6. 薄膜・表面

30p-P14 - 1〜35

• 1低速準安定ヘリウム原子線のパルス化物質材料研究機構 ^○山内　泰，倉橋光紀，鈴木　拓
• 2MgO(111)およびMgO(100)表面のCO₂吸着特性東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，JSTさきがけ^{3 ○}藤橋忠弘¹，戸田喜丈²，細野秀雄^1,2，須崎友文^1,3
• 3アルミナ-金属界面結合の定量的予測式物質・材料研究機構 ^○吉武道子，Slavomir Nemsak，柳生進二郎，知京豊裕
• 4スクラッチ加工によるサファイア(1-102)表面の櫛形ナノ構造形成横国大 ^○田口俊輔，小紫大希，荻野俊郎
• 5α-Al₂O₃(0001)表面の構造相転移に与えるステップ構造の影響横浜市立大¹，並木精密宝石^{2 ○（M1）}杉山卓嘉¹，小山浩司²，戸坂亜希¹，重田諭吉¹
• 6H₂O/Fe₂O₃界面構造のDFT計算富山大情セ¹，富山大院理工^{2 ○}布村紀男¹，砂田　聡²
• 7第一原理電子状態計算を用いた(La, Sr)FeO_2.75表面におけるNO分子吸着阪大基工 ^○（PC）木崎栄年，草部浩一
• 8Cu，Ni，Co，Fe表面におけるNO分子の吸着に関する理論的解析阪大院工 ^○岸　浩史，Allan Padama，中西　寛，笠井秀明
• 9Cu原子膜上におけるNO解離反応過程のシミュレーション阪大基礎工 ^○草部浩一，木崎栄年，野上惣一朗
• 10Ne・H₂O・CH₄の混合凝縮層における光化学反応学習院大 ^○武隈真一，松本大吾，田村麗美，三浦　崇，荒川一郎
• 11LEEMを用いたAu/Ni(111)における成長方位の温度依存性の観察大阪電通大エレ研¹，大阪府立大^{2 ○}橋本道廣¹，梅澤憲司²，安江常夫¹，越川孝範¹
• 12Si(100)表面における熱酸化薄膜成長に伴う密度の不連続変化産総研 ^○尾高憲二，黒河　明，東　康史，張ルウルウ，藤本俊幸
• 13超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析横国大工¹，原子力機構²，産総研^{3 ○}大野真也¹，井上　慧¹，百瀬辰哉¹，兼村瑠威¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，尾形祥一¹，安田哲二³，田中正俊¹
• 14共鳴核反応法による格子不整合Sr/H-Si(111)における水素単原子層界面の測定原子力機構¹，エイコー^{2 ○}山崎竜也^1,2，山本春也¹，朝岡秀人¹，田口富嗣¹，社本真一¹
• 15高温アニールによるシリコン表面ドーパント分布変化とホールサブバンドへの影響奈良先端大　物質創成¹，半導体理工学センター^{2 ○}坂田智裕¹，武田さくら¹，イダユ ヌル¹，田畑弘貴¹，松岡弘憲¹，森田　誠¹，手塚　勉²，片山俊治²，吉丸正樹²，大門　寛¹
• 16Si(111)7×7上へのAlマジッククラスター形成過程物材機構¹，筑波大²，台湾科学院³，中国科学院^{4 ○}三木一司^1,2，H. J. Liu^1,2，Jyh-Pin Chou³，Run-Wei Li⁴，Ching-Ming Wei³
• 17シリサイド薄膜の光電子分光による研究ダルムシュタット工科大¹，富士通研究所^{2 ○}Robert Schafranek^1,2，John Baniecki²，石井雅俊²，阿曽広之²，山中一典²，栗原和明²
• 18Si/GeSn量子ドット/Si構造における1.5μm帯電流注入発光阪大院基礎工¹，PREST-JST²，東大院工^{3 ○}中村芳明^1,2，藤ノ木紀仁³，市川昌和³
• 19極薄Si酸化膜を用いてナノ界面制御したSi基板上超高密度鉄酸化物ナノドットの形成阪大院基礎工¹，PRESTO-JST² 浜中啓伸¹，^○中村芳明^1,2，杉元亮太¹，吉川　純¹，酒井　朗¹
