14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

13p-F2 - 1〜9

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  相転移を利用したβ-FeSi₂ナノ結晶の作製と発光増強京大院エネルギー科学 ^○西村健太郎，中島孝仁，永澤良之，前田佳均
• 2赤外反射干渉解析によるβ-FeSi₂ナノ結晶の成長挙動の検討京大院エネルギー科学 ^○永澤良之，西村健太郎，前田佳均
• 3MOCVD法で合成したβ-FeSi₂薄膜のフォトルミネッセンス発光特性神奈川産技セ¹，東工大総理工^{2 ○}秋山賢輔¹，平林康男¹，舟窪　浩²
• 4β-FeSi₂/Si DH構造における直接遷移エネルギーとヘテロ界面との相関阪大院工 ^○寺井慶和，野田慶一，藤原康文
• 5Si(111)基板上へのGe添加β-FeSi₂エピタキシャル膜の作製阪大院工 ^○野田慶一，寺井慶和，藤原康文
• 6原子状水素援用MBE法によりエピタキシャル成長したβ-FeSi₂薄膜の評価筑波大院電物 ^○舟瀬芳人，鈴野光史，都甲　薫，末益　崇
• 7メサ構造のn型NC-FeSi₂/p型Siヘテロ接合フォトダイオードの作製九大院総理工 ^○岩崎竜平，船崎　優，Nathaporn Promros，山下恭平，吉武　剛
• 8Fe層とSi層の積層スパッタにより形成したFeSi₂の赤外吸収特性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}稲村太一¹，李　　蔚¹，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 9Fe₃Si/FeSi₂ CPP素子の形成と電流注入磁化反転九大総理工¹，久留米高専²，福工大工^{3 ○}野田裕太¹，堺研一郎²，津曲大喜¹，園田貴之¹，武田　薫³，吉武　剛¹

13p-PA10 - 1〜9

• 1第一原理計算を用いた電子励起による窒化ホウ素の構造相転移のシミュレーション阪大院基礎工物質創成 ^○（M2）西田　翔，舩島洋紀，中西章尊，佐藤和則，吉田　博
• 2アモルファス窒化炭素のバンド構造福井大工¹，福井大遠赤セ²，岡理大理³，津山高専⁴，龍谷大工^{5 ○}伊藤大輝¹，福井一俊¹，山本晃司²，亀友健太³，財部健一³，澤畠淳二⁴，中村重之⁴，伊藤國雄⁴，山本伸一⁵
• 3マグネトロンスパッタ法によるMg₂Si膜の作製と構造評価茨城大工 ^○竹崎誠朗，鵜殿治彦
• 4Ba₈Ga₁₆Ge₃₀クラスレートの光吸収測定茨城大¹，物材機構²，岐阜大³，東北大^{4 ○}小島崇平¹，中村　稔¹，鵜殿治彦¹，今井基晴²，久米徹二³，谷垣勝己⁴
• 5希ガス混合Si薄膜における酸素の低減化岐阜高専¹，豊田高専²，岐大工^{3 ○}奥村竜二¹，羽渕仁恵²，飯田民夫¹，大橋史隆³，伴　隆幸³，久米徹二³，野々村修一³
• 6角度分解X線光電子分光法によるGeにδドープしたSbの深さ方向分布東京都市大¹，東北大^{2 ○}渡邉将人¹，榑林　徹¹，星　裕介²，澤野憲太郎¹，白木靖寛¹，野平博司¹
• 7VとMnを共ドープしたLaNbO₄の溶融成長とその特性九工大院工¹，東北大金研²，物在機構³，トッパンフォームズ^{4 ○}近藤貞樹¹，原田珠里⁴，武田直也¹，下岡弘和¹，湯蓋邦夫²，宍戸統悦²，三留正則³，古曵重美¹
• 8層状酸化硫化物F/N-doped LaCuSOの合成と輸送特性慶大理工 ^○（M2）大草裕己，棚木麻衣，神原陽一，的場正憲
• 9古典ー量子クロスオーバー系における電子波束ダイナミクス東京理科大工¹，筑波大院数物²，筑波大計算セ³，CREST-JST^{4 ○}高田幸宏^1,4，塩川太郎²，尹　永択²，小鍋　哲^2,4，初貝安弘^2,4，白石賢二^2,3,4，山本貴博¹

