13. 半導体A（シリコン）

13p-PB7 - 1〜5

• 1高ボトムカバレッジPVDアルバック ^○鈴木康司，鎌田恒吉，広石城司，樋口　靖，鄒　弘綱
• 2次世代集積化MEMS向けSiインターポーザー形成技術アルバック¹，NMEMS技術研究機構^{2 ○}作石敏幸^1,2，村山貴英^1,2，吉居　学^1,2，森川泰宏^1,2，鄒　弘鋼¹
• 3SiO₂上の無電解バリアメタル膜の密着性向上の検討関西大 ^○西澤正一郎，井上史大，有馬良平，清水智弘，新宮原正三
• 4デバイスウェハーの極薄研削の影響東大院工¹，富士通セミコンダクター²，富士通研³，大日本印刷⁴，ディスコ^{5 ○}前田展秀¹，Youngsuk Kim¹，彦坂幸信²，恵下　隆²，北田秀樹¹，藤本興治⁴，水島賢子³，児玉祥一⁵，大場隆之¹
• 5光電子集積三次元LSIのための高効率光カップラの検討東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工^{3 ○}乗木暁博¹，李　康旭²，Jichoel Bea²，福島誉史²，田中　徹^1,3，小柳光正²

14a-F5 - 1〜10

• 1不純物偏析PtSiの平坦化に関する検討東工大総理工 ^○有馬　潤，吉村泰彦，大見俊一郎
• 2超臨界CO2法によるCu埋め込みにおけるCoバリア層の結晶構造の影響東京理科大 ^○大野泰典，伊藤勝利，大竹勝人，斉藤　茂
• 3アミディネート前駆体を用いたCVD法によるMnOxの形成東北大工 ^○（M2）黒川温子，安藤大輔，須藤祐司，小池淳一
• 4ナノカーボン/Co配線への低抵抗金属接触の形成芝浦工大¹，超低電圧デバイス技術研究組合^{2 ○}矢野裕晃¹，高木政志¹，涌井太一¹，山崎雄一²，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²，上野和良¹
• 5配線抵抗測定によるCu腐食の評価CASMAT ^○川上博士，川本佳史
• 6マイクロ波プラズマ励起大口径中性粒子ビームCVDによる高密度な超低誘電率SiCOHの成膜東北大¹，東京エレクトロン^{2 ○}菊地良幸^1,2，和田章良¹，寒川誠二¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7平板型NLDを用いたTSVエッチングプロセス開発アルバック半電研 ^○村山貴英，作石敏幸，吉居　学，森川泰宏，鄒　弘綱
• 83次元LSIのための絶縁バリヤ膜の低温作製北見工大¹，富士通研^{2 ○}武山真弓¹，佐藤　勝¹，中田義弘²，小林靖志²，中村友二²，野矢　厚¹
• 9同時形成溝によるハイブリッドウエハ接合面のボイド抑制ASET ^○青木真由，朴澤一幸，武田健一
• 10チッププロセスによる積層チップ形成超先端電子技術開発機構¹，東北大未来研^{2 ○}朴澤一幸¹，花岡祐子¹，青木真由¹，武田健一¹，李　康旭²，福島誉史²，小柳光正²