6. 薄膜・表面

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• 1(001)微斜面基板上の高濃度燐ドープダイヤモンドのMWPCVD成長における基板温度の適正化阪大院工 ^○多田周平，毎田　修，伊藤利道
• 2ダイヤモンドIIa基板のdislocation評価産総研ダイヤラボ¹，産総研エレクトロニクス^{2 ○}加藤有香子¹，梅沢　仁¹，山口博隆²，鹿田真一¹
• 3球型共振器構造のマイクロ波プラズマCVDを用いたダイヤモンド膜の作製早大¹，アリオス^{2 ○（B）}坪井秀俊¹，栗原槙一郎¹，野村　亮¹，鹿又龍介¹，宇都宮大起¹，有屋田修²，平岩　篤¹，川原田洋¹
• 4ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド(111)自立基板の作製金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)³，アリオス^{4 ○}徳田規夫^1,2,3，下村浩司⁴，有屋田修⁴，加藤宙光^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 5ラマン分光及びカソードルミネッセンスによる横方向成長ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの断面評価青学大院¹，トウプラスエンジニアリング²，物質・材料研究機構^{3 ○}鷲山　瞬¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 6エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価III青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}市川公善¹，児玉英之¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹
• 7窒素ラジカルビームを用いたダイヤモンド表面の窒素終端化早大 ^○宇都宮大起，鹿又龍介，佐藤隼介，栗原槙一郎，小林拓磨，坪井秀俊，平岩　篤，川原田洋
• 8ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィーIII金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)^{3 ○（M1）}神谷昇吾¹，福井　真¹，徳田規夫^1,2,3，牧野俊晴^2,3，竹内大輔^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 9原子的平坦(111)ダイヤモンドのグラファイト化を用いたグラフェン・オン・ダイヤモンドの形成金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST（JST）³，材料科学技術振興財団^{4 ○}福井　真¹，徳田規夫^1,2,3，小島健太郎⁴，小松佳奈子⁴，船津国博⁴，牧野俊晴^2,3，竹内大輔^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 10ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価阪大院工 ^○森玲央奈，伊藤利道，毎田　修
• 11ボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気化学特性評価青山学院大¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}児玉英之¹，鈴木一博²，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 12ラテラル成長を用いたホウ素δドープ(111)ダイヤモンド構造の形成金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)^{3 ○}徳田規夫^1,2,3，小倉政彦^2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 13高濃度ホウ素ドープCVDダイヤモンド単結晶薄膜における水素プラズマエッチング効果阪大院工 ^○九鬼知博，毎田　修，伊藤利道
• 14低キャリア濃度で高Tcを示すホウ素ドープ超伝導ダイヤダイヤモンド膜の作製岡山大院自然¹，JST-CREST²，JASRI/SPring-8^{3 ○}村岡祐治^1,2，土居智彰¹，平松千明¹，脇田高徳¹，平井正明¹，横谷尚睦^1,2，室隆桂之³，為則雄祐³
