10. スピントロニクス・マグネティクス

11p-PA4 - 1〜9

• 1STMによる磁性半導体(Zn,Cr)Te電子状態の研究筑波大院数理物質 ^○金澤　研，吉田昭二，重川秀実，黒田眞司
• 2ZnO薄膜中のGaドナーに束縛された電子スピン緩和時間の計測筑波大物理¹，スタンレー電気^{2 ○}村上　瑛¹，冨本慎一¹，加藤裕幸²，佐野道宏²，松本貴裕²，舛本泰章¹
• 3(Ga,Mn)As薄膜の面内90度磁化スイッチの直接観測東工大・像情報 ^○酒徳遊也，Bassam アル‐カディ，西林一彦，宗片比呂夫
• 4エッチ深さによる(Ga,Mn)As磁気異方性の制御 II東大物性研 橋本義昭，中村壮智，家　泰弘，^○勝本信吾
• 5横方向電流によるInAs2次元電子系におけるアンドレーフ反射抑制効果東大物性研 高橋侑市，橋本義昭，尹　東河，中村壮智，家　泰弘，^○勝本信吾
• 6Ge(111)基板上に成長したGe_1-xMn_xにおける構造・磁性の関係とその強磁性の起源東大工院 ^○秋山了太，中根了昌，田中雅明
• 7高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の伝導キャリアに及ぼす影響大阪府大院・工 ^○奥山祥孝，宮田祐輔，藤村紀文
• 8磁場円偏光 PL による Ge 直接遷移端の Landau 準位観察東大院総合(駒場) ^○安武裕輔，林　周平，深津　晋
• 9Spin-pumping-induced spin transport in single layer graphene阪大基礎工¹，九大先導研^{2 ○}Zhenyao Tang¹，吾郷浩樹²，河原憲冶¹，仕幸英治¹，安藤裕一郎¹，新庄輝也¹，白石誠司¹

14a-H6 - 1〜11

• 1細線加工した(001)GaAs/AlGaAs量子井戸における動的核スピン分極東北大通研¹，筑波大学²，東北大WPI^{3 ○}石原　淳¹，大野裕三²，大野英男^1,3
• 2GaAs/AlGaAs(110)MQWマイクロポストにおける電子スピン緩和時間の評価奈良先端大物質 ^○（D）横田信英，常深義博，池田和浩，河口仁司
• 3顕微PL法を用いた電子スピン緩和時間測定におけるスピン拡散効果奈良先端大物質 ^○池田和浩，好井淳平，河口仁司
• 4In_0.8Ga_0.2As/AlAs_0.56Sb_0.44多重量子井戸の室温におけるスピン緩和の観測早大理工¹，産総研^{2 ○}石塚俊裕¹，浅香尚洋¹，牛頭信一郎²，物集照夫²，竹内　淳¹
• 5Ge基板上に格子整合したInGaAsのピコ秒スピン緩和の観測早大理工¹，SINANO-CAS^{2 ○}浅香尚洋¹，石塚俊裕¹，牛見健則¹，Lu Shulong²，Dong Jianrong²，竹内　淳¹
• 6Spin relaxation and optical spin injection in InGaAs/GaAs quantum dots北大院情報科学¹，リンショーピン大^{2 ○}楊　暁傑¹，木場隆之¹，Agus Subagyo¹，末岡和久¹，Irina Buyanova²，Weimin Chen²，村山明宏¹
•  休憩　10:30〜10:45
• 7GaAs/ZnMnSe結合量子井戸における電子スピン注入ダイナミクス北大院情報科学¹，Ioffe Inst.^{2 ○（M2）}久野祐希¹，佐々木義¹，木場隆之¹，Alexey Toropov²，Sergey Ivanov²，村山明宏¹
• 8InGaAs量子ポイントコンタクトにおける0.5(2e²/h)プラトーのソース-ドレイン電圧依存性東北大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 9InGaAsリング配列を用いたスピン干渉効果における面内磁場の異方的影響東北大¹，JST-さきがけ^{2 ○}シリモン タンティアモーンポン¹，長澤郁弥¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 10非局所四端子配置を用いたCo₂MnSi/CoFe/n-GaAsショットキー トンネル接合におけるoblique Hanle信号の過渡特性北大 ^○（M2）単　津海，秋保貴史，松田健一，山本眞史，植村哲也
• 11強磁性金属ナノ粒子の磁気光学効果の評価農工大工¹，東北大金研^{2 ○}貝原輝則¹，水口将輝²，高梨弘毅²，清水大雅¹
•  昼食　12:00〜12:45

14p-H6 - 1〜9

• 1希薄磁性半導体(Zn,Fe)Te薄膜のMBE成長と磁気特性筑波大院¹，物質・材料研究機構^{2 ○}石塚智史¹，石川弘一郎¹，金澤　研¹，黒田眞司¹，三留正則²，坂東義雄²
• 2GaMnAsの異方性磁気抵抗の膜厚依存性東工大・理工 ^○野崎大樹，堀井達哉，加来　滋，吉野淳二
• 3GaMnAsにおける強磁性出現に伴うフェルミ準位の異常な振舞い東大院工 ^○（D）宗田伊理也，寺田　博，大矢　忍，田中雅明
• 4強磁性半導体(In,Fe)As超薄膜ヘテロ構造における量子サイズ効果東大院工 ^○Duc Anh Le，Nam Hai Pham，田中雅明
• 5Ge(111)基板上に成長したGe1-xMnxにおける構造と磁性: Mn濃度依存性東大工 ^○秋山了太，中根了昌，田中雅明
• 6BoronドープIV族強磁性半導体Ge_1-x Fe_xの伝導と磁性東大工 ^○伴　芳祐，秋山了太，中根了昌，田中雅明
• 7有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御大阪府立大院工 ^○宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村　武，藤村紀文
• 8室温強磁性半導体(Ti,Co)O₂の磁区構造の観測東大院理¹，KAST^{2 ○（M2）}井上　俊¹，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 9Ｐ型シリコンにおける大きな磁気抵抗効果阪大基礎工 ^○マイケル デルモ，仕幸英治，新庄輝也，白石誠司