13. 半導体A（シリコン）

11a-PB2 - 1〜14

• 1水中レーザーアニールによるプラスチック基板上多結晶シリコン膜形成奈良先端大¹，JST-CREST²，東洋紡績³，九大^{4 ○}町田絵美¹，堀田昌宏^{1, 2}，石河泰明^{1, 2}，浦岡行治^{1, 2}，奥山哲雄³，池上　浩⁴
• 2Improvement of solid phase crystallization of an Si film on a YSZ gate insulator with a bottom gate electrode北陸先端大 ^○Lien Mai，Kazuhide Mochizuki，Susumu Horita
• 3Ni-MILC成長に与えるNiのプレ成長拡散の効果九大シ情 ^○永田　翔，浅野種正
• 4ゲッタリングの視点から見た低温poly-Si TFTの水素化東北学院大工¹，島根大総合理工^{2 ○}鹿　裕将¹，別所拓郎²，北原邦紀²，原　明人¹
• 5Ge-ELO法向けエピタキシャルGe層の高品質化産総研¹，住友化学^{2 ○}前田辰郎¹，石井裕之¹，板谷太郎¹，服部浩之¹，三枝栄子¹，安田哲二¹，長田剛規²，山本武継²，青木健志²，高田朋幸²，秦　雅彦²
• 6ポリシラザンを用いた結晶シリコン表面パッシベーション東京高専 ^○榊原裕章，永吉　浩
• 7Si極浅接合プロファイリングのためのステップエッチング法の比較東工大総理工¹，東工大フロンティア研^{2 ○}寺山一真¹，神谷真行¹，武井優典¹，宮田陽平¹，筒井一生¹，角嶋邦之¹，アヘメト パールハット²，服部健雄²，岩井　洋²
• 8Siへのクラスターイオン注入VI - P拡散抑制におけるクラスターCの注入深さ依存性-日新イオン機器 ^○Hiroshi Onoda，中島良樹，濱本成顕，永山　勉
• 9Cat-CVD装置を用いたSiへのB原子のドーピング北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}太田立教^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
• 10Bドーパントの異常拡散の抑制への軟X線照射による効果兵庫県立大¹，兵庫県立大高度研²，琉球大^{3 ○}福岡琢人¹，部家　彰¹，松尾直人¹，春山雄一²，神田一浩²，野口　隆³
• 11ホウ酸水中でのn-Siへのレーザー照射によるpn接合の形成九大シス情 ^○池田晃裕，西　紘史，池上　浩，浅野種正
• 12ヘリウムと水素イオン照射シリコンp+nダイオードの比較研究住重試験検査¹，愛知工大^{2 ○}伊藤成志¹，坂根　仁¹，本田銀熙²，徳田　豊²
• 13Ge基板上にNiSi₂膜を形成したショットキーダイオードのエネルギー障壁値変調の検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}吉原　亮¹，田村雄太¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 14Pとカルコゲン(S, Se, Te)導入によるNiGe/Ge接合のショットキーバリアハイト変調産総研GNC ^○小池正浩，上牟田雄一，手塚　勉

11p-F5 - 1〜16

• 1C-V/I-V/DLTS評価用ショットキープローブの開発愛知工大¹，住重試験検査^{2 ○}本田銀熙¹，徳田　豊¹，伊藤成志²，坂根　仁²
• 2ナノスケールウェットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析京都工芸繊維大¹，WaferMasters^{2 ○（M2）}村井剛太¹，田川修治¹，奥谷真士¹，吉本昌広¹，Yoo Woo Sik²
• 3Si 結晶中のBi & Er 重畳δドーピング層のハイブリッドレーザアニール活性化2物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 4Si結晶中への多元素重畳δドーピング：多元素ドーパント源の形成物材機構 ^○三木一司，Owen James H.G.
• 5NiSi₂/Siショットキーダイオードにおける不純物導入位置が＼phi _Bnに与える影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}劉　璞誠¹，田村雄太¹，吉原　亮¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 6Hf混晶化PtSiの極薄膜化に関する検討東工大総理工 ^○吉村泰彦，大見俊一郎
• 7遷移金属内包Siクラスターを単位構造としたシリサイド半導体とSiとの接合特性筑波大院電子・物理工¹，産総研ナノエレ部門²，産総研^{3 ○}岡田直也^1,2，内田紀行²，金山敏彦^1,3
• 8表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価大阪市立大 ^○梁　剣波，宮崎達也，西田将太，森本雅史，福田常男，重川直輝
•  休憩　15:30〜15:45
• 9薄膜Al₂O₃/SiO₂ BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の作製産総研GNC¹，阪大院基礎工^{2 ○}守山佳彦^1,2，池田圭司¹，上牟田雄一¹，入沢寿史¹，小田　穣¹，中村芳明²，酒井　朗²，手塚　勉¹
• 10エピタキシャル成長p⁺-Ge_1-xSn_x/n-Ge接合の電気的特性名大院工 ^○朝羽俊介，横井　淳，Yunsheng Deng，田岡紀之，財満鎭明
• 11スパッタエピタキシャル成長n⁺-Ge膜によるAl/n-Ge接触抵抗の低減島根大総合理工 ^○松本章広，杉原圭祐，早瀬久貴，葉　文昌
• 12整流性TiN/p-Geコンタクトに於ける表面パッシベーションの重要性九大・総理工¹，九大・産学セ²，学振特別研究員^{3 ○}山本圭介^1,3，王　　冬¹，中島　寛²
• 13STEMを利用したTiN/Geコンタクト界面の微細構造解析九大総理工¹，九大総合理工学府²，学振特別研究員³，九大産学連携センター^{4 ○}光原昌寿¹，吹留佳祐²，西田　稔¹，山本圭介^2,3，中島　寛⁴
• 14As⁺イオン注入したGe(100)の光電子分光分析広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}小野貴寛¹，大田晃生¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 15オゾン酸化を用いたSiおよびGeのサブnmステップバイステップエッチング東工大総理工¹，東工大フロンティア研^{2 ○}武井優典¹，寺山一真¹，米澤宏昭¹，宮田陽平¹，筒井一生¹，角嶋邦之¹，ｱﾍﾒﾄ ﾊﾟｰﾙﾊｯﾄ²，服部健雄²，岩井　洋²
• 16３次元アトムプローブ法を用いた同位体ゲルマニウム多層膜界面における平坦性評価東北大金研¹，慶大理工²，UC Berkeley^{3 ○}清水康雄¹，高見澤悠¹，外山　健¹，河村踊子²，植松真司²，伊藤公平²，Haller Eugene E.³，永井康介¹

