15. 結晶工学

11p-PB2 - 1〜15

• 14H-SiC表面におけるペプチド自己組織化膜を用いたナノ微細加工名工大院¹，フジミインコーポレーテッド^{2 ○}川口優作¹，永利一幸²，江龍　修¹
• 2TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動名大院工¹，住金総研^{2 ○}楠　一彦^1,2，関　和明¹，原田俊太¹，亀井一人²，矢代将斉²，宇治原徹¹
• 3SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究物材機構¹，富士通研²，ASMS³，理研⁴，東大生研^{5 ○}奈良　純¹，山崎隆浩²，甲賀淳一朗³，宇田　毅³，黒田明義⁴，南　一生⁴，大野隆央^1,5
• 4堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製埼玉大院理工 ^○（M1）大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 5TEOS-CVD SiO₂/熱酸化SiO₂/Si MOSキャパシタにおける界面特性の熱処理効果筑波大院電物 ^○深澤辰哉，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 6紫外線照射による4H-SiC MOSデバイス特性劣化の波長依存性阪大院工¹，ローム^{2 ○}池口大輔¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村　孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹
• 74H-SiC(0001)面上熱酸化SiO₂膜の特異性の検証阪大院工¹，ローム^{2 ○}細井卓治¹，上西悠介¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村　孝²，志村考功¹，渡部平司¹
• 8硬X線光電子分光法によるSiO₂/4H-SiC構造の酸化膜中の炭素分布の推定東京都市大工 ^○岡田葉月，澤野憲太郎，野平博司
• 94H-SiC熱酸化膜へのプラズマ窒化処理の影響について九大シ情 ^○深山勝徳，池田晃裕，浅野種正
• 104H-SiCエピ膜の表面欠陥とゲート酸化膜信頼性FUPET¹，産総研^{2 ○}石山　修¹，山田敬一¹，下里　淳²，大島博典¹，先崎純寿^{1, 2}，松畑洋文^{1, 2}，北畠　真¹
• 11アルファ粒子を利用した低ドープn型4H-SiC中の欠陥準位の検出原子力機構¹，電中研^{2 ○（PC）}岩本直也¹，ブレット ジョンソン¹，大島　武¹，星乃紀博²，土田秀一²
• 12スパッタ薄膜成長による4H-SiC基板中の非発光再結合中心生成埼玉大院理工 ^○加藤寿悠，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 13ハロゲン系ガスにより熱エッチングされた炭化ケイ素の表面形状奈良先端大、物質 ^○畑山智亮，田村哲也，矢野裕司，冬木　隆
• 14厚い4H-SiCエピ膜中の転位のPLイメージングと発光特性電中研 ^○長野正裕，鎌田功穂，土田秀一
• 15As⁺イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価広大院先端研¹，広大ナノデバイス²，名大院工^{3 ○}村上秀樹¹，大田晃生¹，芦原龍平¹，雨宮嘉照²，田部井哲夫²，横山　新²，吉川公麿²，宮崎誠一³，東清一郎¹

12a-H7 - 1〜11

• 13C-SiCバルク結晶内における面欠陥の相互作用HOYA SiC事業開発セ ^○長澤弘幸，河原孝光，八木邦明，八田直記，池邊洋平
• 2PVTを用いたSiCバルク結晶成長における転位および多結晶分布の非定常数値解析九大応力研¹，産総研^{2 ○}高　　冰¹，中野　智¹，西澤伸一²，柿本浩一¹
• 3DPBフリー3C-SiCの溶液成長名大院工 ^○関　和明，原田俊太，宇治原徹
• 44H-SiC溶液成長の成長速度、表面形態の過飽和度依存性FUPET¹，AIST^{2 ○}小松直佳¹，三谷武志^1,2，高橋徹夫^1,2，岡村雅之²，加藤智久^1,2，奥村　元^1,2
• 54H-SiC溶液成長に対する電流効果FUPET¹，産総研^{2 ○}三谷武志^1,2，岡村雅之²，高橋徹夫^1,2，小松直佳¹，加藤智久^1,2，奥村　元^1,2
•  休憩　10:15〜10:30
• 64H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換名大工 ^○原田俊太，山本祐治，関　和明，堀尾篤史，三橋貴仁，宇治原徹
• 7SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響名大工 ^○Can Zhu，原田俊太，関　和明，新家寛正，宇治原徹
• 8炭化珪素薄膜の低温形成法(2)横国大院工 ^○津地雅希，羽深　等
• 9HW-CVD法による低抵抗p型4H-SiC厚膜の成長産業技術総合研究所¹，電力中央研究所^{2 ○（P）}紀　世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村　元¹
• 104H-SiC Si面微傾斜基板を用いたホモエピタキシャルウエハの大口径化FUPET¹，産総研^{2 ○}升本恵子^1,2，児島一聡^1,2，奥村　元^1,2
• 11150mmφSiCウエハへのエピ膜成長次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構¹，パナソニック²，ローム³，東芝⁴，産業技術総合研究所⁵，日立製作所^{6 ○}工藤千秋^1,2，田村謙太郎^1,3，西尾譲司^1,4，児島一聡^1,5，大野俊之^1,6
•  昼食　12:00〜13:15