14a-F2 - 1〜11

• 1Growth & electrical characterizations of B-doped p-BaSi2 layers on Si(111) by molecular beam epitaxyUniv. of Tsukuba¹，Tohoku Univ.²，JST-CREST^{3 ○}Khan Muhammad Ajmal¹，Koutaro Nakamura¹，Masakazu Baba¹，Weijie Du¹，Kaoru Toko¹，Shintaro Koike¹，Kosuke Hara O²，Noritaka Usami^2,3，Takashi Suemasu^1,3
• 2MBE法によるSi(111)上への大粒径BaSi₂エピタキシャル薄膜の作製筑波大院数物¹，産総研²，東北大³，JST-CREST^{4 ○}馬場正和¹，中村航太郎¹，Du Weijie¹，Khan Muhammad Ajmal¹，小池信太郎¹，都甲　薫¹，斎藤徳之²，吉澤徳子²，宇佐美徳隆^3,4，末益　崇^1,4
• 3BaSi₂エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価筑波大院　電子・物理工学専攻¹，東北大金研²，JST-CREST^{3 ○}中村航太郎¹，馬場正和¹，Khan M. Ajmal¹，Weijie Du¹，宇佐美徳隆²，原　康祐²，都甲　薫¹，末益　崇^1,3
• 4BaSi₂エピタキシャル薄膜へのPH₃注入及び高温アニール東北大金研¹，JST-CREST²，東京都市大³，筑波大院^{4 ○（PC）}原　康祐^1,2，星　裕介¹，宇佐美徳隆^1,2，白木靖寛³，中村航太郎⁴，都甲　薫⁴，末益　崇^2,4
• 5Si(001)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の分光感度特性評価筑波大院電子･物理¹，JST-CREST^{2 ○}小池信太郎¹，馬場正和¹，中村航太郎¹，Ajmal Khan M¹，Weijie Du¹，都甲　薫¹，末益　崇^1,2
• 6スパッタリング法による石英基板上へのBaSi₂膜の形成筑波大院電物¹，東ソー²，JST-CREST^{3 ○}米山貴裕¹，渋田見哲夫²，松丸慶太郎²，都甲　薫¹，末益　崇^1,3
• 7ガラス上BaSi2膜の高配向成長に向けたAl誘起成長Si層の平坦化筑波大¹，東北大²，JST-CREST^{3 ○}沼田諒平¹，馬場正和¹，都甲　薫¹，宇佐美徳隆^2,3，原　康祐²，末益　崇^1,3
• 8スパッタリング法によるMg2Si膜の配向制御とその評価東工大¹，神奈川県産業技術センター^{2 ○}片桐淳生¹，小川正太¹，秋山賢輔²，松島正明¹，舟窪　浩¹
• 9Mg₂Si熱発電素子のための粒成長のない焼結津山高専¹，岡山理科大理^{2 ○}中村重之¹，財部健一²，森　嘉久²
• 10Mg₂Si-Ca₂Si系のエネルギー論的考察産総研¹，岡山理科大理²，津山高専^{3 ○}今井庸二¹，森　嘉久²，中村重之³，財部健一²
• 11シリサイドナノ構造束の作製静大創造科技院¹，静大工² 李　　文¹，孟　二超¹，石川大輔²，中根海斗²，小田晋吾²，^○立岡浩一²
•  昼食　11:45〜13:00

14p-F2 - 1〜8

• 1半導体Siクラスレートの探索物材機構 ^○今井基晴
• 2Na-Si-Ge系化合物の合成と結晶構造解析および熱分解生成物東北大工 多元研 ^○（M2）門間健司，森戸春彦，山根久典
• 3超積層プロセスを利用したTiSi2の電流電圧特性東工大 ^○岡本真里，常石佳奈，陳　江寧，角嶋邦之，片岡好則，西山　彰，杉井信之，筒井一生，名取研二，服部健雄，岩井　洋，Ahmet Parhat
• 4積層構造TiC電極とダイヤモンドの接触抵抗東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}武正　敦¹，田中祐樹¹，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信行²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 5窒化炭素ナノ粒子の光電子収量分光岡山理科大¹，岡山大^{2 ○}亀友健太¹，河村幸代¹，寒川匡哉¹，財部健一¹，浜尾志乃²，後藤秀徳²，久保園芳博²
• 6Yb₂O₃、YbAGの磁気光学効果千歳科学技術大 ^○知花優太郎，高橋拓也，小山智丈，小田久哉，山中明生
• 7高温熱処理によるGa₂O₃結晶性向上熊本高等専門学校¹，中央電子工業²，エコマザー³，日本ガスケミ^{4 ○}石橋和也¹，合田稜平¹，工藤　淳¹，高原　基¹，中島敏之²，渋谷睦夫³，村上克也⁴，角田　功¹，高倉健一郎¹
• 8a-SiGe/SiGe粒界上偏析構造の第一原理計算茨城大 ^○圖師優磨，山田翔世，永野隆敏