイス特性へ与える影響筑波大数理¹，産総研^{2 ○（M2）}高林悠太郎¹，清水泰介¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 13CIGS系半導体における光吸収係数のCu組成依存性岐阜大¹，ローム²，産総研^{3 ○}箕浦翔太¹，前川拓滋²，仁木　栄³，藤原裕之¹
• 14ラマン分光法によるCu(In,Ga)Se2薄膜中におけるSe相の検出筑波大数理¹，産総研^{2 ○}名塚岳洋¹，高林悠太郎¹，清水泰介¹，秋本克洋¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²
• 15AFM光熱分光法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜中ギャップ内準位の観測東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工^{3 ○（M2）}浜本　寧¹，原　賢二¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2
• 16In(S,O)/CIGS界面の電子構造評価鹿児島大¹，産総研^{2 ○}桐原彬嘉¹，森田英揮¹，谷口裕麻¹，吉本　翔¹，小原幸三¹，奥田哲治¹，仁木　栄²，寺田教男^1,2
• 17透明トランスジューサ光熱変換分光法によるCu(In,Ga)Se₂光吸収層のバンドギャップの測定とバンドグレーディッドの検証宮崎大¹，和歌山工業高等専門学校^{2 ○}本野佑太郎¹，丁　　文¹，久松弘明¹，山口真司¹，福山敦彦¹，山口利幸²，碇　哲雄¹
• 18フォトルミネッセンス法によるCIGS太陽電池のプロセス評価愛媛大工 ^○太田寛之，高木達矢，弓達新治，宮田　晃，白方　祥

13a-H8 - 1〜7

• 1CdTe太陽電池におけるCdTe層へのCuドーピング木更津高専 ^○林　亮二，原　茂樹，小川洋平，坂　雄介，高橋渓太，岡本　保
• 2高効率な太陽電池実現に向けたSnSの異相の検討東理大 総研/理工 ^○永易　京，平松　昂，平野卓三，清水　翼，杉山　睦
• 3ZnO_1-xS_xバッファ層を用いた硫化スズ薄膜太陽電池の作成立命館大理工 ^○（M2）河野　悠，峯元高志
• 4ナノ結晶を用いたCu2ZnSnS4薄膜の調製と太陽電池特性九大総理工¹，佐賀大院工²，九大先導研^{3 ○}末廣　智¹，湯浅雅賀¹，田中　徹²，藤田克彦³，波多　聰¹，木田徹也¹，島ノ江憲剛¹
• 5電着金属積層膜からのCZTS 薄膜作製におけるプレアニールの効果阪大 ^○池田　茂，イーシン リン，ウィルマン セプチナ，教来石祥雄，原田隆史，松村道雄
• 6電気化学堆積法によるCZTS薄膜の製作と低温硫化名工大 ^○楊　　凱，市村正也
• 7Cu2ZnSnS4薄膜における光学吸収端のブルーシフトII阪大院基礎工¹，阪大院工カネカ協働研²，明石高専^{3 ○}小西崇文¹，妹尾佑一¹，岡本博明¹，口山　崇²，辻良太郎²，外山利彦²，山本憲治²，寺井健吾³，中島悠斗³，堤　保雄³
•  休憩　　10:45〜11:00
•  8〜23　11:00〜11:32（14.6 化合物太陽電池／ショートプレゼンテーション）

13a-H8 - 8〜23

•  1〜7　9:00〜10:45（14.6 化合物太陽電池）
•  休憩　　10:45〜11:00
• 8サブセル個別評価を用いた多接合太陽電池の耐放射線性評価法宇宙機構¹，原子力機構^{2 ○}中村徹哉¹，今泉　充¹，佐藤真一郎²，大島　武²
• 9導電性ナノ粒子配列を用いたメカニカルスタック多接合太陽電池の検討産総研 ^○牧田紀久夫，水野英範，小牧弘典，菅谷武芳，大島隆治，柴田　肇，松原浩司，仁木　栄
• 10結合量子ドット太陽電池における電荷蓄積物材機構¹，豊田工大^{2 ○}野田武司¹，定　昌史¹，間野高明¹，川津拓也¹，榊　裕之^1,2
• 11縮退したII-VI族半導体多結晶薄膜の導電率の温度依存性の解析島根大総合理工 ^○梶川靖友
• 12InGaN/GaN MQWにおけるキャリア寿命特性の井戸層厚依存性NTT PH研¹，大阪市大^{2 ○}渡邉則之¹，満原　学¹，横山春喜¹，重川直輝²
• 13バルクCIGS単結晶の物性定数でのAMPS-1Dシミュレーションへの応用愛媛大工 ^○前西隆一郎，吉田正吾，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 14CIS系太陽電池吸収層の蒸着原料としての再利用防衛大 機能材料 ^○宮崎　尚
• 15有機原料を用いたCuIn(S,Se)₂薄膜の成長過程解析東理大総研/理工¹，東北大多元研^{2 ○}庄司竜輝¹，佐藤宗一¹，秩父重英²，杉山　睦¹
• 16光学的手法によるCIGS単結晶および薄膜太陽電池構造の評価愛媛大院理工¹，愛媛大工²，香川高専^{3 ○}新　晶子¹，西村裕太朗²，前西隆一郎¹，矢木正和³，宮田　晃¹，白方　祥¹
• 17PL測定によるSnS 系薄膜における欠陥の検討東理大 総研/理工 ^○平松　昂，平野卓三，杉山　睦
• 18溶液ペーストによるCuO/ZnOヘテロ構造太陽電池の作製名大院工¹，名工大院工^{2 ○}張　　海¹，市村正也²，牧原克典¹，宮崎誠一¹
• 19自己組織化ナノ構造を用いたII-VI族化合物半導体ベース太陽電池材料の計算機マテリアルデザイン阪大基礎工¹，JSTさきがけ^{2 ○}佐藤和則^{1, 2}，押谷昌宗¹，吉田　博¹
• 20スプレー法で作製したCu₂ZnSnS₄薄膜の深さ方向分析防衛大 機能材料 ^○宮崎　尚，吉武功一郎，吉岡督之，青野裕美
• 21Fabrication of vertical Cu2ZnSnS4 nanowire arrays using anodic aluminum oxide templates関西大¹，情報通信研究機構^{2 ○}王　崇娥¹，田中良典¹，照井通文²，田中秀吉²，清水智弘¹，新宮原正三¹
• 22Cu-Zn-Sn-OプリカーサのS化によるCu₂ZnSnS₄薄膜の成長立命館大理工¹，プロマティック^{2 ○（M1）}石野　亮¹，福島和宏²，峯元高志¹
• 23Sn溶液を用いたCu₂ZnSnSe₄単結晶成長宮崎大工¹，三重大工^{2 ○}永岡　章¹，吉野賢二¹，三宅秀人²