13. 半導体A（シリコン）

11a-F8 - 1〜12

• 1Si(110)2×16表面構造の局所電子構造3：ペンタゴン構造の位置物材機構¹，チャールス大²，ロンドン大³，東大物性研^{4 ○}三木一司¹，Setvín Martin^1,2，Bràzdovà Veronica³，Bowler David R.³，富松宏太⁴，中辻　寛⁴
• 2Si(211) 基板上へのBi ドーピング層成長物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 3Si(111)表面の自然酸化形態に関する考察筑波大 ^○（M1）土井修平，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 4ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}大田晃生¹，Siti Kudnie Sahari¹，池田弥央¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 5Impact of Si surface roughness on MOSFET performance　with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR plasma oxidation of HfN東工大 ^○韓　大ヒ，韓　ヒ成，大見俊一郎
• 6酢酸存在下のシリコン表面有機物分子吸着脱離挙動横国大院工 ^○桜井あゆみ，羽深　等
•  休憩　10:30〜10:45
• 7純水中の溶存酸素を活用したGe表面加工プロセス阪大院工 ^○村　敦史，河合佳枝，川瀬達也，川合健太郎，打越純一，森田瑞穂，有馬健太
• 8陽極酸化法を用いた電界集中を誘起する構造制御筑波大院数物 ^○宮本雄太，土井修平，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 9金属触媒を用いたシリコンの新規気相エッチング法阪大太陽エネ研セ ^○永田大地，杉田智彦，池田　茂，松村道雄
• 10レジストマスク微細加工プロセスへのプラズマレスガスエッチングの適用(2)ソニーセミコンダクタ¹，ソニー^{2 ○}奥山　敦¹，齋藤　卓¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 11太陽電池用シリコンウェーハの欠陥消滅型洗浄：表面汚染金属除去と少数キャリアライフタイムの増加阪大産研 ^○高橋昌男，喜村勝矢，柳生真依，小林　光
• 12枚葉式シリコンウエハ湿式洗浄機におけるSiO2エッチング速度計算横国大院工¹，プレテック² 大橋新太郎¹，^○羽深　等¹，木下哲男²