半導体基金委員会・研究会(名取研究会)

第1回半導体分野将来基金委員会・研究会(名取研究会)
「シリコンへのドーピングの物理」

第一回半導体分野将来基金委員会・研究会(名取研究会)「シリコンへのドーピングの物理」を3月29日,30日の二日にわたって開催します.
本研究会は,仕事や研究ですぐに役に立つためとか技術紹介的なものではなく,ドーピングするということによってシリコン中で何が起きているかをしっかり理解しようというのが基本的な目的です.昨今そういう部分が少しおろそかになっていないだろうかということが問題意識としてあります.技術を展開する上でも,より基本的な部分を理解しておくことは必ずや将来有益であるという考えは名取研二先生のそれとも合致すると思います.このような議論では現状がどうなっているかを知っていることも必要であるので,シリコンナノエレクトロニクス・シリコンパワー半導体技術,それぞれのドーピング技術全般に対する講演も含んでおります.本領域に少しでもご興味がある方は是非ご参加いただき,今後の活発な議論のきっかけとしていただければ幸いです.

開催概要

日時:
2024年3月29日(金) ~ 30日(土) 9:30~19:30(両日)
会場:
応物会館(東京都文京区根津1-21-5)
講師・講演題目:
(予定)
  • 押山淳(名大)/点欠陥とドーパントのミクロな関わりあい(仮)
  • 大村一郎(九工大)/高耐圧デバイスのドーピング:電荷,絶縁,宇宙線(仮)
  • 神山栄治(グローバルウェーハズ・ジャパン/岡山県立大)/第一原理計算を用いたシリコン中ドーパント不活性化の解析:(1)水素による遠隔的なボロンの不活性化,(2)リンとボロン共存下におけるメタルのゲッタリング
  • 下山学(SUMCO)/パワー半導体用シリコンウェハーにむけたNTD(Neutron Transmutation Doping)技術とその応用展開
  • 須黒恭一(SUGSOL/明治大)/シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり/ランプセッション
  • 田島道夫(JAXA名誉教授)/シリコン中の1×1010から1×1020cm-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価
  • 筒井一生(東工大)/放射光を用いた光電子ホログラフィー法によるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析
  • 坪田寛之(グローバルウェーハズ・ジャパン)/パワーデバイス用シリコン結晶における酸素,炭素の役割と制御
  • 西澤伸一(九大)/300mm Si-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦
  • 深田直樹(NIMS)/シリコンナノ構造体中への不純物ドーピングと評価
  • 藤井稔(神戸大)/シリコンナノ結晶への不純物ドーピング
  • 藤平龍彦(富士電機)/パワー半導体とドーピング技術,歴史,発展,将来展望
  • 水島一郎(ニューフレアテクノロジー)/エピタキシャル成長/イオン注入を用いたシリコンへの高濃度ドーピング(仮)
  • 水野文二(UJT)/シリコンデバイスへのドーピング技術の事共(仮)
(敬称略・五十音順)
※プログラムは決定次第公開いたします.
参加費:
応用物理学会個人会員・シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員:2万円
応用物理学会非会員:3万円
満60歳以上で常勤職に就いておられない応用物理学会個人会員 *:1万円
  • *シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員も含む
受付中
第1回半導体分野将来基金委員会・研究会
「シリコンへのドーピングの物理」
参加申込

申込期限:3月26日(火)

  • 席数の都合がございますので,希望者多数の場合には
    お断りをする場合があることを御容赦ください.
その他:
  • 対面のみで開催いたします(オンライン参加はできません).
  • 2日間の参加を基本といたします.
  • 参加費についても,申込期限日までにお支払いください.
  • お弁当,コーヒーを提供いたします.不要な方はお申し出ください.

お問い合わせ先

応用物理学会事務局 半導体分野将来基金担当
OBGhandotai-kikin