半導体基金委員会・研究会(名取研究会)
第2回半導体分野将来基金委員会・研究会(名取研究会)
「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」
第2回半導体分野将来基金委員会・研究会(名取研究会)を, 昨年の第1回「シリコンへのドーピングの物理」に続いて,本年も「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」と題して,3月28日,29日の二日間にわたって開催します.
本研究会は,仕事や研究ですぐに役に立つためとか技術紹介的なものではなく,半導体の酸化がどのように起きているかということをしっかり理解し,そのように作製された酸化膜や界面はどうなっているのかを議論しようというのが基本的な目的です.昨今そういう部分が少しおろそかになっていないだろうかということが問題意識としてあります.技術を展開する上でも,より基本的な部分を理解しておくことは必ずや将来有益であるという考えは名取研二先生の考えとも合致するものと思います.特にこの研究会ではシリコン系半導体,特にSiとSiCの酸化についてしつこいくらいに議論したいと思っています.本領域に少しでもご興味がある方は是非ご参加いただき,今後のさらなる議論のきっかけとしていただければ幸いです.
開催概要
- 日時:
- 2025年3月28日(金) ~ 29日(土)
- 会場:
- 東京大学工学部4号館42講義室(東京都文京区本郷) * 現地参加のみ
- 講師・講演題目:
(予定) -
- 梅田享英(筑波大)/ESR分光法で見る界面欠陥:SiとSiC
- 影島愽之(島根大)/Siの熱酸化機構 (1)
- 喜多浩之(東大)/SiCの酸化および界面 (2)
- 木本恒暢(京大)/SiCの酸化および界面 (3)
- 高木信一(東大)/SiGeの酸化とGe偏析効果
- 髙桑雄二(東北大)/Siの熱酸化機構 (2)
- 土屋敏章※(静岡大)/チャージポンピング法による界面欠陥の評価
- 鳥海明※(元・東大)/Geの熱酸化機構
- 福谷克之(東大)/共鳴核反応法によるSiO2中の水素の観測
- 細井卓治(関西学院)/SiCの酸化および界面 (1)
- 山部紀久夫※(筑波大)/絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術
- 渡邉孝信(早大)/Siの熱酸化機構 (3)
(敬称略・五十音順) ※:本委員会委員 - プログラム:
-
3月28日(金)
9:00 〜 9:15 イントロダクション 9:15 〜 10:30 影島博之 10:30 〜 11:30 福谷克之 11:30 〜 12:45 山部紀久夫 12:45 〜 13:30 昼食 13:30 〜 14:30 梅田享英 14:30 〜 15:30 土屋敏章 15:30 〜 15:45 休憩 15:45 〜 16:45 細井卓治 16:45 〜 17:45 高木信一 18:15 〜 20:15 懇親会 3月29日(土)
9:25 〜 9:30 イントロダクション 9:30 〜 10:30 喜多浩之 10:30 〜 11:45 髙桑雄二 11:45 〜 12:30 昼食 12:30 〜 13:45 木本恒暢 13:45 〜 15:00 渡邊孝信 15:15 〜 16:30 鳥海明 16:30 〜 16:45 休憩 16:45 〜 19:00 Wrap up - 参加費:
-
- 応用物理学会個人会員・シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員:20,000円
- 応用物理学会非会員:30,000円
- 本年1月1日現在、満60歳以上で常勤職に就いておられない応用物理学会個人会員★10,000円
★:シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員も含む定員に達しましたが,追加で数名程度,参加を受け付ける可能性があります.第2回半導体分野将来基金委員会・研究会
追加案内が可能になった場合は,ご登録先着順にご案内させていただきます.
「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」
第2回名取研究会 追加案内申込 - 意見交換会参加費:
- 希望者のみ.3,000円/3月28日(金) の夜に行う予定です
- 定員:
- 50人(定員になり次第締め切らせていただきます)
お問い合わせ先
応用物理学会事務局 半導体分野将来基金担当
OBGhandotai-kikin