半導体基金委員会・研究会（名取研究会）

第3回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）
「金属／半導体界面はどこまでわかったのか？ —今年は界面に入り浸り—」

半導体分野将来基金委員会企画の研究会（名取研究会）を，第1回「シリコンへのドーピングの物理」，第2回「半導体の酸化機構と酸化膜」に続いて，第3回は2026年3月13日(金)，14日(土) の二日間にわたって「金属／半導体界面はどこまでわかったのか？」と題して泊まりがけで開催する予定です．（応物講演会の直前です！）

本研究会は，仕事や研究ですぐに役に立つためとか技術紹介的なものではなく，金属/半導体界面の結合状態や電子構造がどのようになっているかということをしっかり理解することによって界面特性を理解し，その上でデバイス特性におけるコンタクトの意味を考えようというのが基本的な目的です．そこには一般的な理解と材料固有の課題とがあると思いますが，すぐに一般的な結論を求めたいというわけではなく，いろいろな考え方を整理するとともに事実を真摯にとらえ，自分なりに理解を試みる機会になればと考えています．そうすることが新しい技術展開をする上でも必ず役に立つはずであるという考えは，名取研二先生の考え方とも合致するものと思っています．今回の研究会ではシリコン系半導体，特にSi，GeおよびSiCと金属との界面についてしつこいくらいに議論する予定です．本領域に少しでもご興味がある方は是非ご参加いただき多くを議論し，それぞれの研究領域における今後のさらなる発展のきっかけとしていただければ幸いです．

開催概要

日時：

2026年3月13日(金) ～ 14日(土)

会場：

東レ研修センター・三島（JR三島駅から徒歩約10分）

プログラム：

3月13日(金)

10:00 〜 10:30	導入
10:30 〜 11:30	#1　吉武道子 仕事関数、電子親和力の一般的な理解と材料の個性
11:30 〜 12:30	#2　塩島謙次 界面顕微光応答法によるSiC電極・結晶の二次元評価
12:30 〜 13:30	昼食
13:30 〜 14:30	#3　中山隆史 ショットキーバリアとギャップ状態の役割：第一原理理論計算からの描像
14:30 〜 15:30	#4　浜屋宏平 エピタキシャル金属/Ge(111)界面の電気伝導 (実験)
15:30 〜 16:00	休憩
16:00 〜 17:00	#5　川崎直彦 STEM-EELSによるSi/金属界面の元素組成・結合・電子構造の解析
17:00 〜 18:00	全体討論
18:20 〜	夕食
19:30 〜	意見交換会 自由討論
23:00 〜	就寝予定

3月14日(土)

9:00 〜 9:30	復習
9:30 〜 10:30	#6　植田暁子 TCADからみたコンタクト界面の物理とモデル化
10:30 〜 11:30	#7　黒田理人 先端CMOSにおけるコンタクト抵抗と測定法
11:30 〜 12:30	全体討論
12:30 〜 13:30	昼食
13:30 〜 14:30	#8　黒木伸一郎 SiCにおけるショットキー障壁形成と電気伝導機構
14:30 〜 15:30	#9　入沢寿史 van der Waals コンタクトの実験と理解
15:30 〜 16:30	#10　鳥海明 金属/Ge界面における強いFLPとその考え方
16:30 〜 16:45	休憩
16:45 〜 17:15	全体討論

参加費：

下記の参加費には上記研修センターにおける宿泊費，朝食1・昼食2，夕食が含まれます
金曜日の夜の夕食後の懇親会に関しては別途3,000円

応用物理学会個人会員・シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員	25,000円
応用物理学会非会員	35,000円
本年1月1日現在，満60歳以上で常勤職に就いておられない応用物理学会個人会員★	15,000円

★：シリコンテクノロジー分科会会員・先進パワー半導体分科会会員も含む

意見交換会参加費：

希望者のみ．3,000円／3月13日(金) の夜に行う予定です

定員：

50人（定員になり次第締め切らせていただきます）

お問い合わせ先

応用物理学会事務局　半導体分野将来基金担当
OBGhandotai-kikin

過去のイベント

• 第2回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」
• 第1回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）「シリコンへのドーピングの物理」