15. 結晶工学

11a-F3 - 1〜12

• 12次欠陥フリーになる融液シリコン結晶成長の最重要因子信越半導体¹，阪大^{2 ○}阿部孝夫¹，高橋　徹¹，白井光雲²
• 2Si結晶育成中の固液界面近傍におけるSi原子挙動に関する考察岡山県立大情報工 ^○神山栄治，末岡浩治
• 3単結晶Si育成中の点欠陥挙動に与える熱応力の影響岡山県立大情報工 ^○末岡浩治，神山栄治
• 4育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与える添加物の影響岡山県大情報工 ^○末岡浩治，神山栄治
• 5窒素雰囲気中高温長時間熱処理によりシリコン中に発生する析出物（II）富士電機¹，横国大工^{2 ○}中澤治雄¹，荻野正明¹，寺西秀明¹，高橋良和¹，羽深　等²
• 6半導体中のフォノンキック欠陥反応機構和歌山大シス工 ^○（M2）脇田昌紀，篠塚雄三
•  休憩　10:30〜10:45
• 7シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（３）極低炭素濃度結晶の照射と熱処理の定量的解析東京農工大工¹，トヨタ自動車²，東レリサーチ³，システムズエンジニアリング⁴，大阪府大⁵，熊本高専^{6 ○}井上直久¹，後藤安則²，関　洋文³，渡邉　香⁴，河村裕一⁵，大山英典⁶
• 8シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(4)as-grown結晶のO2i東京農工大工¹，システムズエンジニアリング²，東レリサーチ³，大阪府立大^{4 ○}井上直久¹，渡邉　香²，関　洋文³，河村裕一⁴
• 9Si結晶中のドーパント-点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算岡山県大院情報系工¹，岡山県大情報工^{2 ○}岩崎剛士¹，末岡浩治²
• 10陽電子マイクロビームと電子線誘起電流法(EBIC)による結晶欠陥の観察原子力機構先端研 ^○前川雅樹，河裾厚男
• 11pnダイオードの階段状逆方向電流-電圧特性の考察日立・日立研¹，日立・電機シ²，日立原町電子^{3 ○}村上　進¹，松吉　聡²，穀内　滋³，小林五月³，菅野　実³，中村　稔¹
• 12キャリア注入下における多結晶シリコン太陽電池中の鉄不純物静理大 ^○塚本美徳，吉田　豊