• 15(001)微斜面基板上の燐ドープCVDダイヤモンド薄膜におけるホモエピタキシャル成長プロセスの適正化阪大院工 ^○西尾晴樹，毎田　修，伊藤利道
• 16燐ドープn型へテロエピ・ダイヤモンド(001)表面エネルギーバンドダイヤグラム青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物質・材料研究機構³，東北大多元研^{4 ○}河野省三¹，野原拓也¹，阿部　諭¹，児玉英之¹，鈴木一博²，小泉　聡³，虻川匡司⁴，澤邊厚仁¹
• 17単結晶n型ダイヤモンドにおけるオーミック接触の電気的特性筑波大¹，産総研²，CREST^{3 ○（D）}松本　翼^1,2,3，加藤宙光^2,3，大串秀世^2,3，山崎　聡^1,2,3
• 18縦型酸素終端ダイヤモンドMOSダイオードの絶縁特性金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，CREST(JST)^{3 ○}井上晃宏¹，徳田規夫^1,2,3，山崎　聡^2,3，猪熊孝夫¹
• 19コンダクタンス法を用いたダイヤモンドの界面準位評価早大 ^○大長　央，佐藤隼介，小林拓磨，今橋大樹，平岩　篤，川原田洋
• 20同位体濃縮したダイヤモンド薄膜の化学気相合成物材機構¹，筑波大^{2 ○}寺地徳之¹，小泉　聡¹，寥　梅勇¹，磯谷順一²
• 21炭化タングステン/p 型ダイヤモンドショットキーダイオードの漏れ電流特性物材機構 ^○寺地徳之，小出康夫
• 22選択成長を用いた縦型ダイヤモンドSBD作製法の検討(II)産総研 ^○永瀬成範，渡部勝巳，梅澤　仁，鹿田真一
• 23縦型ダイヤモンドSBDの縁辺終端による電界緩和効果産総研ダイヤラボ ^○梅沢　仁，永瀬成範，加藤有香子，鹿田真一
• 24ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの高耐圧化のためのデバイスデザイン産総研エネ部門¹，CREST/JST²，金沢大³，筑波大⁴，日産自動車総研^{5 ○}牧野俊晴^1,2，加藤宙光^1,2，徳田規夫^1,2,3，竹内大輔^1,2，小倉政彦^1,2，小山和博^1,2,4，松本　翼^1,2,4，谷本　智⁵，大串秀世^1,2，山崎　聡^1,2,4
• 25CVDダイヤモンドを用いたパワートランジスタの作製阪大院工 ^○浮田昂史，毎田　修，伊藤利通
• 26ダイヤモンドpn接合陰極の動作特性物材機構 ^○小泉　聡
• 27高濃度Pドープ層を最上層としたダイヤモンドp-i-n接合ダイオードからの電子放出(2)産総研エネ¹，CREST-JST²，筑波大^{3 ○}竹内大輔^1,2，牧野俊晴^1,2，加藤宙光^1,2，大串秀世^1,2，山崎　聡^1,2,3
• 28高性能単結晶ダイヤモンド・ナノマシンスイッチ物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，菱田俊一，井村将隆，小泉　聡，小出康夫
• 29単結晶CVDダイヤモンドを用いた位置敏感検出器の作製と評価阪大院工 ^○勝本健太，毎田　修，伊藤利道
• 30AlN/Diamondヘテロ接合型ダイヤモンド電界効果トランジスタ物材機構¹，名大^{2 ○}井村将隆¹，早川竜馬¹，大里啓孝¹，渡辺英一郎¹，津谷大樹¹，廖　梅勇¹，小出康夫¹，天野　浩²
• 31水素終端ダイヤモンド表面のNO₂吸着による正孔濃度極限値の測定NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，佐藤寿志
• 32走査型プローブ顕微鏡を用いた単結晶CVDダイヤモンド薄膜の大気下における電気的特性評価阪大院工 ^○大島　光，市川喬啓，毎田　修，伊藤利道

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• 1COP上に堆積したDLC膜の濡れ性評価電機大院工¹，早大院理工²，半一³，物材研^{4 ○}村田智史¹，伊藤　慎²，水野　潤²，平栗健二¹，坂本仁志³，佐藤慶介¹，深田直樹⁴，庄子習一²
• 2化学修飾法によるナノダイヤモンド粒子MRI造影剤の作製産総研¹，慶大院理工²，東邦大医^{3 ○}中村挙子¹，大花継頼¹，薮野　元²，笠井ルミ子³，鈴木哲也²，長谷部光泉^2,3
• 3極薄DLCディスク保護膜の最表面構造に関する考察日立横研 ^○稲葉　宏，松村　徹
• 4水素化ＤＬＣ膜に対する軟Ｘ線照射効果兵庫県立大高度研¹，神戸大工^{2 ○}神田一浩¹，藤本昌宏¹，新部正人¹，松井真二¹，横田久美子²，田川雅人²
