16. 非晶質・微結晶

12a-F6 - 1〜10

• 1「非晶質・微結晶分科内招待講演」（30分）
  薄膜シリコン技術の高効率結晶シリコン太陽電池への適用 ヘテロ接合セル、バックコンタクトセルを中心としてカネカ ^○山本憲治
• 2Surface passivation of crystalline silicon by SiNx/Si-rich SiNx stacked layersJAIST¹，CREST^{2 ○（D）}Cham Thi Trinh¹，Koyama Koichi^1,2，Ohdaira Keisuke¹，Matsumura Hideki^1,2
• 3合金触媒体CVDによるガス分解とアルミナ成膜神奈川工科大工 ^○荻田陽一郎，齋藤直之
• 4大気圧プラズマ酸化によるSiO₂の低温形成阪大院工 ^○三宮佑太，金谷優樹，卓　澤騰，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
• 5低温CVD 成膜されたSiO2における水素ラジカル処理の効果明大¹，物質・材料研究機構²，コメット³，兵庫県立大⁴，CREST^{5 ○}土屋佑樹^1,5，池野成裕^1,2,5，山口拓也¹，鈴木　摂³，石橋啓司³，長田貴弘²，新船幸二^4,5，吉田晴彦^4,5，佐藤真一^4,5，知京豊裕²，小椋厚志^1,5
•  休憩　10:30〜10:45
• 6誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いたa-Si:H膜による結晶シリコン表面パッシベーション広大院先端研 ^○（M1）水野　翼，林　将平，小柳俊貴，花房宏明，池田弥央，小林義崇，藤田悠二，村上秀樹，東清一郎
• 7ヘテロ接合Si太陽電池用i-a-SiO:Hパッシベーション膜の評価東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター^{2 ○}山口裕美子¹，綿引達郎¹，小長井誠^1,2
• 8実時間分光エリプソメトリーによるa-Si:H/c-Siヘテロ接合界面特性の水素プラズマ処理効果の評価岐阜大 ^○池田　諭，松木伸行，藤原裕之
• 9へテロ接合太陽電池におけるタングステンをドープした酸化インジウム透明導電膜のX線回折パターン長州産業 ^○小林英治，中村宣孝，渡部　嘉
• 10シリコンヘテロ接合太陽電池の特性におけるインゴット内のウェハ位置依存性長州産業 ^○中村宣孝，橋本公一，小林英治，渡部　嘉
•  昼食　12:00〜13:30