• 20低・高速電子回折装置の開発とそれによるナノクラスタの形態評価大同大工 ^○堀尾吉已
• 21酸素分子の並進運動エネルギーの増加に伴うGe(001)-2×1室温酸化の促進原子力機構 ^○吉越章隆，寺岡有殿
• 22Li@C₆₀単分子層の電子状態計測筑波大数物¹，イデアルスター^{2 ○}田中　健¹，山田洋一¹，佐々木正洋¹，才田守彦²，横尾邦義²，表　研次²，笠間泰彦²
• 23He原子線散乱によるCu(111)上の電子ドープされたC₆₀単分子層上での水素吸着脱離の実時間計測筑波大数物 ^○渡邉研人，佐竹勇樹，山田洋一，佐々木正洋
• 24カーボン系薄膜の機械的特性と摺動耐久性の関係足利工大¹，早大ナノテク研^{2 ○}塚本雄二¹，齋藤美紀子²
• 25高圧ガス導入時における多孔質炭素材料の構造評価長岡技大（院）¹，ヒューズ・テクノネット²，都城高専^{3 ○}土屋貴晃¹，戸田育民¹，渡辺拓寛¹，山田拓実¹，吉岡久志¹，大塩茂夫¹，田中宏枝¹，赤坂大樹¹，大木智史²，田中好久²，高田不二雄²，姫野修司¹，國府俊則³，齋藤秀俊¹
• 26真空中熱処理によるダイヤモンド(111)表面の化学結合状態変化の温度依存東北大¹，産総研²，秋田高専³，原研^{4 ○}小川修一¹，山田貴壽²，石塚眞治³，吉越章隆⁴，加賀利瑛¹，穂積英彬¹，長谷川雅考²，寺岡有殿⁴，高桑雄二¹
• 27様々な電極材料におけるチオール・カルボン酸の修飾特性物材機構 ^○柳生進二郎，吉武道子，知京豊裕
• 28ルブレン単結晶表面における二次元液体層の熱力学的安定性阪大産研¹，阪大院理^{2 ○}須藤孝一¹，高城大輔²，植村隆文¹，三輪一元¹，竹谷純一¹
• 29スプレー法を用いてPoly[[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3- benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]. (PCDTBT)/ [6,6]-phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM )で作製した有機薄膜太陽電池の性能評価愛知工大 ^○村上善則，小嶋憲三，水谷照吉，落合鎮康
• 30磁壁移動型メモリ材料 Co/Ni積層膜の垂直磁化過程-超高輝度・高スピン偏極LEEMによる観察-大阪電通大¹，アリゾナ州立大^{2 ○}鈴木雅彦¹，安江常夫¹，越川孝範¹，Ernst Bauer²
• 31Co/Ni薄膜の磁区構造と基板・非磁性レイヤの影響-超高輝度・高スピン偏極LEEMによる観察-大阪電通大¹，アリゾナ州立大^{2 ○}鈴木雅彦¹，安江常夫¹，越川孝範¹，Ernst Bauer²
• 32金属表面での磁気電気結合：電界による鉄ナノ磁石制御千葉大院融合¹，KIT物理²，MPIハレ³，マーティンルター大^{4 ○}山田豊和¹，L. ゲルハルド²，山岸祐平¹，A. エルンスト³，I. メアティッヒ^3,4，W. ウルフヘケル²
• 33GaN(0001)表面上へのFe薄膜の成長とその磁気特性阪大産研 市原寛也，別府亜由美，米岡　賢，山口明哲，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 34GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜形成とその磁気特性阪大産研 米岡　賢，市原寛也，別府亜由美，山口明哲，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 35各種基板/イットリウムの界面評価阪大産研¹，埼玉大^{2 ○}北島　彰¹，樋口宏二¹，Cong Que Dinh¹，大島明博¹，長谷川繁彦¹，酒井政道²