15. 結晶工学

14a-J - 1〜11

• 1GaAs(001)表面上のN取り込みに対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○（M2）杉谷龍彦，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 2GaAs(001)表面におけるBi取り込みに対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○（M2）村瀬　功，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 3InAs/GaAs(001)-(n×3)ぬれ層表面構造に対する量子論的アプローチ三重大院工 ^○平井健太郎，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 4GaAs(110)表面上へのMn原子の取り込み阿南高専 ^○平山　基，塚本史郎
• 5Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列物質・材料研究機構¹，電通大^{2 ○}大竹晃浩¹，萩原　敦²，中村　淳²
•  休憩　10:15〜10:30
• 6窒素ドープSiCの構造多形に関する理論的検討三重大院工 ^○伊藤智徳，秋山　亨，中村浩次
• 7GaN_xAs_1-x-yBi_y混晶の混和性に関する理論的検討三重大院工 ^○牧原敬宏，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 8パルスレーザー堆積法によるサファイア薄膜の室温におけるホモエピタキシャル成長の制御東工大¹，神奈川県産技セ^{2 ○}塩尻大士¹，山内涼輔¹，譚ゴオン¹，金子　智^1,2，松田晃史¹，吉本　護¹
• 9Si(001)上のGaAs成長のその場X線回折兵庫県立大¹，宮崎大²，豊田工大³，原子力機構^{4 ○}仲田侑加¹，鈴木秀俊²，池田和磨³，Wen Hu⁴，神津美和¹，高橋正光^1,4，大下祥雄³
• 10低降温速度GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおけるマイクロチャネルパターンの検討による異常成長の解明名城大理工 ^○菱田武重，杉浦高志，高倉宏幸，冨田将史，神林大介，成塚重弥，丸山隆浩
• 11RFラジカル源を用いたGaN横方向成長におけるGa源としての金属GaおよびTMGの比較名城大 ^○岩月剛徳，加藤浩直，山本菜緒，白井優也，廣田雄二郎，伊覇広夢，内山翔太，鈴木洋平，林　家弘，丸山隆浩，成塚重弥