12p-F6 - 1〜17

• 1溌液結晶化法により作製した結晶シリコンインゴットの評価明大¹，学振研究員DC²，ユニオンマテリアル^{3 ○（D）}立花福久^1,2，土屋佑樹¹，宮崎直人¹，櫻木史郎³，小椋厚志¹
• 210cm径mono cast Si結晶成長物材機構¹，筑波大数理²，明大³，豊田工大⁴，京都工繊大⁵，九大⁶ 宮村佳児¹，原田博文¹，Karolin Jiptner^1,2，陳　　君¹，李　建永^1,3，Ronit Prakash^1,2，^○関口隆史^1,2，小島拓人⁴，大下祥雄⁴，小椋厚志³，福澤理行⁵，中野　智⁶，高　　冰⁶，柿本浩一⁶
• 3一方向性凝固法を用いた新規種結晶成長における大型単結晶シリコンの転位密度解析九大応力研¹，物質・材料研究機構^{2 ○}高　　冰¹，中野　智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹
• 4トラベリングヒーター法による太陽電池用多結晶Si成長中の転位密度分布解析九大院工¹，九大応力研²，物材機構^{3 ○（M2）}井上真翔¹，柿本浩一^1,2，中野　智²，原田博文³，宮村佳児³，高　　冰²
• 5多結晶シリコン粒界における酸化誘起ストレス分布：分子動力学法による解析早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，JST-CREST^{4 ○}栗山　亮¹，橋口誠広¹，青木直成¹，富田将典¹，図師知文^1,4，小椋厚志^3,4，渡邉孝信^1,2,4
• 6多結晶シリコンにおける軽元素析出物のカソードルミネッセンス分析明大¹，物材機構²，豊田工大³，九州大^{4 ○}李　建永¹，Ronit Roneel Prakash²，Dierre Benjamin²，陳　　君²，関口隆史²，原田博文²，宮村佳児²，大下祥雄³，柿本浩一⁴，小椋厚志¹
• 7EBIC Study of Impurity Decoration on Extended Defects in Multicrystalline Silicon物材機構¹，筑波大²，明大^{3 ○}Ronit Roneel Prakash^1,2，宮村佳児¹，陳　　君¹，Karolin Jiptner^1,2，李　建永^1,3，原田博文¹，関口隆史^1,2
• 8PLによる高補償比Si結晶の残留ドナー・アクセプタ不純物定量JAXA宇宙研¹，明大院^{2 ○}田中香次^1,2，田島道夫^1,2，小椋厚志²
•  休憩　15:30〜15:45
• 9シリコンナノインクを用いたレーザードーピングと太陽電池への応用帝人¹，ナノグラム^{2 ○}富澤由香¹，池田吉紀¹，大道高弘¹，城　尚志¹，添田雅也²，Uma Srinivasan²，Shiv Chiruvolu²，花田　亨²
• 10CWレーザー照射下のレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池局所特性評価大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研² Khandoker Salek²，^○中西英俊¹，伊藤　明¹，高山和久²，川山　巌²，村上博成²，斗内政吉²
• 11レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池特性の比較評価大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研^{2 ○}伊藤　明¹，中西英俊¹，Khandoker Salek²，高山和久²，川山　巌²，村上博成²，斗内政吉²
• 12太陽電池モジュールにおける水蒸気の浸入とモジュール特性の相関太陽光発電技術研究組合¹，東レ²，産業技術総合研究所^{3 ○}宮下正範^1,2，増田　淳³
• 13Ge/Al共スパッタによる10²¹cm^-3台高濃度ドープp⁺-Ge膜のエピ成長島根大総合理工 ^○杉原圭祐，松本章広，早瀬久貴，葉　文昌
• 14Ge/Sb共スパッタによる10²⁰cm^-3台高濃度ドープn+-Ge膜のエピ成長島根大総合理工 ^○（B）早瀬久貴，松本章広，杉原圭祐，葉　文昌
• 15組成傾斜層を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と太陽電池応用産総研¹，法政大工^{2 ○}大島隆治¹，渡邊与典²，山中光之¹，川浪仁志¹，高遠秀尚¹，坂本　勲²，松原浩司¹，坂田　功¹
• 16マスクレスウェットエッチングを利用したGe量子ドット構造上へのナノフォトニック構造形成と光学特性評価東北大金研¹，京大化研²，JSTさきがけ^{3 ○}星　裕介¹，藩　伍根¹，木口賢紀¹，太野垣健^2,3，宇佐美徳隆¹
• 17金属/酸化膜/半導体構造を持つ太陽電池による変換効率の改善兵庫県立大 ^○（DC）小林孝裕，松尾直人，部家　彰

13a-F6 - 2〜7（1番は欠番）

• 2量子分子動力学法を用いた薄膜シリコン太陽電池のCVDプロセスにおけるSiH_xラジカルの表面反応機構の検討東北大院工 ^○（M2）桑原卓哉，伊藤　寿，石川岳志，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 3ハロゲン系プラズマCVD法により作製した微結晶Si膜の剥離・転写技術埼玉大 ^○越野秀人，渡邊恭平，Qiming Liu，上野啓司，白井　肇
• 4薄膜シリコン成長時におけるキャリア輸送特性の実時間観測産総研太陽光センター ^○布村正太，坂田　功，吉田郵司，近藤道雄
• 5ソフトリソグラフィーによる太陽電池光閉じ込め構造の作製産総研 太陽光 ^○水野英範，齋　　均，近藤道雄，松原浩司
• 6微結晶シリコン太陽電池の高電流化に向けたハニカムテクスチャ基板の開発産総研¹，PVTEC^{2 ○}齋　　均¹，鯉田　崇¹，齊藤公彦²，近藤道雄¹
• 7光学計算による平坦型光散乱基板の高性能化検討産総研¹，デルフト工大^{2 ○}齋　　均¹，オリンド イザベラ²，ミロ ゼーマン²，近藤道雄¹
•  昼食　12:00〜13:30

