半導体分野将来基金表彰 受賞者

所属は受賞時のものです

受賞年受賞者
第1回
(2023年度)
業績賞 齋藤 和之 氏 (会津大学名誉教授) LDD (Lightly Doped Drain) 構造MOSFETの先駆的提案とその有用性の実証
藤平 龍彦 氏 (富士電機) スーパージャンクション理論の提唱とそれに基づく高性能シリコンパワー半導体デバイスの実現
若手奨励賞a 隅田 圭 氏 (ソニーセミコンダクタソリューションズ) FETの移動度を律速する表面ラフネス散乱に対する定量的モデルの構築
若手奨励賞b 野沢 公暉 氏 (筑波大学) 不純物ドーピングにより固相成長過程を制御した大粒径n型多結晶ゲルマニウム薄膜の実現
高専活性化奨励賞 清原 修二 氏 (舞鶴高専)