17. ナノカーボン

12a-C1 - 1〜11

• 1単結晶Cu上での酸化グラフェンからのグラフェン生成東大院新領域¹，東大院理^{2 ○}小幡誠司¹，田中弘成²，斉木幸一朗^1,2
• 2金属界面を利用した酸化グラフェンからのグラフェン成長東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 3化学気相成長条件における酸化グラフェンの二段階構造回復機構の検証阪大院工¹，北陸先端大ナノセンター^{2 ○}楠本太郎¹，根岸良太¹，村上達也²，山田省二²，小林慶裕¹
• 4酸化グラフェン(GO)薄片のC₂H₂/Arプラズマ処理による低抵抗化埼玉大 ^○渡邊郁弥，星野　彩，菅沼洸一，石川　良，上野啓司，白井　肇
• 5マイクロ波を利用した、酸化剤を使用しない酸化グラフェンの液相合成法山大工 ^○沖本治哉，多田亮太，佐野正人
• 6Co触媒を用いた多層グラフェン生成過程における化学結合状態分析高輝度光科学研究センター¹，産総研/連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター²，東北大^{3 ○}池永英司¹，室隆桂之¹，高嶋明人¹，佐藤元伸²，小川修一³，高桑雄二³，二瓶瑞久²，横山直樹²
•  休憩　10:30〜10:45
• 7ボウル型π共役系分子のレーザーアニーリングによる含窒素グラファイト様化合物の合成阪大院工¹，阪大院工カネカ協働研^{2 ○（D）}稲田雄飛¹，雨夜　徹¹，佐伯昭紀¹，大塚岳夫²，辻良太郎²，関　修平¹，平尾俊一¹
• 8(111)面におけるCVDを用いたダイヤモンドの選択成長東北大院理 ^○発地　暁，大倉佑介，遊佐　剛
• 9樟脳を用いた熱及びプラズマCVDによるグラフェン膜の作製とタイヨウデンチへの応用名工大¹，中部大^{2 ○（P）}Golap Kalita¹，脇田紘一²，梅野正義²，林　靖彦¹，種村眞幸¹
• 10窒素ガス中飛翔体衝突反応による炭素クラスターの合成静岡大理¹，JAXA宇宙研²，物材研^{3 ○}三重野哲¹，長谷川直²，黒澤耕介²，三石和貴³
• 11鉄フタロシアニンを用いたグラフェンへの窒素ドーピング東大院新領域 ^○山田寛人，小幡誠司，斉木幸一朗

13a-C1 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  Cu双晶表面における選択的グラフェンリボン成長産総研GNC¹，富士通研^{2 ○}林賢二郎¹，佐藤信太郎¹，池田　稔²，山田綾香¹，山口淳一¹，金田千穂子²，横山直樹¹
• 2透過電子顕微鏡による島状グラフェンのグレイン分析産総研GNC ^○山田綾香，林賢二郎，佐藤信太郎，横山直樹
• 3Cu(111)面上グラフェンCVD 成長の基板膜厚依存性東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2
• 4多結晶Ni表面における単層グラフェン核形成のその場観察東理大理¹，早大理工²，NTT物性基礎研^{3 ○}籾内雄太¹，山田一希¹，本間芳和¹，小田原玄樹²，大島忠平²，日比野浩樹³
• 5多結晶金属基板上での単結晶グラフェン成長のLEEM観察早大先進理工¹，NTT物性基礎研²，東理大理³，物材機構⁴，大阪電通大^{5 ○（DC）}小田原玄樹¹，日比野浩樹²，新畑智幸¹，大島忠平¹，本間芳和³，大谷茂樹⁴，鈴木雅彦⁵，安江常夫⁵，越川孝範⁵
• 6スピネル基板による双晶抑制FCC金属薄膜を用いたグラフェン成長パナソニック ^○能澤克弥，松川　望，吉井重雄
•  休憩　10:30〜10:45
• 7カーボン蒸着を用いたグラフェンの作製東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}大兼俊貴¹，加藤幹大¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 8ポリマーを炭素源とするCu基板上でのグラフェン成長横国大 ^○高見俊志，加瀬貴之，齊藤昂介，荻野俊郎
• 9単結晶微傾斜面におけるグラフェンナノリボンの形成理研 ^○南任真史，飛田　聡，石橋幸治
• 10Cu表面上でのC、C₂、C₂H₂の拡散の第一原理計算による解析富士通研¹，産総研GNC^{2 ○}池田　稔¹，金田千穂子¹，林賢二郎²，佐藤信太郎²，横山直樹²
• 11レーザ照射により位置制御されたグラフェンの絶縁基板への直接合成阪大産研 ^○越田啓介，茱萸健太，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
•  昼食　12:00〜13:30