13p-F6 - 1〜8

• 1パルス成長法による高均一自己形成Ge量子ドットの高密度化東工大¹，産総研^{2 ○（M2）}後藤和泰^1,2，大島隆治²，菅谷武芳²，坂田　功²，松原浩司²，近藤道雄^1,2
• 2シリコン量子ドット太陽電池の集光特性東工大院理工¹，東工大太陽光発電研究センター^{2 ○}山田　繁¹，黒川康良¹，宮島晋介¹，小長井誠^1,2
• 3Photovoltaic Property of Free-standing Nanocrystalline Silicon Layers農工大院・工 ^○（P）Romain Mentek，Bernard Gelloz，筆宝大平，越田信義
• 4溶液プロセスによるa-Si:H太陽電池科学技術振興機構ERATO下田ナノ液体プロセスプロジェクト¹，北陸先端科学技術大学院大²，JSR^{3 ○}増田貴史¹，松木安生^1,3，下田達也^1,2
• 5非真空プロセス「液体Si印刷法」で形成したa-Si:Hの光安定性パナソニック¹，北陸先端大²，JST-ERATO^{3 ○}村山博子¹，大山達史¹，吉田　功¹，寺川　朗¹，増田貴史^2,3，大平圭介²，下田達也^2,3
• 6高光安定薄膜シリコン太陽電池の作製産総研¹，太陽光発電技術研究組合^{2 ○}松井卓矢¹，齋　　均¹，斉藤公彦²，近藤道雄¹
• 7W-textured ZnO付白板ガラス基板を用いたタンデム型Si薄膜太陽電池の高効率化東工大院理工¹，東工大PVREC²，STL,NECTEC,NSTDA^{3 ○}守谷勇樹¹，Aswin Hongshingthong³，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 8二次元デバイスシミュレーションによる高ヘイズZnO基板上a-Si:H太陽電池の性能評価東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}和田英敏¹，黒川康良¹，西窪恵一¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2

13p-PB12 - 1〜13

• 1SrSiO_x/Si(100)界面に誘起される固定電荷の評価兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST^{3 ○}堀田育志^1,3，今中淳弘¹，豊嶋祐樹¹，谷脇将太¹，佐々木翼¹，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3
• 2Al₂O₃パッシベーション効果の解析への成膜温度の影響東京農工大・工 ^○（D）吉葉修平，マルワン ダムリン，須田良幸，上迫浩一
• 3SiNx:H膜のp型単結晶シリコンに対するパッシベーション性能への高速熱処理の影響豊田工大 ^○小島拓人，小田裕貴，高井大輔，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 4両面へテロ接合型ゲルマニウム太陽電池の赤外光照射下における温度特性評価産総研 太陽光センター ^○金子哲也，近藤道雄
• 5Si基板上歪み緩和SiGe薄膜のラザフォード後方散乱分光法による評価法政大¹，産総研^{2 ○}渡邊与典¹，大島隆治²，坂田　功²，坂本　勲¹
• 6縮退したSi多結晶薄膜の導電率の温度依存性の解析島根大総合理工 ^○梶川靖友
• 7スパッタエピタキシー法で作製したSi太陽電池の評価東京農工大 院工¹，モザベア ソーラー リミテッド^{2 ○（M2）}染矢貴洋¹，藤村宗平¹，数野忠雄²，須田良幸¹
• 8マッピング分析によるFe汚染多結晶シリコン中のFe不純物挙動静理大¹，フォトンデザイン^{2 ○}田中清高¹，塚本美徳¹，清水良祐²，吉田　豊¹
• 9多結晶Ｓｉのキャスト成長における転位発生に関するレビューと考察東北大金研 ^○沓掛健太朗，大野　裕，徳本有紀，宇佐美徳隆，米永一郎
• 10FORMATION OF HIGH QUALITY P⁺ LAYERS USING SCREEN-PRINTING BORON DIFFUSION SOURCETokyo Univ. of Agr.& Tech.¹，NIPPON GOHSEI^{2 ○（D）}Abdullah Uzum¹，Shuhei Yoshiba¹，Marwan Dhamrin¹，Yoshiyuki Suda¹，Koichi Kamisako¹，Hiroaki Sato²，Katsuhiko Katsuma²，Kuniyasu Kato²
• 11多結晶シリコン太陽電池における三フッ化塩素ガスによる拡散層形成後のテクスチャ化の検討成蹊大院工 久保田祥，岩間恵人，渡邊良祐，^○齋藤洋司
• 12グリーンレーザを用いたダブルテクスチャZnO基板のスクライブ技術東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター^{2 ○（PC）}石川亮佑¹，和田英敏¹，黒川康良¹，ポーポン シッチャヌリッツ¹，小長井誠^1,2
• 13MBE法を用いたSi/SiO₂超格子構造の作製早大理工¹，CREST^{2 ○（P）}藤田実樹^1,2，近藤　稔¹，北田　剛¹，河原塚篤^1,2，堀越佳治^1,2