13. 半導体A（シリコン）

13a-F5 - 1〜11

• 1High-resolution near-surface depth profiling of carrier density in Si using HREELSAIST,Nanoelectronics Research Institute¹，AIST^{2 ○}Sungjin Park¹，Noriyuki Uchida¹，Hiroshi Arimoto¹，Tetsuya Tada¹，Toshihiko Kanayama²
• 2SSRMを用いた極浅接合の活性化不純物の深さ分布評価阪大極限センター¹，ルネサスエレクトロニクス^{2 ○}押　秀徳¹，牛込直弥¹，阿保　智¹，若家冨士男¹，岩松俊明²，尾田秀一²，高井幹夫¹
• 3Evaluation of Impurity Concentration Profiles in Si p-n Junctions with Multimode SPMUniv. of Tsukuba¹，AIST^{2 ○}Leonid Bolotov^1,2，Hiroshi Arimoto²，Koichi Fukuda²，Tetsuya Tada²，Toshihiko Kanayama²
• 4高濃度オゾンガスによりSi(100)上に形成したSiO₂薄膜の密度分布産総研計測標準 ^○東　康史，尾高憲二，黒河　明，藤本俊幸
• 5Si(100)基板上の複合面方位CeO₂層の形成いわき明星大科学技術 ^○井上知泰，信田重成
• 6硬X線光電子分光によるバイアス印加MOS界面の電子状態解析東大院工¹，東大放射光機構²，STARC³，高輝度光科学研究センター⁴ 篠原稔宏¹，^○豊田智史^1,2，堀場弘司^1,2，尾嶋正治^1,2，片山俊治³，助川孝江³，池永英司⁴
•  休憩　10:30〜10:45
• 7a-Si, SiNxパッシベーションにおける光劣化および熱回復北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}後藤太樹^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
• 8TaO_x/p-Ge(100)界面のエネルギーバンドアライメント評価とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}橋本邦明¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 9熱酸化における大気中へのシリコン放出筑波大 ^○長澤達彦，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 10低電子障壁TiN/Siコンタクトの形成とback-gate MOSFETへの応用九大・総理工¹，九大・産学セ²，学振特別研究員^{3 ○}朝川幸二朗¹，山本圭介^1,3，王　　冬¹，中島　寛²
• 11アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性広大院先端研 ^○花房宏明，酒池耕平，小林義崇，中村将悟，林　将平，村上秀樹，東清一郎
•  昼食　12:00〜13:30

13p-F5 - 1〜19

• 12MeVの電子線を照射したSi_0.75Ge_0.25 / Si ダイオードの歪み量評価中央電子工業¹，熊本高専²，堀場製作所³，imec⁴，宮崎大^{5 ○}中島敏之^1,5，米岡将士²，角田　功²，高倉健一郎²，中　庸行³，Eddy Simoen⁴，Cor Claeys⁴，吉野賢二⁵
• 2第一原理計算によるGe結晶中B欠陥XPSスペクトルの解析慶大理工¹，鳥取大工²，日立中研^{3 ○}山内　淳¹，吉本芳英²，諏訪雄二³
• 3EBSP法を用いたSiGe/Siメサ構造における異方性応力緩和評価明大理工¹，学振特別研究員DC²，産総研GNC^{3 ○}長坂将也¹，富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，臼田宏治³，手塚　勉³，小椋厚志¹
• 4ラマン分光法を用いたSi ナノ粒子の多結晶化過程の解析早大¹，帝人²，帝人知的財産センター^{3 ○}百瀬美穂^1,2，平坂雅男³，古川行夫¹
• 5ラマン分光法による超薄膜SOIフォノン閉じ込めの評価明大理工¹，学振研究DC²，東工大院理工³，慶應大理工^{4 ○}武井宗久^1,2，橋口裕樹¹，小瀬村大亮¹，内藤大明³，黒澤裕也^3,4，内田　建^3,4，小椋厚志¹
• 6FDTDによる電磁場解析とFEMによる応力解析を用いたラマンシミュレーションによるSiナノデバイスの局所応力解析産総研 ^○多田哲也，ウラジミール ポボロッチ，金山敏彦
• 7FDTDシミュレーションによる３次元構造のラマンスペクトル解析産総研¹，先端力学シミュレーション研究所^{2 ○}佐藤　章¹，Vladimir Poborchii¹，多田哲也¹，福田浩一¹，藤田和久²，金山敏彦¹，有本　宏¹
• 8SSOI微細構造における異方性応力緩和の膜厚依存性評価明大理工¹，産総研GNC²，学振特別研究員DC^{3 ○}シティノルヒダヤー チェモハマドユソフ¹，富田基裕^1,3，小瀬村大亮¹，臼田宏治²，手塚　勉²，小椋厚志¹
• 9有限要素法による微細構造歪SSOI層の応力緩和に対する膜厚依存性の評価明大理工¹，学振特別研究員DC²，産総研GNC^{3 ○}富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，臼田宏治³，手塚　勉³，小椋厚志¹
•  休憩　15:45〜16:00
• 10商用JFETの電子線損傷熊本高等専門学校¹，九大²，中央電子工業^{3 ○}崎山　晋¹，津曲大喜²，森内岬希¹，中島敏之³，角田　功¹，高倉健一郎¹
• 11Cを少量添加したSi MOSFETに与える電子線照射の影響熊本高等専門学校¹，中央電子工業²，imec^{3 ○}浅井勇輝¹，中島敏之²，米岡将士¹，角田　功¹，高倉健一郎¹，Eddy Simoen³，Claeys Col³
• 12AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットの帯電電荷分布計測名大院工¹，広大先端研^{2 ○（M1）}恒川直輝¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹
• 13液相PLA法によるSiナノ微粒子の作製と物性評価電通大 ^○（M2）船原一祥，Cheow-keong Choo，永井　豊，田中勝己
• 14導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出名大院工¹，広大院先端研²，日新電機^{3 ○}竹内大智¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹，可貴裕和³，林　　司³
• 15Si+イオン注入によるSiナノワイヤ中へのSiナノ結晶形成・制御物質・材料研究機構¹，筑波大院工^{2 ○}鈴木慶太郎^2,1，横野茂輝²，神永　淳^1,2，関口隆史¹，菱田俊一¹，村上浩一²，深田直樹^1,2
• 16パルスバイアス印加による一次元連結Si系量子ドットの電界発光評価名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}鈴木善久¹，牧原克典¹，高見弘貴¹，池田弥央²，宮崎誠一¹
• 17Siナノワイヤの結晶性回復と不純物の活性化物材機構¹，筑波大院工^{2 ○}神永　惇^1,2，鈴木慶太郎^1,2，菱田俊一¹，関口隆史^1,2，村上浩一²，深田直樹^1,2
• 18電圧パルス幅が一次元連結Si系量子ドット発光ダイオードのEL特性に及ぼす影響名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}高見弘貴¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹
• 19P,B同時ドープSiナノ結晶ソリッドの作製と発光特性(I)神戸大院工 ^○長谷川正高，杉本　泰，藤井　稔，今北健二，林　真至