• 5低速電子線照射により極低温合成したカーボン膜のESRによる構造欠陥評価山梨大クリーン研¹，山梨大クリスタル研^{2 ○（M1）}小林直樹¹，山田竜太郎¹，年森隆明¹，森田直樹¹，佐藤哲也¹，有元圭介²，山中淳二²，中川清和²
• 6アモルファス窒化炭素薄膜のバンドギャップの基板温度依存性防衛大¹，国際基督教大^{2 ○}田村尚之¹，青野祐美¹，岩崎千尋¹，北沢信章¹，渡邉芳久¹，増澤智昭²，岡野　健²
• 7アモルファス窒化炭素薄膜における光電気伝導の成膜温度依存性防衛大 ^○岩崎千尋，青野祐美，田村尚之，北沢伸章，渡邉芳久
• 8光電子制御プラズマCVDによるDLC合成東北大多元研¹，東北大通研^{2 ○}楊　　猛¹，小川修一¹，鷹林　将²，末光哲也²，尾辻泰一²，高桑雄二¹
• 9スーパーマグネトロンスパッタによるa-CNx:H膜の作製静大電子研 ^○木下治久，大野元嗣，久保田将也
• 10CVD法を用いた窒素含有アモルファスカーボン薄膜の作製東工大応セラ研 ^○森　琢麻，井上泰徳，北野政明，中島清隆，原　亨和
• 11Arのマイクロ波放電フローによるC₂H₂の分解過程長岡技科大工 ^○津留紘樹，山元愛弓，甲把理恵，伊藤治彦
• 12希ガスのECRプラズマを用いたCH₃CNの分解過程長岡技科大工 ^○鬼束さおり，越村克明，伊藤治彦
• 13Arの放電フローによるBrCNおよびCH₃CNの分解：a-CN_x(:H)膜の前駆体長岡技術大工 ^○山元愛弓，新木一志，和田　晃，伊藤治彦
• 14BrCNのマイクロ波放電分解によるa-CN_x薄膜の形成長岡技科大工 ^○岡田亘太郎，赤坂大樹，齋藤秀俊，伊藤治彦
• 15高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CN_x薄膜の形成長岡技術大工 ^○津田哲平，岡田亘太郎，赤坂大樹，斎藤秀俊，伊藤治彦
• 16Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの解離励起反応解析長岡技大工 ^○甲把理恵，山元愛弓，津留紘樹，伊藤治彦
• 17Arのマイクロ波放電フロー中でのテトラメチルシランの分解を用いた硬質a-SiC_x膜の形成長岡技科大工 ^○熊倉基起，伊藤治彦
• 18溶液中におけるa-C:H薄膜へのヨウ素ドーピング（II）琉球大工 ^○（M2）中橋崇紘，山里将朗，比嘉　晃
• 19炭素イオンを入射させた貴金属表面のSTM観察京大院工 ^○黒川　修，歳森悠人，森　健太，酒井　明
• 20パルスバイアスプラズマを用いて作製したDLC膜の特性金沢工大 高材研 ^○東本充司，立花裕也，池永訓昭，作道訓之
• 21pH変化によるアモルファス水素化炭素膜表面のγ-グロブリン吸着層厚さの制御長岡技術科学大 ^○竹田　葵，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊
• 22表面プラズモン共鳴現象を利用したアモルファス弗化炭素膜の耐酸性評価長岡技科大 ^○佐々木康志，竹田　葵，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊
• 23分光測色計を用いたダイヤモンド状炭素膜の色の評価長岡技大¹，堀場製作所²，兵庫県大^{3 ○}水口和也¹，桜井正行²，神田一浩³，赤坂大樹¹，大塩茂夫¹，齋藤秀俊¹
• 24アモルファス重水素化炭素系膜の作製と評価長岡技大 ^○赤坂大樹，鈴木常生，大塩茂夫，齋藤秀俊
• 25塗布を用いたグラファイト薄膜の作製東理大理 ^○（M1）大兼俊貴，池上景一，原子　進，趙　新為
• 26反応性高周波プラズママグネトロンスパッタリング法によって製膜された重水素添加アモルファスカーボンの光学的,構造的特性筑波大数理 ^○（M1）岡田匡人，竹本直嗣，関場大一郎，櫻井岳暁，秋本克洋
• 27イオンビーム分析によるa-C:Hへの水素取り込み過程の研究筑波大数理¹，筑波大加セ^{2 ○}竹本直嗣¹，関場大一郎^1,2，石井　聡²，岡田匡人¹，櫻井岳暁¹，秋本克洋¹
• 28プラズマCVD法によるSiおよびN添加DLC膜特性への希釈ガスの効果弘前大院理工 ^○奥野さおり，三浦創史，鎌田亮輔，中澤日出樹
• 29レーザーアブレーション法によるBCN薄膜の特性評価弘前大 ^○毛内裕介，遅澤遼一，中澤日出樹
• 30PBII&Dで作製したSi含有DLC膜の熱処理による膜構造の変化金沢工大ものづくり研究所¹，金沢工大^{2 ○}池永訓昭¹，東本充司²，立花裕也²，作道訓之²
• 31マイクロ波による超高速DLC成膜に及ぼす基板電流の影響名大院工機械 岡本隆志，^○上坂裕之，梅原徳次
• 32液相中で堆積した窒化炭素膜の電気的特性の評価 [III]東海大開発工¹，東海大産業工²，東海大情報理工^{3 ○}東　幹晃¹，清田英夫²，黒須楯生³，千葉雅史¹