12p-H7 - 1〜18

• 1リンの界面局在化が4H-SiC MOSデバイスの電気的特性に与える影響奈良先端大 ^○赤木　剛，矢野裕司，畑山智亮，冬木　隆
• 2KrFエキシマレーザーによる4H-SiCへのPのレーザー化学ドーピング九大シ情 ^○（M1）西　紘史，池田晃裕，池上　浩，浅野種正
• 3三フッ化塩素ガスによる炭化珪素結晶基板エッチング装置開発横国大院工¹，産総研^{2 ○}矢島大里¹，福元裕介¹，羽深　等¹，加藤智久²
• 4SiC表面炭化反応をプローブに用いた耐高温材料TaC部材効果の検証東洋炭素¹，関西学院大理工^{2 ○}鳥見　聡¹，野上　暁¹，金子忠昭²
• 5FT-IR測定による4H-SiC表面の極薄熱酸化膜の構造評価東大院工¹，JSTさきがけ² 平井悠久¹，^○喜多浩之^1,2
• 6空間変調型JTEを有する20 kV級SiC PiNダイオードの設計と作製京大院工 ^○梶　直樹，丹羽弘樹，須田　淳，木本恒暢
•  休憩　14:45〜15:00
• 7｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  4H-SiC p型バルク結晶およびp型エピ成長層の光伝導減衰特性の比較京大院工 ^○奥田貴史，三宅裕樹，木本恒暢，須田　淳
• 8三フッ化塩素ガスにより4H-SiC表面に形成されるエッチピット(3)横国大院工¹，産総研^{2 ○}福元裕介¹，羽深　等¹，加藤智久²
• 9SiCパワーモジュール向けPbフリー高温BiAgXダイアタッチメントFUPET研究センター¹，日産自動車²，サンケン電気³，富士電機^{4 ○}谷本　智^1,2，平間宣恵¹，渡辺衣世¹，谷澤秀和^1,3，松井康平^1,4，佐藤伸二^1,3
• 10ELとPLを組み合わせたLED効率成分の導出方法の検討名城大理工¹，El-seed^{2 ○}青山和樹¹，鈴木敦志²，北野　司²，上山　智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，赤崎　勇¹
• 114H-SiC/SiO2界面窒化処理による窒素ドーピングの定量筑波大数物¹，産総研^{2 ○}梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，佐久間由貴²，小杉亮治²
• 12キャリアライフタイム測定による4H-SiC表面に対する大気圧プラズマ加工の影響評価名工大¹，阪大^{2 ○}森　祐人¹，加藤正史¹，市村正也¹，佐野泰久²
• 134H-SiC ショットキーダイオードにおけるイオン誘起電荷の過剰収集原子力機構¹，徳島大院²，電中研^{3 ○}牧野高紘¹，出来真斗^1,2，岩本直也¹，小野田忍¹，星乃紀博³，土田秀一³，大島　武¹
• 14POCl₃アニール処理をした4H-SiC MOSFETのチャージポンピング測定奈良先端大 ^○大澤　愛，矢野裕司，畑山智亮，冬木　隆
•  休憩　17:00〜17:15
• 15SiCの水素生成応用における光電流とキャリアライフタイムの相関名工大¹，奈良先端大²，原子力機構^{3 ○}三宅景子¹，加藤正史¹，市村正也¹，畑山智亮²，大島　武³
• 164H-SiC/SiO₂界面におけるP_bC欠陥とその他の界面欠陥の電子スピン共鳴分光評価筑波大¹，産総研^{2 ○（M1）}佐藤嘉洋¹，梅田享英¹，岡本光央²，原田信介²，小杉亮治²
• 17電子線照射によるSiCの散乱機構の変化阪電通大¹，原子力研究開発機構^{2 ○（M2C）}村田耕司¹，松浦秀治¹，小野田忍²，大島　武²
• 18イオン照射したSiC-MOSキャパシタにおける絶縁破壊電界のLET依存性原子力機構¹，徳島大²，産総研^{3 ○}出来真斗^1,2，牧野高紘¹，岩本直也¹，小野田忍¹，富田卓朗²，橋本修一²，児島一聡³，大島　武¹