第3回
（2025年度） |
業績賞 |
極薄SiO2膜を持つ不揮発性メモリ実用化チーム：南 眞一 氏，神垣 良昭 氏，萩原 隆旦 氏
（日立製作所）
極薄シリコン酸化膜形成技術の研究開発および不揮発性メモリ技術の量産化への貢献
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北川 光彦 氏
（東芝）
IGBT の高耐圧化・低損失化を両立するエミッタ構造の新提案および実証，それに基づく大電力パワーデバイス事業への顕著な貢献
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| 高専活性化奨励賞 |
角田 功 氏
（熊本高等専門学校）
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| 若手奨励賞a |
髙橋 崇典 氏
（奈良先端科学技術大学院大学）
酸化物半導体の次世代集積化デバイスへの展開
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| 若手奨励賞b |
野須 涼太 氏
（島根大学）
ガラス上スパッタSi膜の単結晶帯成長の実現と高移動度Si-MOSFETの実証
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第2回
（2024年度） |
業績賞 |
服部 健雄 氏
（東京都市大学名誉教授、応用物理学会功労会員）
高精度光電子分光法によるSi/SiO2界面構造の解明と関連分科会・研究会創設への貢献
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| 高専活性化奨励賞 |
多田 和広 氏
（富山高等専門学校）
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| 若手奨励賞a |
女屋 崇 氏
（東京大学）
原子層堆積法を用いたHfO2系強誘電体薄膜の結晶構造制御
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| 若手奨励賞b |
堤 将之 氏
（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
CMOSイメージセンサの画素部にSiC MOSFETを用いることによる放射線耐性向上への貢献
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第1回
（2023年度） |
業績賞 |
齋藤 和之 氏
（会津大学名誉教授）
LDD (Lightly Doped Drain) 構造MOSFETの先駆的提案とその有用性の実証
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藤平 龍彦 氏
（富士電機）
スーパージャンクション理論の提唱とそれに基づく高性能シリコンパワー半導体デバイスの実現
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| 高専活性化奨励賞 |
清原 修二 氏
（舞鶴高専）
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| 若手奨励賞a |
隅田 圭 氏
（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
FETの移動度を律速する表面ラフネス散乱に対する定量的モデルの構築
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| 若手奨励賞b |
野沢 公暉 氏
（筑波大学）
不純物ドーピングにより固相成長過程を制御した大粒径n型多結晶ゲルマニウム薄膜の実現
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