12a-F5 - 1〜11

• 1メゾプラズマCVDによるエピタキシャル成長の高速・高収率化東大工 ^○神原　淳，烏　蘇東，陳　豊文，吉田豊信
• 2圧電性結晶振動子を活用した高温CVDその場測定法横国大院工 ^○田中佑里恵，羽深　等
• 3大気圧VHFプラズマを用いたSiの高速成膜とその電気特性評価阪大院工 ^○平野　亮，對馬哲平，林　威成，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
• 4キャリアガス搬送シリコンパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成広大院　先端研 ^○赤澤宗樹，周　　袁，酒池耕平，林　将平，池田弥央，花房宏明，東清一郎
• 5ガラス基板上a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化におけるクラック発生と残留応力広大院先端研¹，琉大工^{2 ○}田中敬介¹，林　将平¹，藤田悠二¹，岡田竜弥²，東清一郎¹
• 6マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるスリットマスクを用いたSi結晶成長制御広大院先端研 ^○（M2）藤田悠二，林　将平，上倉敬弘，東清一郎
•  休憩　10:30〜10:45
• 7大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallization広大院先端研 ^○林　将平，藤田悠二，上倉敬弘，池田弥央，花房宏明，東清一郎
• 8大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜結晶化過程の直接観察広大院先端研 ^○（M1）上倉敬弘，林　将平，藤田悠二，赤澤宗樹，村上秀樹，東清一郎
• 9Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長名大院工¹，九大院シス情²，学振PD^{3 ○}黒澤昌志^1,3，田岡紀之¹，坂下満男¹，中塚　理¹，宮尾正信²，財満鎭明¹
• 10低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成名大院工¹，学振特別研究員² 竹内和歌奈¹，^○田岡紀之¹，黒澤昌志^1,2，福留誉司¹，坂下満男¹，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 11非晶質SiGe膜のレーザ結晶化と軟X線照射による膜厚依存性兵庫県立大院¹，兵庫県立大高度研²，九大^{3 ○}木野翔太¹，野々村勇希¹，部家　彰¹，松尾直人¹，天野　壮²，宮本修治²，神田一浩²，望月孝晏²，都甲　薫³，佐道泰造³，宮尾正信³
•  昼食　12:00〜13:30

12p-F5 - 1〜8

• 1ミニマルファブ構想産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合^{2 ○}原　史朗^1,2，前川　仁^1,2，池田伸一^1,2，ソマワン クンプアン^1,2
• 2局所クリーン化ミニマルリソグラフィーシステム産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合^{2 ○}Sommawan Khumpuang^1,2，梅山規男²，原　史朗^1,2
• 3ミニマル製造プロセスによるハーフインチSi基板上のリソグラフィー産総研¹，ミニマルファブ技術研究組合^{2 ○}梅山規男^1,2，Sommawan Khumpuang^1,2，原　史朗^1,2
• 4ハーフインチシリコンCVD成長プロセス横国大院工¹，産総研² 李　　寧¹，^○羽深　等¹，池田伸一²，原　史朗²
•  休憩　14:30〜14:45
• 5Si(001)基板上に形成した微細ホールパターンの不規則な形態変化富士電機¹，東大院工²，阪大産研^{3 ○}蛭田玲子¹，久保田雅則²，杉山正和²，須藤孝一³
• 6HF/HClウェット洗浄後のリンス処理がH₂アニールによるSi表面平坦化処理に与える影響京大 ^○森岡直也，須田　淳，木本恒暢
• 7ヘリウムイオン顕微鏡を用いて作製したタングステンピラーの微細構造および成長速度解析産総研¹，学振特別研究員^{2 ○（P）}小濱和之^1,2，飯島智彦¹，林田美咲¹，小川真一¹
• 8Comparative study of contact property of Cu and Ag electrode on c-Si solar cell東北大工 ^○金　政植，HoangTri Hai，安藤大輔，須藤祐司，小池淳一