13p-C1 - 1〜21

• 1デバイス応用に適したSiC(0001)表面上グラフェン成長条件の探索名大院工¹，JFCC²，名大エコ研^{3 ○}乗松　航^1,2，楠美智子^2,3
• 2MBE 法を用いた SiC ナノファセット表面へのグラフェンナノリボン成長機構九大院工¹，東大物性研²，東工大院総理工^{3 ○}梶原隆司¹，高木勝也¹，中森弓弦¹，田中　悟¹，吉澤俊介²，中辻　寛³，小森文夫²
• 3SiC上グラフェンの不均一成長メカニズム徳島大工 ^○（M1）奥村俊夫，田尾拓人，呉　龍錫，中島健志，永瀬雅夫
• 4層数制御された大面積SiC (000-1) C面上グラフェンの作製名大院工¹，名大エコ研²，JFCC^{3 ○（M1）}大原穂波¹，乗松　航^1,3，楠美智子^2,3
• 5DFTB/MDシミュレーションによるSiC表面分解グラフェンの成長機構解析名大院工¹，名大エコ研²，名大院理^{3 ○（M2）}小笠原徳之¹，乗松　航¹，楠美智子²，Irle Stephan³
• 6SiC上のCVDグラフェンの界面構造制御九大工院 ^○萩原好人，梶原隆司，田中　悟
• 7回転エピ成長3C-SiC(111)/Si(110)の厚膜化による高品質グラフェン・オン・シリコン形成東北大通研¹，JST/CREST^{2 ○}三本菅正太¹，阿部峻佑¹，半田浩之¹，齋藤英司¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2
• 8SiC(0001)面上第 0 層グラフェン成長初期過程とステップの役割NTT物性基礎研¹，徳島大工^{2 ○}影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫²
• 9SiC(0001)ステップにおける C 原子凝集過程の理論検討九大院工¹，九大応力研²，NTT物性研³，物材機構^{4 ○}井上仁人¹，寒川義裕^1,2，影島愽之³，若林克法⁴，柿本浩一^1,2
• 10Fe-LB膜におけるFeナノ粒子の粒径変化によるCNT本数密度制御千葉大院工¹，トヨタ自動車^{2 ○}奈良龍太¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 11垂直配向CNTの構造制御を目的とした,Feナノ粒子-SiO₂被膜から成るコアシェル触媒の合成千葉大院工¹，トヨタ自動車^{2 ○}川崎浩平¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 12Ni/Fe/Al積層触媒CNTの高密度化成長メカニズムの解析高知工科大¹，高知工科大ナノテク研^{2 ○}小路紘史¹，関家一樹¹，針谷　達¹，新田紀子²，古田　寛^1,2，八田章光^1,2
•  休憩　16:30〜16:45
• 13Growth enhancement of MWCNT by chlorine-assisted CVD静岡院工¹，静大電研²，静大工^{3 ○（D）}Crina Ghemes¹，Adrian Ghemes²，三村秀典²，中野貴之³，井上　翼³
• 14コバルトを触媒とするカーボンナノチューブ成長におけるナノ粒子の構造阪大産研¹，阪大院理^{2 ○}吉田秀人¹，小東勇亮²，竹田精治¹
• 15鉄内包カーボンナノチューブの成長形態制御三重大院工 ^○長田　篤，佐藤英樹，藤原裕司
• 16NiSi上へのカーボンナノチューブ成長産総研, GNC ^○中野美尚，高橋　真，周　　波，佐藤元伸，近藤大雄，佐藤信太郎，横山直樹
• 17多種金属内包カーボンナノチューブの成長機構解析名工大工¹，名大工²，デンマーク工科大^{3 ○}井藤貴文¹，林　靖彦¹，飯島　徹¹，稲垣裕大¹，徳永智春²，笠間丈史³，種村眞幸¹
• 18SiC表面分解法により形成した垂直配向カーボンナノチューブのNEXAFS測定名城大理工¹，名大エコ研²，KEK PF³，立命館大SRセンター^{4 ○}丸山隆浩¹，石黒祐樹¹，榊原悟史¹，成塚重弥¹，乗松　航²，楠美智子²，雨宮健太³，石井秀司⁴，太田俊明⁴
• 19高真空アルコールガスソース法によるPt触媒からのSWNT成長名城大理工¹，産総研^{2 ○}福岡直也¹，水谷芳裕¹，近藤弘基¹，Ghosh Ranajit¹，成塚重弥¹，丸山隆浩¹，飯島澄男^1,2
• 20Pt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT低温成長名城大理工¹，産総研^{2 ○}近藤弘基¹，福岡直也¹，水谷芳裕¹，Ghosh Ranajit¹，成塚重弥¹，丸山隆浩¹，飯島澄男^1,2
• 21成長ガス組成切り替えによるナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ高効率成長法の検討阪大院工 ^○藤本一輝，郡山翔二，根岸良太，小林慶裕

