半導体基金委員会・研究会（名取研究会）

第3回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）
「金属／半導体界面はどこまでわかったのか？ —今年は界面に入り浸り—」

半導体分野将来基金委員会企画の研究会（名取研究会）を，第1回「シリコンへのドーピングの物理」，第2回「半導体の酸化機構と酸化膜」に続いて，第3回は2026年3月13日(金)，14日(土) の二日間にわたって「金属／半導体界面はどこまでわかったのか？」と題して泊まりがけで開催する予定です．（応物講演会の直前です！）

本研究会は，仕事や研究ですぐに役に立つためとか技術紹介的なものではなく，金属/半導体界面の結合状態や電子構造がどのようになっているかということをしっかり理解することによって界面特性を理解し，その上でデバイス特性におけるコンタクトの意味を考えようというのが基本的な目的です．そこには一般的な理解と材料固有の課題とがあると思いますが，すぐに一般的な結論を求めたいというわけではなく，いろいろな考え方を整理するとともに事実を真摯にとらえ，自分なりに理解を試みる機会になればと考えています．そうすることが新しい技術展開をする上でも必ず役に立つはずであるという考えは，名取研二先生の考え方とも合致するものと思っています．今回の研究会ではシリコン系半導体，特にSi，GeおよびSiCと金属との界面についてしつこいくらいに議論する予定です．本領域に少しでもご興味がある方は是非ご参加いただき多くを議論し，それぞれの研究領域における今後のさらなる発展のきっかけとしていただければ幸いです．

開催概要

日時：

2026年3月13日(金) ～ 14日(土)

会場：

東レ研修センター・三島（JR三島駅から徒歩約10分）

講演者：
（予定・五十音順）
（題目は仮題）

• 1. 入沢寿史 / van der Waals コンタクト
• 2. 植田暁子 / TCAD技術からみたコンタクト抵抗
• 3. 川崎直彦 / 金属/Si界面の先進物理解析
• 4. 黒木伸一郎・新井学・畠山哲夫 / SiCにおけるショットキー障壁形成機構
• 5. 黒田理人 / コンタクト抵抗測定法と先端CMOSにおけるコンタクト抵抗
• 6. 塩島謙次 / 金属/SiC界面の欠陥解析
• 7. 鳥海明・西村知紀 / 金属/Ge界面からみたショットキー障壁の理解
• 8. 中山隆史 / 第一原理計算によるショットキー障壁形成機構の理解
• 9. 浜屋宏平 / Ge上エピタキシャル界面におけるショットキー障壁
• 10. 吉武道子 / 仕事関数・電子親和力の物理的理解

（プログラムに関しては後日ご連絡させていただきます）

参加費：

下記の参加費には上記研修センターにおける宿泊費，朝食1・昼食2，夕食が含まれます
金曜日の夜の夕食後の懇親会に関しては別途3,000円

応用物理学会個人会員・シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員	25,000円
応用物理学会非会員	35,000円
本年1月1日現在，満60歳以上で常勤職に就いておられない応用物理学会個人会員★	15,000円

★：シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員も含む

意見交換会参加費：

希望者のみ．3,000円／3月13日(金) の夜に行う予定です

定員：

50人（定員になり次第締め切らせていただきます）

お問い合わせ先

応用物理学会事務局　半導体分野将来基金担当
OBGhandotai-kikin

過去のイベント

• 第2回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」
• 第1回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）「シリコンへのドーピングの物理」