14a-C1 - 1〜11

• 1横方向グラフェンと縦方向高密度グラフェン構造[DVHG]産総研 GNC ^○川端章夫，村上　智，二瓶瑞久，横山直樹
• 2光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェン成長(13)：初期成長過程のCH₄濃度依存東北大¹，産総研^{2 ○}尾白佳大¹，小川修一¹，佐藤元伸²，二瓶瑞久²，高桑雄二¹，横山直樹²
• 3耐熱性Co-W触媒を用いた多層グラフェンCVD芝浦工大¹，LEAP^{2 ○}桑原　覚¹，馬場祥太郎¹，唐澤裕介¹，花井仁司¹，山崎雄一²，佐久間尚志²，梶田明宏²，酒井忠司²，上野和良¹
• 4多層金属構造を用いた無転写グラフェン合成阪大産研 ^○茱萸健太，藤井雄介，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 5アルコールＣＶＤ法によるグラフェンの成長 -アルコール導入時機の改善-名城大 ^○山内洋哉，鬼頭祐典，上拾石智也，鈴木　学，丸山隆浩，成塚重弥
•  休憩　10:15〜10:30
• 6アルコールCVD直接成長グラフェンのドメインサイズ拡大の試み静大電子研 ^○中村篤志，酒井千陽，天明二郎
• 7エチレンを用いたガスソースＭＢＥによるグラフェン成長 -エタノールに対する優位性-NTT物性基礎研 ^○前田文彦，日比野浩樹
• 8固相反応によるSiO₂基板上へのグラフェンの直接合成名工大院工 ^○平野　遼，松原　賢，Kalita Golap，林　靖彦，種村眞幸
• 9CVD法によるサファイア(11-20)面へのグラフェン成長横国大工 ^○斉藤昂介，飯田祐介，山崎憲慈，荻野俊郎
• 10スロットアンテナ型マイクロ波プラズマCVD法を用いたグラフェンのロール・トゥ・ロール合成産総研/ＴAＳＣ ^○山田貴壽，ジェホー キム，石原正統，長谷川雅考
• 11ロール・ツー・ロール方式による高品質単層グラフェンのCVD合成と転写ソニー先端マテ研 ^○小林俊之，坂東雅史，木村　望，清水圭輔，角野宏治，宮原和彦，梅津暢彦，早崎真治，永井さえ，水口由紀子，村上洋介，保原大介